特集：パワーデバイス用半導体結晶 —Si, SiC, GaN, ダイヤモンド, Ga2O3—
パワーデバイス用Si結晶
2017 年 137 巻 10 号 p. 675-676
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2017 年 137 巻 10 号 p. 675-676
1．はじめに
Siパワーデバイスは，集積回路で培われた技術を有効に活用することにより，性能を急速に向上させた。一方，パワーデバイス用Si結晶には，集積回路で広く用いられているCZ（CZochralski）結晶が3節で述べるように使用できないため，FZ（Floating Zone）結晶あるいはエピタ
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