RFスパッタリングによる窒化ホウ素膜の作製におけるスパッタガスの影響

抄録

RFスパッタリングによる窒化ホウ素膜作製におけるスパッタリングガスの影響について検討した．Ar-N₂およびAr-N₂混合ガスを反応性スパッタガスとして用いた．SEM観察の結果，スパッタ膜の表面形態は平滑であった．Ar-N₂およびAr-NH₃混合ガスでスパッタしたいずれの試料のXPSスペクトルでもBN結合が認められた．Ar-N₂スパッタガスではN₂割合の上昇に伴い，BN結合が増加した．Ar-NH₃スパッタガスを用いて，それほど遅くない成膜速度で比較的高硬度が得られた．それに加えてCVDダイヤモンド基板へのBN膜の作製が可能であった．