スーパーボルマン法による高ドープ Si 結晶の転位評価

抄録

　パワーデバイス半導体用途の Si 単結晶において低比抵抗帯のウェーハ要求が高まる中で、Si 結晶にドーパントを高濃度に添加した Si 単結晶引き上げプロセスにおけるネッキング部の無転位化が課題である。スーパーボルマン効果を利用したトポグラフィー像による転位観察により、ネッキング部の厚さ 5~10 mm の試料を非破壊かつ回折角を利用した立体的な転位挙動の推測を可能とする解析に成功した。これにより、結晶成長条件による転位挙動の違いを捉えることができた。