ジゲルマシクロブタジエンの電子密度分布解析による結合状態解析

抄録

　14族元素を含む歪んだ環構造を持つ化合物は、その高い反応性のため合成・単離が難しく、当該炭素体に比べ著しく研究が進んでいない。本課題では、4π 電子系環状化合物であるジゲルマシクロブタジエンの結合様式、および４員環内の π 電子雲の分布、特に歪んでいると予想される Ge=Ge 結合の π 電子雲、それにつながる Ge−C の電子雲を、単結晶Ｘ線電子密度分布解析により実験化学的に解明することを目的とし実験を行った。多極子解析による電子密度分布解析の結果、精度が悪いながらも、Ge=Ge 結合の π 電子の分布を得ることができた。