SiO₂/SiC に及ぼすプラズマ窒化処理の影響の角度分解Ｘ線光電子分光法による解析

抄録

SiO₂/SiC に及ぼすプラズマ窒化処理の影響を角度分解X線光電子法により調べた。まず、SiC 表面がプラズマ窒化されるかを調べ、4H-SiC の Si 面および C 面とも窒化されることを確認した。その後、熱酸化により酸化膜を形成した SiO₂/SiC をプラズマ処理したところ、表面がわずかに窒化されるものの SiO₂/SiC 界面までは窒素が拡散しないことを明らかにした。