応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
SiC単結晶成長技術
大谷 昇
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2005 年 74 巻 2 号 p. 220-227

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抄録

低損失,大電力パワーデバイス用材料として開発が進められているSiC単結晶の結晶成長技術について紹介した.バルク単結晶の成長法として広く用いられている改良レーリー法(種付き昇華再結晶法)と高品質SiC単結晶薄膜のホモエピタキシャル成長技術について述べた.さらに,SiC単結晶において観測される各種転位欠陥について記述し,その挙動,発生原因について論じた.

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© 2005 公益社団法人応用物理学会
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