真空中で水素ラジカルを発生させフラックスを用いずに, はんだの酸化膜を除去する方法でリフロー温度を下げる検討を行った。このプロセスと従来プロセスとの比較を行い, 従来と同等の接合強度をもっことが判明した。また, 水素ラジカルとSnO2の還元効果を考慮し, フラックスを使用せず融点以下で水素ラジカルを発生させ溶融前に酸化膜を除去した後に, 温度を上昇させ融点以上10℃の設定でリフローを行った。その結果, 表面性状・接合強度は従来のリフローと同等の特性を得ることができ, かつボイドの発生も抑えられた。この方法によりフラックスを用いず, ボイドを発生させないリフロー方法を確立し, リフロー後の洗浄も不必要となると考えられる。また, バンプ形成リフローにも適用した。
