名城大学理工学部
高輝度光科学研究センター
2021 年 9 巻 2 号 p. 133-136
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低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 AlN1-xSbx を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、AlSb 中のものとは異なり、第一近接原子である Al の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 AlN 中のほとんどの Sb は AlN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。
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