AESによるSiO2/Si試料表面の電子線照射損傷評価

木村 隆; 田沼 繁夫; 井上 雅彦; 鈴木 峰晴; 橋本 哲; 三浦 薫

doi:10.1384/jsa.9.75

論文

AESによるSiO₂/Si試料表面の電子線照射損傷評価

木村隆, 田沼繁夫, 井上雅彦, 鈴木峰晴, 橋本哲, 三浦薫

著者情報

ジャーナルフリー

2002 年 9 巻 1 号 p. 75-80

DOI https://doi.org/10.1384/jsa.9.75

詳細

抄録

二酸化シリコンの電子線照射損傷は従来はピーク形状の微細な変化で定性的に論じられることが多く,この方法では試料損傷の正確な評価や測定法の標準化では問題が多い.そこで,ピーク形状によらず測定強度そのものを使って解析することを試みた.電子線照射によりSiO₂→SiO→Siと2段階で還元するモデルから理論的に導いた式を用いて,測定値にカーブフィットすることにより,電子の臨界ドーズ量を定量的に求める方法を考案した.

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）