応用物理学会学術講演会講演予稿集

第68回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の3074件中2351～2400を表示しています

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ULVR-SRAMを用いたキャッシュのパワーゲーティング性能

吉田隼, 塩津勇作, 山本修一郎, 菅原聡

セッションID: 17a-Z26-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2351

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超低電圧リテンションフリップフロップ（ULVR-FF）のエネルギー極小点動作

瀧口憲一郎, 塩津勇作, 松﨑翼, 山本修一郎, 菅原聡

セッションID: 17a-Z26-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2352

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HfO_x系ReRAMにおけるフォーミング電圧の電極材料依存性

鈴木政洋, 道古宗俊, 石井芳晶, 茂庭昌弘

セッションID: 17a-Z26-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2353

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極薄無電解NiB膜のめっき前処理におけるNH₂化とバリア性能評価

齊藤丈靖, 林藤壮史, 岡本尚樹, 北島彰

セッションID: 17a-Z26-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2354

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【授賞式】第12回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞

内田健

セッションID: 17p-Z26-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2355

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次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察

奥山亮輔, 柾田亜由美, 重松理史, 廣瀬諒, 門野武, 古賀祥泰, 奥田秀彦, 栗田一成

セッションID: 17p-Z26-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2356

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c-Si表面パッシベーションにおけるプラズマ誘起欠陥とバンド構造

布村正太, 坂田功, 榊田創, 古閑一憲, 白谷正治

セッションID: 17p-Z26-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2357

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電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測

濱野誉, 占部継一郎, 江利口浩二

セッションID: 17p-Z26-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2358

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大面積集積化に向けたPVD堆積ノーマリオフMoS₂-nMISFETs

松浦賢太朗

セッションID: 17p-Z26-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2359

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BEOLプロセス互換酸化物半導体In-Al-Zn-Oを用いたゲート長40 nmのSurrounding Gate縦型FETの動作実証

藤原弘和, 佐藤祐太, 斉藤信美, 上田知正, 池田圭司

セッションID: 17p-Z26-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2360

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中性粒子ビーム加工による高移動度Ge FinFETの実現

大堀大介, 野田周一, 藤井卓也, 水林亘, 遠藤和彦, Li Yiming, Lee Yao-Jen, 尾崎卓哉, 寒川誠二

セッションID: 17p-Z26-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2361

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転写技術によるSi/Ge異種チャネル相補型FET(hCFET)の開発

前田辰郎, 石井裕之, 入沢寿史, 洪子杰, 宋柏融, 李耀仁, 張文馨

セッションID: 17p-Z26-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2362

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同位体制御 ²⁸Si/SiGe量子計算基板における微小結晶傾斜角イメージング

竹内公一, 宮本聡, 伊藤公平, 宇佐美徳隆

セッションID: 17p-Z26-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2363

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(111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現

隅田圭, 吉津遼平, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一

セッションID: 17p-Z26-10
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2364

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(111) InAs-OI nMOSFETのチャネル薄膜化による移動度向上の実現と伝導帯内の界面準位の実験的評価

隅田圭, 吉津遼平, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一

セッションID: 17p-Z26-11
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2365

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InAs/Ni-InAs間のコンタクト抵抗率とその評価法に関する実験的検討

竹安淳, 隅田圭, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一

セッションID: 17p-Z26-12
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2366

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ライナー・バリアフリー次世代配線材料CuAl₂の物理的特性

久家俊洋, Chen Linghan, 矢作政隆, 小池淳一

セッションID: 17p-Z26-13
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2367

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LSI多層配線単層バリア材料としてのコバルト合金の可能性

山田裕貴, 矢作政隆, 小池淳一

セッションID: 17p-Z26-14
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2368

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3-Color Micro-LED Integration for Flexible Display Based on Die-First Fan-Out Wafer-Level Packaging Technology

Zhe Wang, Yuki Susumago, Tomo Odashima, Noriyuki Takahashi, Hisashi Ki ...

セッションID: 17p-Z26-15
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2369

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半導体量子ドットでの核スピン分極の第３安定状態と３重安定性

山本壮太, 鍜治怜奈, 笹倉弘理, 足立智

セッションID: 18p-Z23-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2370

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TEMグリッドに塗布したコロイド量子ドットの単一光子特性評価

井原章之, 榎本航之, 夫勇進, 富成征弘, 三木茂人, 寺井弘高

セッションID: 18p-Z23-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2371

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¹⁶⁷Er³⁺:Y₂SiO₅の超微細構造Λ型準位系における位相緩和時間の周波数および時間領域測定

安井翔一郎, 平石真也, 石澤淳, 尾身博雄, 鍜治怜奈, 足立智, 俵毅彦

セッションID: 18p-Z23-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2372

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RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂

奥野智大, 小野田稜太, 関口寛人, 若原昭浩, 中岡俊裕

セッションID: 18p-Z23-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2373

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直列2重量子ドットにおける熱支援パウリスピンブロッケード

御代田宗佑, 泉田渉, 天羽真一, 羽田野剛司

セッションID: 18p-Z23-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2374

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GaAs2次元電子系に形成した量子ポイントコンタクトにおけるサブバンド間共鳴励起現象の観測

黒山和幸, 權晋寛, 荒川泰彦, 平川一彦

セッションID: 18p-Z23-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2375

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Si/CaF₂ p型三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

佐藤穂波, 渡辺正裕, 熊谷佳郎, 冨澤勘太, 金子拓海

セッションID: 18p-Z23-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2376

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GaInN 系量子殻の光学特性改善のためのGaInN/GaN超格子の検討

中山奈々美, ウェイファンルー, 伊藤和真, 勝呂紗衣, 曽根直樹, 奥田廉士, 宮本義也, 神野幸美, 山村志織, 上山 ...

セッションID: 18p-Z23-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2377

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GaInN系量子殻LEDのEL特性

勝呂紗衣, Lu Weifang, 伊藤和真, 中山奈々美, 曽根直樹, 奥田廉士, 宮本義也, 神野幸美, 山村志織, 上 ...

セッションID: 18p-Z23-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2378

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トンネル接合を用いた量子殻レーザの実現に向けたn-GaNへの電極形成に関する検討

神野幸美, 奥田廉士, 水谷浩一, 奥野浩司, 飯田一喜, 宮本義也, 山村詩織, 曽根直樹, 伊藤和真, 勝呂紗衣, ...

セッションID: 18p-Z23-10
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2379

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量子殻活性層及びトンネル接合を有するレーザ構造の作製と評価

奥田廉士, Lu Weifang, 曽根直樹, 飯田一喜, 奥野浩司, 水谷浩一, 宮本義也, 伊藤和真, 神野幸美, 勝呂 ...

セッションID: 18p-Z23-11
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2380

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InPナノワイヤの接合構造と発光ダイオード特性の関係

木村峻, 勝見悠, 蒲生浩憲, 本久順一, 冨岡克広

セッションID: 18p-Z23-12
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2381

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Fabry-Pérot共振を用いた量子ドット太陽電池の光吸収率増強

樗木悠亮, Maxime Giteau, 福島啓, 北原健渡, 宮下直也, 玉置亮, 岡田至崇

セッションID: 18p-Z23-13
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2382

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CdTe量子ドット超格子における量子共鳴の次元制御

李太起, 榎本航之, 大城一馬, 井ノ上大嗣, 喜々津智郁, 金賢得, 夫勇進, 金大貴

セッションID: 18p-Z23-14
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2383

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超格子構造実現のための赤外発光コロイド型SnSe量子ドット合成技術の検討

中山ケビン, 向井剛輝

セッションID: 18p-Z23-15
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2384

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シラン化プロセスの導入と逆ミセルサイズの調整によるシリカコートPbS QDの単分散性の向上

池田航介, 八田伶音, 向井剛輝

セッションID: 18p-Z23-16
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2385

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表面電場制御による光励起過渡現象からのテラヘルツ波放射の調査

長谷川尊之

セッションID: 19a-Z23-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2386

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GaAs/AlAs多重量子井戸における差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生の周波数依存性に対する励起子効果

小島磨, 坂上寛太, 喜多隆, Hogg Richard

セッションID: 19a-Z23-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2387

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光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの光学特性評価

海津利行, 小濱一晟, 南康夫, 北田貴弘, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修

セッションID: 19a-Z23-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2388

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Highly efficient thermionic cooling semiconductor device: the Quantum Cascade Cooler

Marc Bescond, Kazuhiko Hirakawa

セッションID: 19a-Z23-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2389

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Thermal activation behavior of current in semiconductor thermionic cooling heterostructures

朱翔宇, べスコンマーク, バスタードジェラルド, 長井奈緒美, 平川一彦

セッションID: 19a-Z23-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2390

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量子ナノ構造とテラヘルツダイナミクス

平川一彦

セッションID: 19a-Z23-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2391

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光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価

南康夫, 新免歩, 北田貴弘, 原田幸弘, 海津利行, 小島磨, 喜多隆, 和田修

セッションID: 19p-P05-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2392

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Ga₂O₃ナノワイヤーの化学合成技術の開発

廣田奎史郎, 向井剛輝

セッションID: 19p-Z02-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2393

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Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法によるSiC量子ドット形成：Si⁺ドーズ量依存性

村川洸紀, 金澤力斗, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

セッションID: 19p-Z02-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2394

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ホットSi⁺イオン注入法を用いた酸化膜中のSi量子ドットの形成

吉水一真, 村川洸紀, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

セッションID: 19p-Z02-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2395

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(Al₂O₃)_1-x(SiO₂)_x/GaN界面の原子構造と電子構造の第一原理計算による考察

長川健太, 白石賢二, 押山淳

セッションID: 16a-Z16-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2396

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金属/GaN界面におけるフェルミレベルピンニング

古塲治朗, 矢作政隆, 小池淳一

セッションID: 16a-Z16-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2397

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n 型 AlN のショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性

廣木正伸, 谷保芳孝, 熊倉一英

セッションID: 16a-Z16-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2398

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Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価

川角優斗, 安井悠人, 柏木行康, 玉井聡行, 塩島謙次

セッションID: 16a-Z16-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2399

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_{GaN(000\overline{1})}面上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

冨ケ原一樹, 和田悠平, 溝端秀聡, 野崎幹人, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

セッションID: 16a-Z16-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2400

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