応用物理学会学術講演会講演予稿集

第63回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の4012件中3051～3100を表示しています

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TEMその場観察を用いたCBRAM 繰り返し抵抗変化時のフィラメント観察

工藤昌輝, 有田正志, 大野裕輝, 高橋庸夫

セッションID: 21a-S422-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3051

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シリコンにおける直接・間接光学遷移の電気的調整

登坂仁一郎, 西口克彦, 藤原聡

セッションID: 21a-S422-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3052

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SdH振動を用いたひずみSi pMOSFETにおける価電子帯有効質量の評価

嶋田絢, 中根了昌, 竹中充, 高木信一

セッションID: 21a-S422-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3053

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温度サイクルを減らした酸化濃縮法による高圧縮ひずみ極薄膜Ge-OI 構造の実現

金佑彊, 竹中充, 高木信一

セッションID: 21a-S422-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3054

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Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)

WENHSIN CHANG, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

セッションID: 21a-S422-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3055

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石英基板上のInGaAs MOSFETの高周波特性

久米英司, 石井裕之, 服部浩之, Chang Wen-Hsin, 小倉睦郎, 前田辰郎

セッションID: 21a-S422-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3056

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サブ10 nmゲート長III-V nMOSFETにおけるソース・ドレイントンネル電流のチャネル電子有効質量依存性

片木慎也, 大森正規, 土屋英昭, 小川真人

セッションID: 21a-S422-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3057

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Distribution of Single-Ion Implanted Dopants in Silicon Investigated by Atom Probe Tomography

TU Yuan, Han Bin, Shimizu Yasuo, Inoue Koji, Yano Maasa, Chiba Yuki, T ...

セッションID: 19a-S224-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3058

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Poly-Si thin film transistor on (100)-dominantly Si film using MLB-CLC with overlapping

Thuy Thi Nguyen, Tatsuaki Hirata, Shin-Ichiro Kuroki

セッションID: 19a-S224-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3059

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Simulation Study for Pulse Switching Probability of ReRAM

Dlamini Mlandeli Ernest, 白澤利隆, 鎌倉良成

セッションID: 19a-S224-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3060

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First-principles study of the impact of inter-dopants interaction on their wavefunctions in downscaled P-B co-doped Si nanorods

Le The Anh, Daniel Moraru, Manoharan Muruganathan, Michiharu Tabe, Hir ...

セッションID: 19a-S224-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3061

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Investigation of Bilayer HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

Atthi Nithi, Shun-ichiro Ohmi

セッションID: 19a-S224-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3062

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Effect of Gate Dielectrics on Trap Density in PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors

Mohamad Insan Nugraha, Hiroyuki Matsui, Roger Hausermann, Satria Zulka ...

セッションID: 19a-S224-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3063

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バイオテンプレート極限加工を用いたInGaN量子ナノディスク

肥後昭男, トーマスセドリック, 李昌勇, 木場隆之, Chen Shula, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 正直花奈 ...

セッションID: 19a-S224-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3064

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Temperature Dependent Operation of Different AlGaAs barrier Matrix and GaAs Quantum Nanodisks LED

Cedric Thomas, Akio Higo, Takayuki Kiba, Yosuke Tamura, Junichi Takaya ...

セッションID: 19a-S224-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3065

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Effect of non-halide lead precursors on CH₃NH₃PbI₃ perovskite for photovoltaic applications

TRILOK SINGH, Tsutomu Miyasaka

セッションID: 19a-S224-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3066

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Synthesis and Solar Cell Application of Structure Controlled ZnO Nanocrystals

孫鶴, 孫麗娜, 杉浦隆, White Matthew, Stadler Philipp, Sariciftci Niyazi, 増原 ...

セッションID: 19a-S224-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3067

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Znカルコゲナイドナノシート超格子の作製と光物性

草加健太, 松石清人

セッションID: 20a-S223-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3068

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X線回折を用いたPbS量子ドット超格子の配列評価技術

藤本智士, 中塚裕斗, 加納朋弥, 向井剛輝

セッションID: 20a-S223-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3069

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表面In(Ga)As量子ドット仕事関数の歪依存性

小林知弘, 高林紘, Zhang Yuwei, 山田郁彦, 神谷格

セッションID: 20a-S223-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3070

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単一InAs 量子リング正孔g 因子の面内異方性と歪・形状異方性

冨永隆宏, 鍜治怜奈, 呉祐年, 巫明帆, 鄭舜仁, 足立智

セッションID: 20a-S223-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3071

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零磁場下における核磁場形成と検出

松崎亮典, 山本壮太, 足立智, 鍜治怜奈

セッションID: 20a-S223-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3072

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Hanle 効果による単一量子ドットの面内核磁場検出

山本壮太, 松崎亮典, 鍜治怜奈, 足立智

セッションID: 20a-S223-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3073

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CaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネル構造の室温微分性抵抗特性

田辺直之, 望月雅人, 須田慶太, 島中智史, 渡辺正裕

セッションID: 20a-S223-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3074

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配位子交換によるPbS量子ドット超格子の電子結合状態の制御

末続文正, 加納朋弥, 丹羽慶輔, 向井剛輝

セッションID: 20p-S223-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3075

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PbS量子ドット位置制御のためのSiナノ・テンプレートの改良

山下洲造, 広田章展, 向井剛輝

セッションID: 20p-S223-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3076

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チャープパルスを用いた量子ドット集合体のロバストな量子制御

青沼直登, 佐藤嘉高, 赤羽浩一, 早瀬潤子

セッションID: 20p-S223-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3077

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Erイオンにおける誘導ラマン断熱通過

濱田裕紀, 俵毅彦, 足立智, アレシュイエナス, 尾身博雄, 後藤秀樹

セッションID: 20p-S223-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3078

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時間分解発光強度相関測定による単一ナノ粒子中の励起子分子オージェ再結合過程の研究

広重直, 井原章之, 金光義彦

セッションID: 20p-S223-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3079

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pnpn構造GaAsにおける電子スピン緩和の時間分解測定

両角篤志, 伊藤哲, 市田正夫, 安藤弘明

セッションID: 20p-S223-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3080

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GaAs/AlGaAs/AlAsタイプIIトンネル双量子井戸のスピン緩和の温度依存性

中山航, 有竹貴紀, Wu Hao, ショウサンウ, 中村芳樹, 武藤俊一, 竹内淳

セッションID: 20p-S223-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3081

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In_0.8Ga_0.2As/Al_0.5Ga_0.5As/AlAs_0.56Sb_0.44結合量子井戸におけるスピン緩和の観測

石川友樹, 牛頭信一郎, 物集照夫, 浅川将輝, 大木俊介, 竹内淳

セッションID: 20p-S223-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3082

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超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器

盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎

セッションID: 21p-S621-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3083

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量子ドット集合体におけるチャープパルスを用いたロバストなフォトンエコー生成

佐藤嘉高, 青沼直登, 赤羽浩一, 早瀬潤子

セッションID: 21p-S621-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3084

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結合共振器から生じる二波長レーザー光の時間的コヒーレンスの評価

北田貴弘, 太田寛人, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎

セッションID: 21p-S621-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3085

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Modulation of Dynamic Nuclear Spin Polarization in Single InAs/GaAs Quantum Dots by Photonic Bandgap Effect

CheeFai Fong, Yasutomo Ota, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa

セッションID: 21p-S621-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3086

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GaAs中の窒素発光中心から発生した光子の量子干渉

張遼, 池沢道男, 佐久間芳樹, 迫田和彰, 舛本泰章

セッションID: 21p-S621-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3087

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ピラー型微細形状を有するQDinFを用いた高純度単一光子状態の生成

村上大輔, 小田島聡, 中島秀郎, 熊野英和, 笹倉弘理

セッションID: 21p-S621-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3088

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電気機械フォノン導波路を用いた周波数多重化演算の可能な論理ゲート素子

畑中大樹, ダラストム, マブーブイムラン, 小野満恒二, 山口浩司

セッションID: 21p-S621-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3089

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表面リセス型電極構造を用いたAlGaN系PIN型UVフォトダイオードの作製および特性評価

岡田真由子, 宮地祐太, 三好実人, 江川孝志

セッションID: 20p-P9-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3090

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GaN自立基板を用いたInAlN/AlN/GaN HEMTのデバイス特性

山下良美, 渡邊一世, 遠藤聡, 笠松章史, 三村高志

セッションID: 20p-P9-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3091

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SiO₂を用いたGaN基板上MOSFETのMg濃度依存性

上野勝典, 高島信也, 稲本拓朗, 松山秀昭, 江戸雅晴, 中川清和

セッションID: 20p-P9-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3092

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プラズマCVD SiO₂/InAlN 界面へのAl₂O₃超薄膜層挿入の効果

清野惇, 長谷崎泰斗, 横田直茂, 赤澤正道

セッションID: 20p-P9-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3093

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Catalyst free direct deposition of multilayer graphene on GaN by solid phase precipitation.

Md Sahab Uddin, Kazuyoshi Ueno

セッションID: 20p-P9-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3094

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InAlN/GaNヘテロ構造のInAlNバリア層における成長速度依存性

浦山雄也, 渡邉新, 江川孝志

セッションID: 20p-P9-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3095

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大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長

中村文彦, 平田祥子, 杉浦浩, 河合弘治

セッションID: 20p-P9-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3096

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n-GaNに水素イオン注入で誘起されたトラップの評価

上田聖悟, 後藤雅浩, 高林洸太, 徳田豊, 塩島謙次, 伊藤成志, 八木孝秀

セッションID: 20p-P9-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3097

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n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動

古賀祐介, 井上凌兵, 中村成志, 奥村次徳

セッションID: 20p-P9-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3098

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CF₄ プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価

中野由崇, 坂井佑輔, 新部正人, 川上烈生

セッションID: 20p-P9-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3099

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光支援電気化学プロセスによるGaN多孔質構造の形成と電極応答特性

張笑逸, 伊藤圭亮, 喜田弘文, 熊崎祐介, 佐藤威友

セッションID: 20p-P9-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3100

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