SiC単結晶成長技術

抄録

低損失，大電力パワーデバイス用材料として開発が進められているSiC単結晶の結晶成長技術について紹介した．バルク単結晶の成長法として広く用いられている改良レーリー法(種付き昇華再結晶法)と高品質SiC単結晶薄膜のホモエピタキシャル成長技術について述べた．さらに，SiC単結晶において観測される各種転位欠陥について記述し，その挙動，発生原因について論じた．