抄録
ガス圧力や真空度の測定に用いる圧力センサは、圧力差で生じる機械的ひずみを電気信号に変えるピエゾ効果を利用しており、様々な材料を用いて実現されている。しかし、センサ部は抵抗や容量などの受動素子で構成されており、センサのS/N比向上のために信号処理回路をセンサ後段に入れる必要がある。そこで、圧力センサ検出部においてすべてトランジスタに置き換えることで、センサ検出と信号処理を同一回路で行なうことができ、回路規模と消費電力の削減が期待できる。本研究では、センサ検出と信号処理を同一回路で行えるひずみ検出素子の実現に向けた基礎研究として、ダイヤフラム構造や片持ち梁構造など、MEMS技術によるSi加工が比較的簡単に実現できるSOI基板を用い、SOI-MOSFETを利用した能動型ひずみ検出素子の試作・評価を行なった。
