抄録
大気開放型化学気相析出(CVD)法によりヘテロエピタキシャル成長するIn2O3ウィスカーはしばしば顕著な成長を示す。この成長は柱状構造をした正方晶のエッジに横方向の洗練された樹枝状サイドブランチングを形成する。X線回折の結果、得られたウィスカーと基板との面外エピタキシャル関係はIn2O3[100](001)//YSZ[100](001)であった。(004)回折線のロッキングカーブの半値幅は0.23°であった。非常に高配向なIn2O3へテロエピタキシャルウィスカーが得られた。本手法により作製されたウィスカーは(1)過剰な原料雰囲気中で成長している、(2)成長先端にらせん構造が見られない、(3)異物質が成長先端にみられない、ことから、Kossel機構による結晶成長様式をとっていると考えられる。
