RF重畳DCスパッタリングによる透明導電膜の作製

抄録

透明導電膜として現在幅広く利用されているITO（Sn添加In２O３）の代替材料として、資源が豊富で環境に優しく安価な金属添加ZnOが注目されている。当研究室ではこれまで、誘導結合プラズマ(ICP)でDCスパッタリングを支援する“ICP支援スパッタリング法”を用いてAl添加ZnO（AZO）膜の作製プロセスを研究してきた。しかし、この方法では大面積・低融点基板への対応が容易でない。そこで、容量領結合プラズマでDCスパッタリングを支援する“RF重畳DCスパッタリング”の利用に着目し、装置製作を行った。本報告では、RF重畳DCスパッタリングの放電基礎特性とAZO膜の初期的な成膜結果を報告する。