抄録
ワイドギャップ半導体ダイヤモンドと非鉛強誘電体材料BiFeO3（BFO）を用いた高温動作型FeRAMの実現を目指し、BFO/ダイヤモンド積層構造の作製を試み、高温環境における強誘電特性に関する基礎的検討を行った。MPCVD法を用いて(111)ダイヤモンド単結晶基板上にB添加ダイヤモンド薄膜をホモエピ成長させた。その上にPLD法を用いてPr,Mn同時添加BFO（BPFM）薄膜を堆積した。XRDパターンより、B添加ダイヤモンド層上にBPFMがランダム配向で結晶化している事を確認した。BPFMは室温で良好なP-Eヒステリシスを示し、900kV/cm印加時に2Pr: 90C/cm2および2Ec: 740kV/cmが確認された。また、室温～170℃において、リーク電流の影響の殆ど無い良好な強誘電性を保持出来た。
