応用物理学会学術講演会講演予稿集

第63回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の4012件中3001～3050を表示しています

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SCM/NAND Flash Hybrid SSD の構成とエラー訂正強度を考慮した SSD の性能と信頼性とコストの関係解析

瀧下博文, 竹内健

セッションID: 19p-P4-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3001

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プライバシー保護に向けたソリッドステートストレージシステム

前田一輝, 田中丸周平, 山沢裕紀, 竹内健

セッションID: 19p-P4-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3002

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アーカイブ/コールドフラッシュ向け長期保存SSDの高信頼手法

高橋知紀, 山﨑泉樹, 竹内健

セッションID: 19p-P4-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3003

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1.0 Vで動作するReRAM書き込み電圧生成回路の高速化

鶴見洸太, 田中誠大, 石井智也, 竹内健

セッションID: 19p-P4-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3004

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ストア／リストア動作のロバスト性を向上させたMTJ利用不揮発性フリップフロップ回路

宇佐美公良, 工藤優, 平賀啓三, 屋上公二郎

セッションID: 19p-P4-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3005

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UWB-CMOS集積回路を用いた乳がん位置検出技術

中村哲平, 宋航, 河野勇人, 瀬尾裕二, 吉川公麿, アズハリアフリーン

セッションID: 19p-P4-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3006

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多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討

本田拓夢, 米田淳, 武田健太, 川那子高暢, 小寺哲夫, 樽茶清悟, 小田俊理

セッションID: 19p-P4-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3007

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極薄膜SOIを用いた量子ドットデバイスの作製と評価

西野孝夫, 平岡宗一郎, 井原敏, 小寺哲夫, 小田俊理

セッションID: 19p-P4-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3008

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シリコン単電子ポンプのppm レベル高精度動作

山端元音, Giblin Stephen, 片岡真哉, 唐沢毅, 藤原聡

セッションID: 19p-P4-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3009

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極低温下連続マイクロ波照射下での単一量子ドットの電子輸送特性

前川未知瑠, テノリオペルルハイメ, ヘルブスレブエルンスト, 山岡裕, 小寺哲夫, 小田俊理

セッションID: 19p-P4-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3010

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P型Si二重量子ドット内の少数正孔領域でのパウリスピンブロッケードの観測

岩崎一真, 小寺哲夫, 小田俊理

セッションID: 19p-P4-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3011

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高濃度ドーピングしたシリコンを用いた単一量子ドットの正孔輸送特性

山岡裕, 小田俊理, 小寺哲夫

セッションID: 19p-P4-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3012

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Si単電子トランジスタにおけるExcited Stateへの寄生MOSFETの影響

内田貴史, 佐藤光, 福地厚, 有田正志, 藤原聡, 高橋庸夫

セッションID: 19p-P4-13
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3013

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Tunneling-transport operation of selectively-doped dopant-atom transistors up to room temperature

Arup Samanta, Daniel Ioan Moraru, Yuki Takasu, Takeshi Mizuno, Michiha ...

セッションID: 19p-P4-14
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3014

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Effects of phonons and discrete dopants on band-to-band tunneling in two-dimensional Si pn junction diodes

Daniel Ioan Moraru, Hoang Nhat Tan, Ryosuke Unno, Takeshi Mizuno, Mano ...

セッションID: 19p-P4-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3015

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二次元Si系半導体の検証(Ⅲ)：半導体膜厚依存性

長嶺由騎, 小又祐介, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

セッションID: 19p-P4-16
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3016

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パルス光伝導法による酸化膜評価技術の開発

長野聖央, 清水公志郎, 古田正昭, 久保田弘, 橋新剛, 吉岡昌雄, 宮下守也, 泉妻宏治, 前田貴弘

セッションID: 19p-P4-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3017

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界面トラップ数の真の値とばらつき，および従来のチャージポンピング理論による値との比較

土屋敏章

セッションID: 20a-S422-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3018

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電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用

土屋敏章

セッションID: 20a-S422-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3019

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ランダムテレグラフノイズに起因するSRAM誤動作のトランジスタレベル解析

水谷朋子, 更屋拓哉, 竹内潔, 小林正治, 平本俊郎

セッションID: 20a-S422-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3020

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結晶シリコンチャネルFinFETと集積可能な多結晶シリコンチャネルFinFETを用いた高信頼・コンパクトなPUF回路とその評価方法

大内真一, 柳永勛, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一, 小池汎 ...

セッションID: 20a-S422-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3021

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しきい値電圧制御可能な三角チャネルFinFETの作製及び電気特性評価

柳永シュン, 松川貴, 遠藤和彦, 大内真一, 塚田順一, 石川由紀, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 昌 ...

セッションID: 20a-S422-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3022

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FinFETエクステンションへの注入イオン種とGIDLの関係

松川貴, 大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 柳永勛, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植

セッションID: 20a-S422-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3023

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ナノワイヤ型不純物偏析ショットキー接合MOSFETにおけるワイヤ幅縮小効果

遠藤清, 橋本修一郎, 武井康平, ソンセイ, 張旭, 徐泰宇, 麻田修平, 大場俊輔, 松川貴, 昌原明植, 渡邉孝 ...

セッションID: 20a-S422-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3024

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SiおよびGeナノワイヤにおける高電界正孔輸送の解析

田中一, 須田淳, 木本恒暢

セッションID: 20a-S422-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3025

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Geにおける正孔と電子のフォノン周波数に対する影響の違い

株柳翔一, 西村知紀, 矢嶋赳彬, 鳥海明

セッションID: 20a-S422-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3026

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短チャネルMOSFETにおける、低電界移動度の異常劣化について

名取研二

セッションID: 20a-S422-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3027

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高信頼性・低オン抵抗デュアルRESURF Nch-LDMOSの提案

松田順一, 小島潤也, 神山雅貴, 築地伸和, 小林春夫

セッションID: 20a-S422-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3028

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Al₂O₃固定電荷層適用における裏面照射型CMOSイメージセンサ暗電流低減についての検討

上村昌己, 山華雅司, 内藤達也

セッションID: 20a-S422-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3029

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スパッタMoS₂膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上

清水淳一, 大橋匠, 松浦賢太朗, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

セッションID: 20p-S422-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3030

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S/Mo比増加によるMoS₂膜の低キャリア濃度化

大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

セッションID: 20p-S422-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3031

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3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価

高橋正紘, 藤川紗千恵, 藤代博記, 入沢寿史, 富永淳二, 前田辰郎

セッションID: 20p-S422-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3032

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デバイスシミュレーションによる積層型CMOSインバータの構造検討

服部淳一, 福田浩一, 太田裕之, 入沢寿史, 前田辰郎

セッションID: 20p-S422-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3033

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VO₂モットトランジスタのチャネルに形成される特異な界面相

矢嶋赳彬, 西村知紀, 鳥海明

セッションID: 20p-S422-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3034

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SOI-FETにおける強誘電体HfO₂の負性容量を利用した急峻スイッチングの検討：BOX膜厚設計の重要性

太田裕之, 右田真司, 福田浩一, 服部淳一, 鳥海明

セッションID: 20p-S422-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3035

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SS=35μV/decを持つPN-Body tied SOIMOSFETの解析

堀井隆史, 吉田貴大, 蔵本陽介, 井田次郎

セッションID: 20p-S422-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3036

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離散不純物分布がもたらすT u n n e l F E T の特性ばらつきの数値解析

浅井栄大, 右田真司, 服部淳一, 福田浩一, 佐野伸行

セッションID: 20p-S422-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3037

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平行電界型トンネルFETのTCADでの検討

福田浩一, 森田行則, 森貴洋, 水林亘, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之

セッションID: 20p-S422-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3038

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短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与

林文博, 岩田真次郎, 福田浩一, 宮本恭幸

セッションID: 20p-S422-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3039

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金属/Ge接合及びn⁺/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価

山本圭介, 岡本隼人, 王冬, 中島寛

セッションID: 20p-S422-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3040

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GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証

後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

セッションID: 20p-S422-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3041

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高In組成InGaAs量子井戸を用いたInGaAs QW TFETの電気特性における性能評価

安大煥, 竹中充, 高木信一

セッションID: 20p-S422-13
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3042

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変調ドープ構造InGaAsナノワイヤ/SiトンネルFETの作製

冨岡克広, 石坂文哉, 本久順一, 福井孝志

セッションID: 20p-S422-14
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3043

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p型トンネルトランジスタにおけるNBTI劣化の解析

水林亘, 森貴洋, 福田浩一, 石川由紀, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 柳永勛, 大内真一, 塚田順一, 山内 ...

セッションID: 20p-S422-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3044

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短チャネルトンネルトランジスタにおける結合量子ドット的電子輸送とマイクロ波応答

森山悟士, 森貴洋, 大野圭司

セッションID: 20p-S422-16
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3045

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TFETにおけるチャージポンピングとスピン効果

大野圭司, 森貴洋, 森山悟士

セッションID: 20p-S422-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3046

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PDF形式でダウンロード (325K)
Si-TFET中の等価電複合不純物の安定性とトンネル電流特性;第一原理計算に基づく検討

飯塚将太, 浅山佳大, 長澤晶斗, 中山隆史

セッションID: 20p-S422-18
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3047

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第7回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞

遠藤哲郎

セッションID: 21a-S422-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3048

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シリコンスピンMOSFET室温動作の実証

小池勇人, 佐々木智生, 安藤裕一郎, 亀野誠, 田原貴之, 及川亨, 鈴木淑男, 白石誠司

セッションID: 21a-S422-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3049

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スピン量子デバイスに向けた少数電子シリコン量子ドットの研究

堀部浩介, 小寺哲夫, 小田俊理

セッションID: 21a-S422-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3050

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