放射光による SiC/SiC 複合材料/タングステン接合材の格子ひずみ分布と反応生成物の評価

抄録

　SiC/SiC 複合材料とタングステン（W）との接合材は、将来の実証炉以降の核融合炉におけるダイバータへの応用に検討されている。本稿では、SiC/SiC 複合材料とタングステン（W）との接合材に対して、BL22XU 及び BL14B1 において、それぞれ接合熱処理時に形成される格子ひずみ分布、及び界面近傍の反応生成物を測定・評価した。格子ひずみ分布については、W 及び SiC/SiC 複合材料における格子ひずみ分布と残留応力との明確な相関を確認できず。更なる測定・評価が必要と考えられる。一方で、反応生成物評価については、母材である W や SiC/SiC 複合材と異なる WC-W₂C 相の形成を示す回折ピークが確認された。