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2002 年 (128)
2003 年 (115)
2001 年 (108)
2006 年 (89)
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希薄磁性半導体
: 新材料開発と課題
安藤 功兜, 齋藤 秀和, Vadym Zayets, Mukul C. Debnath
まてりあ
2004年 43 巻 6 号 480-484
発行日: 2004/06/20
公開日: 2011/08/11
DOI
https://doi.org/10.2320/materia.43.480
ジャーナル
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(3080K)
スピン機能材料の電子状態
白井 正文
応用物理
2001年 70 巻 3 号 275-278
発行日: 2001/03/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.70.275
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III-V族
希薄磁性半導体
における強磁性発現機構を, 第一原理計算された (Ga, Mn) ASの電子状態をもとに議論する.その結果, Mn 3d 軌道と価電子バンドの主成分であるAs 4p 軌道の間の混成が,強磁性発現のための重要な因子であることが明らかになった.この結果を踏まえて, III-V族化合物半導体をベースとした新たな強磁性体として,せん亜鉛鉱型CrAsおよび
希薄磁性半導体
(Ga, Cr) As が,高い転移温度をもつことが予測される.
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(1065K)
希薄磁性半導体
における磁気光物性
岡 泰夫
応用物理
1988年 57 巻 6 号 894-899
発行日: 1988/06/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.57.894
ジャーナル
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Mn, Feイオンを含む希薄磁性体のバルクの性質をピコ秒発光分光,ラマン散乱分光,ファラデー回転などにより調べる.その結果得られる,この物質に特有の性質,巨大g値,磁気ポーラロン,スピングラス, d電子準位,スピン・フリップ・ラマン散乱について述べ,これらの現象の応用の可能性について老察する.
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(468K)
第一原理計算に基づくGeベースの
希薄磁性半導体
の研究
新屋 ひかり, 福島 鉄也, 真砂 啓, 佐藤 和則, 吉田 博
日本物理学会講演概要集
2017年 72.1 巻 18aC-PS-1
発行日: 2017年
公開日: 2018/04/19
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1360
会議録・要旨集
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近年、Geに遷移金属をドーピングした
希薄磁性半導体
が注目を浴びている。本研究では、KKR-CPA法に基づき磁性特性を調べた結果、スピノーダル分解による不均一ナノ構造が高いキュリー温度に貢献していることがわかった。
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(252K)
II-VI族
希薄磁性半導体
を用いた光アイソレーター
小野寺 晃一, 大場 裕行, 川村 卓也
応用物理
2001年 70 巻 3 号 300-303
発行日: 2001/03/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.70.300
ジャーナル
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II-VI族
希薄磁性半導体
Cd
1-x-y
Mn
x
Hg
y
Te
1-z
Se
z
単結晶 (0<x≤0.50, 0≤y≤0.30, 0≤z≤D.02) は, 630~1047nm帯用光アイソレーター材料として優れた材料である.筆者らは,光通信システムのキーデバイスであるエルビウム添加光増幅器の低ノイズ励起光源 (980nm) 用高性能ファラデー回転子の工業的量産法を開発した.溶媒移動型帯溶融法 (ZM法)による結晶成長技術の最新の結果および光アイソレーターへの応用について紹介する.
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(2516K)
半導体の光・スピン機能と応用の可能性
安藤 功兒, 秋本 良一, Wadim ZAETS
応用物理
2001年 70 巻 3 号 279-284
発行日: 2001/03/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.70.279
ジャーナル
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半導体のスピンや磁性に依存する物性を利用した光素子の可能性を議論する.磁気光学効果の非相反性,磁性体のメモリー効果,スピン偏極などの特徴を生かして光アイソレーター,光論理素子,光スイッチ,光メモリーなどへの応用が期待される.
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(2653K)
III-V族
希薄磁性半導体
の輸送現象と磁性
大野 英男
応用物理
1994年 63 巻 2 号 161-164
発行日: 1994/02/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.63.161
ジャーナル
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新しいIII-V族べ一スの
希薄磁性半導体
である (In, Mn) Asの輸送現象と磁性について紹介した. (In, Mn) Asは分子線エピタキシーで成長している. P形 (In, Mn) Asのホール係数の温度依存性を解析することからMn間の相互作用が強磁性的であることがわかった.また低温ではホール抵抗率の磁場依存性にヒステリシスがあらわれる.これは強磁性秩序が形成されたことを示している.この強磁性秩序は常磁性相と共存していることもホール効果の測定よりわかった.このことは部分的にスピンの揃った磁気ポーラロンが形成ざれると考えると説明できる. n形 (In, Mn) As, (In, Mn) Asの超薄膜の電気伝導についても報告した.
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(311K)
磁性体/半導体ハイブリッド構造の進展
田中 雅明
応用物理
1997年 66 巻 2 号 132-136
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.66.132
ジャーナル
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材料の性質が大きく異なる磁性体と半導体からなる八イブリッド構造についての研究を紹介した.Mn系強磁性金属間化合物とIII-V化舎物半導体という結晶構造・物性・機能が大きく異なる物質からなる薄膜ヘテロ構造を形成するための考え方を述べ,続いてエピタキシャル成長,構造,磁性,電気伝導を調べた結果について報告した.このような異種物質からなるヘテロ構造では,エピタキシャル成長初期の衰面・界面制御がその構造や物牲(特に磁気異方性)を決定する璽要な役割を果たしていることを示した.また,最近新たな展開がみられたIII-V族ベース希薄磁姓半導体についても簡単に触れた.
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(2754K)
III-V族
希薄磁性半導体
宗片 比呂夫
電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌)
1995年 115 巻 4 号 317-323
発行日: 1995/03/20
公開日: 2008/07/15
DOI
https://doi.org/10.1541/ieejfms1990.115.4_317
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(1062K)
希薄磁性半導体
超格子
大塚 信雄
応用物理
1987年 56 巻 9 号 1148-1154
発行日: 1987/09/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.56.1148
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近年米国を中心に,
希薄磁性半導体
と呼ばれる物質の薄膜および超格子が,注目を集めている.本稿では,この物質がもつ半導体としての特異な性質を概観し,そして最近の分子線エピタキシーによる超格子の成長,および物性研究を説明する.また,これらの超格子のデバイスへの応用をめざして,米国で最近組織された研究活動を紹介する.
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(1140K)
17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
木村 俊博, 小山 裕, 西澤 潤一
日本結晶成長学会誌
2005年 32 巻 3 号 132-
発行日: 2005/08/17
公開日: 2017/05/31
DOI
https://doi.org/10.19009/jjacg.32.3_132
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InMnP layers were epitaxially grown on InP substrate by using LPE method at the constant growth temperatures. Two-dimensional terraced layers with cross-hatched patterns were obtained. Mn concentration was evaluated by positive SIMS measurements. The effectiveness of LPE method for III-V based magnetic semiconductor InMnP layers was confirmed.
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(219K)
アンモニアーMBE法によるMnドープGaN膜の成長
園田 早紀
応用物理
2002年 71 巻 10 号 1267-1271
発行日: 2002/10/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1267
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アンモニアを窒素源とした分子線エピタキシー法で成長させたMnドープGaNが, Ma濃度3~7%の範囲において室温で強磁性を示すことがわかった.広域X線吸収微細構造灘定,同軸型直衝突低速イオン散乱分光などによる成長膜の結晶学的評価を行った結果,ドープしたMnはウルツ鉱型GaNのGaサイトに存在し,表面近傍約10Åの領域もウルツ鉱型の結羅構造;をもつことが確認され,その磁気的振る舞いが(Ga, Mn)N混晶に由来するものである可能性が示された.
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(3742K)
磁性混晶半導体 : 化合物半導体結晶(<特集>21世紀を拓く薄膜結晶成長)
宗片 比呂夫
日本結晶成長学会誌
2000年 27 巻 4 号 225-231
発行日: 2000/10/25
公開日: 2017/05/31
DOI
https://doi.org/10.19009/jjacg.27.4_225
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The research efforts for conventional paramagnetic diluted magnetic semiconductors have yielded a class of new alloy semiconductor materials whose magnetic properties are strongly correlated with their electrical conduction. This paper reviews the present status and future prospects of such alloy semiconductors named "magnetic alloy semiconductors" composed primarily of technologically important III-V compound semiconductors and transition metals.
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(769K)
スピンエレクトロニクス材料の基礎と理論
佐久間 昭正
まてりあ
2004年 43 巻 6 号 468-473
発行日: 2004/06/20
公開日: 2011/08/11
DOI
https://doi.org/10.2320/materia.43.468
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(2128K)
領域4,11「半導体ナノ構造における電子波伝播と量子カオスの接点」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
落合 勇一
日本物理学会誌
2001年 56 巻 9 号 689-
発行日: 2001/09/05
公開日: 2019/09/27
DOI
https://doi.org/10.11316/butsuri.56.9_689_3
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(255K)
領域4,11「強磁場中2次元系の多彩な量子現象」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
岡本 徹
日本物理学会誌
2001年 56 巻 9 号 689-
発行日: 2001/09/05
公開日: 2019/09/27
DOI
https://doi.org/10.11316/butsuri.56.9_689_2
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(255K)
領域3,8「スピン・軌道・電荷の自由度に伴う新しい量子現象をめざして」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
吉村 一良
日本物理学会誌
2001年 56 巻 9 号 689-
発行日: 2001/09/05
公開日: 2019/09/27
DOI
https://doi.org/10.11316/butsuri.56.9_689_1
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(255K)
ZnMnO/ZnOヘテロ構造のキャリア輸送特性
*益子 慶一郎, 芦田 淳, 吉村 武, 藤村 紀文
日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2008年 2008S 巻 1B19
発行日: 2008年
公開日: 2009/02/07
DOI
https://doi.org/10.14853/pcersj.2008S.0.1B19.0
会議録・要旨集
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近年、次世代電子デバイスの一つとして電子が持つ電荷以外にスピンの自由度を最大限かつ有効に活用する“スピントロニクスデバイス”が大きな注目を集めている。我々はその母体材料としてZnOに注目している。ZnOはスピン緩和時間が長い事やMn doped ZnO (ZnMnO)がp型の時に室温で強磁性を発現する事が期待されており、デバイスの室温動作という点でSiやGaAsと比べて有利であると考えている。これまでにZnO単結晶基板上に高い結晶性と表面平坦性を有するn型ZnMnO薄膜を作製し、光学特性や磁気特性について評価を行ってきた。さらに、ZnMnO層を障壁層として用いたZnMnO/ZnOヘテロ構造の界面に擬二次元電子層を形成し、低温において量子効果や伝導電子とZnMnO障壁層間の磁気相関現象を観測した。本研究ではZnMnO/ZnOヘテロ構造における変調ドーピングの効果について検討した。 ZnMnO/ZnOヘテロ構造のホール効果測定の結果から界面に擬二次元電子層が形成していることがわかった。さらに、その擬二次元電子層のシートキャリア濃度はスペーサ層の膜厚が増加するにつれて減少しており、ZnMnO障壁層によって界面のシートキャリア濃度が変調されていることが示唆された。
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III-V族
希薄磁性半導体
の電気伝導
勝本 信吾, 大岩 顕
日本物理学会誌
1998年 53 巻 7 号 491-498
発行日: 1998/07/05
公開日: 2008/04/14
DOI
https://doi.org/10.11316/butsuri1946.53.491
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二つの大きな分野が出会う時, 常に新しい大きな発見が生まれてきた. 物性物理という大河から分かれた半導体物理と磁性体物理という二つの支流が再び合流する時, 必ず大きな進展があると期待されてきたが, 近年非平衡成長法によって合成可能になったIII-V族
希薄磁性半導体
は, ようやくこの合流を可能にしつつある. この縞では, その新しい展開について, 特に電気伝導を中心に紹介する.
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(1680K)
酸化物系磁性半導体膜の化学的析出
品川 勉, 伊崎 昌伸
表面技術
2010年 61 巻 6 号 416
発行日: 2010/06/01
公開日: 2010/12/25
DOI
https://doi.org/10.4139/sfj.61.416
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