応用物理学会学術講演会講演予稿集

第63回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の4012件中3101～3150を表示しています

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光電気化学反応を利用したGaN表面の陽極酸化

枝元将彰, 熊崎祐介, 佐藤威友

セッションID: 20p-P9-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3101

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プライマー層を用いたCu/AlN接合界面の密着強度改善

佐藤宏太郎, 安藤大輔, 須藤祐司, 小池淳一

セッションID: 20p-P9-13
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3102

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InAs系PHEMTにおけるAuger再結合

佐藤宇人, 西尾結, 平山尚美, 飯田努, 高梨良文

セッションID: 20p-P9-14
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3103

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SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上

加藤三四郎, 宮下愛理, 藤川紗千恵, 藤代博記

セッションID: 20p-P9-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3104

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Arプラズマエッチングを用いた二段階ゲートリセス構造を持つInGaAs系HEMTの試作とその特性

細谷友崇, 尾辻泰一, 末光哲也

セッションID: 20p-P9-16
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3105

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InGaAsSb/InP DHBTにおけるベースコンタクト抵抗低減化手法

星拓也, 柏尾典秀, 白鳥悠太, 杉山弘樹, 栗島賢二, 井田実, 松崎秀昭

セッションID: 20p-P9-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3106

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高濃度Snドープbeta-Ga₂O₃(-2 0 1)単結晶の温度特性の検討

大石敏之, 嘉数誠

セッションID: 20p-P9-18
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3107

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高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案

大石敏之, 河野直士, 嘉数誠

セッションID: 20p-P9-19
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3108

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ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製

河野直士, 大石敏之, 嘉数誠

セッションID: 20p-P9-20
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3109

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GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析II -表面キンクサイト周辺のH₂O終端構造-

稲垣耕司, Pho Van Bui, 礒橋藍, 藤大雪, 森川良忠, 山内和人

セッションID: 20p-P9-21
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3110

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人工知能融合超高速化量子分子動力学法の開発と化合物半導体プロセスへの応用

石澤由紀江, 稲葉賢二, 小原幸子, 佐藤絵美, 佐藤愛美, 宮野正之, ボノーパトリック, 三浦隆治, 鈴木愛, 宮本 ...

セッションID: 20p-P9-22
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3111

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自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討

林賢太郎, 太田博, 金田直樹, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 三島友義, 中村徹

セッションID: 21a-W541-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3112

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自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2) －－表面処理の影響－－

永縄萌, 青木俊親, 三島友義, 塩島謙次

セッションID: 21a-W541-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3113

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Au/p形ダイヤモンドショットキー接触の変位電流 - p形GaNショットキー接触との比較 -

塩島謙次, 青木俊周, 寺地徳之, 小出康夫

セッションID: 21a-W541-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3114

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Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)

新郷正人, 伊藤尊史, 柏木行康, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 斉藤大志, 松川公洋, 藤原康文, 塩島謙次

セッションID: 21a-W541-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3115

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ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価

今立宏美, 寺野昭久, 塩島謙次

セッションID: 21a-W541-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3116

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フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価

折茂力都, 大西健太, 中村成志, 奥村次徳

セッションID: 21a-W541-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3117

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ホモエピタキシャル成長低ドープn型GaNの深さ方向ドナー密度分布解析における深い準位の影響

須田淳, 堀田昌宏, 前田拓也, 澤田直暉, 木本恒暢

セッションID: 21a-W541-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3118

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過渡容量測定によるホモエピタキシャル成長n型GaNの深い準位密度のウェハ面内マッピング評価

堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 上杉勉, 須田淳

セッションID: 21a-W541-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3119

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GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS評価

塩島謙次, 田中丈士, 三島友義, 徳田豊

セッションID: 21a-W541-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3120

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高N_t/N_d比のMOCVD n-GaNの一定容量DLTS測定

上田聖悟, 宮本一輝, 徳田豊

セッションID: 21a-W541-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3121

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GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける転位と深い準位の関連性評価

間瀬駿, 浦山雄也, 江川孝志

セッションID: 21a-W541-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3122

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逆バイアス電圧印加n型GaNショットキーバリアダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したサブバンドギャップ光吸収による光電流

前田拓也, 岡田政也, 上野昌紀, 山本喜之, 堀田昌宏, 須田淳

セッションID: 21a-W541-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3123

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AlGaN/GaN HEMT オフ耐圧とEL発光との相関

吉田知司, 大井慎太郎, 山崎泰誠, Asubar Joel, 徳田博邦, 葛原正明

セッションID: 21p-W541-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3124

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スパッタ成膜したアルミナ系絶縁膜/AlGaN界面のTEM観察

野崎幹人, 淺原亮平, 伊藤丈予, 渡邉健太, 山田高寛, 中澤敏志, 按田義治, 石田昌宏, 上田哲三, 細井卓治, ...

セッションID: 21p-W541-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3125

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AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるSiO₂/AlON積層ゲート絶縁膜の検討

渡邉健太, 淺原亮平, 伊藤丈予, 野崎幹人, 山田高寛, 中澤敏志, 按田義治, 石田昌宏, 上田哲三, 細井卓治, ...

セッションID: 21p-W541-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3126

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AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS-HFETにおける基板バイアス効果

久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

セッションID: 21p-W541-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3127

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トレンチ構造をもつGaN縦型MOSFETの特性評価

篠倉暁希, 徳田博邦, 江戸雅晴, 上野勝典, 葛原正明

セッションID: 21p-W541-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3128

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Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流のAlGaN緩衝層Al組成依存性

山岡優哉, 伊藤和宏, 生方映徳, 矢野良樹, 田渕俊也, 松本功, 江川孝志

セッションID: 21p-W541-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3129

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ノーマリオフ GaN HEMTのダイオード動作における耐圧および容量特性

加藤直樹, 永井昂哉, 成田智隆, 長田大和, 上村隆一郎, 伊東健治, 分島彰男, 江川孝

セッションID: 21p-W541-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3130

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自立GaN基板上イオン注入MISFETのノーマリーオフ動作

菅又滉大, 金田直樹, 三島友義, 中村徹

セッションID: 21p-W541-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3131

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銅板平坦化によるAlGaN/GaN 転写HEMTの放熱性の改善

廣木正伸, 熊倉一英, 山本秀樹

セッションID: 21p-W541-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3132

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カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの1,000 Vスイッチング特性

八木修一, 平田祥子, 神山祐輔, 中村文彦, 斉藤武尊, 河合弘治

セッションID: 21p-W541-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3133

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高誘電率絶縁膜を用いたFP電極を有する縦型GaNダイオード

吉野理貴, 堀切文正, 太田博, 山本康博, 三島友義, 中村徹

セッションID: 21p-W541-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3134

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Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価

山條翔二, 尹翔至, 梁剣波, 渡邉則之, 重川直輝

セッションID: 21p-W541-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3135

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放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-HfO₂/AlGaN界面の評価

久保俊晴, 西野剛介, 江川孝志

セッションID: 22a-W541-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3136

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AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明

武井優典, 下田智裕, 高橋昌靖, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

セッションID: 22a-W541-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3137

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Fe層を挿入したTiN電極とpGaNの電流電圧特性

池内勇太, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

セッションID: 22a-W541-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3138

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低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価

山田高寛, 伊藤丈予, 淺原亮平, 渡邉健太, 野崎幹人, 中澤敏志, 按田義治, 石田昌宏, 上田哲三, 吉越章隆, ...

セッションID: 22a-W541-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3139

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GaN表面熱酸化処理によるMOS界面特性の向上

山田高寛, 伊藤丈予, 淺原亮平, 渡邉健太, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

セッションID: 22a-W541-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3140

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高温アニールプロセスがGaN MOSFET特性に与える影響

西口賢弥, 橋詰保

セッションID: 22a-W541-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3141

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Al₂O₃あるいはAlTiOゲート絶縁膜を用いたInAlN-GaN金属/絶縁体/半導体構造における絶縁体/半導体界面固定電荷

山口槙也, 宇井利昌, 長谷川貴大

セッションID: 22a-W541-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3142

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高圧水蒸気処理を施したSiO2/GaN縦型MOSキャパシタの電気的特性評価

冨永雄太, 上野勝典, 吉嗣晃冶, 多田雄貴, 石河泰明, 浦岡行治

セッションID: 22a-W541-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3143

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中性粒子ビームエッチングによるAlGaN/GaN HEMTの素子間リーク電流抑制効果

邉見ふゆみ, Thomas Cedric, Lai Yi-Chun, 肥後昭男, Guo Alex, Warnock Shireen, ...

セッションID: 22a-W541-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3144

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酸化・還元反応場を同一基板上に形成した金属/GaN光触媒薄膜

渦巻裕也, 小野陽子, 小川重男, 谷保芳孝, 熊倉一英, 小松武志

セッションID: 22a-W541-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3145

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原子拡散接合で作製されたPIN-ダイオードの電気特性

山田友輝, 魚本幸, 島津武仁, 名田允洋, 松崎秀昭

セッションID: 22p-W541-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3146

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蒸着SiO_x膜を用いたf_T = 300GHz超InSb-HEMTの作製

辻大介, 磯野恭佑, 竹鶴達哉, 藤川紗千恵, 渡邊一世, 山下良美, 遠藤聡, 原紳介, 笠松章史, 藤代博記

セッションID: 22p-W541-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3147

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50 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの雑音特性

渡邊一世, 遠藤聡, 三村高志, 笠松章史

セッションID: 22p-W541-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3148

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f_t > 500 GHz を有するメタルサブコレクタInP/InGaAsSb DHBT

白鳥悠太, 星拓也, 柏尾典秀, 栗島賢二, 日暮栄治, 松崎秀昭

セッションID: 22p-W541-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3149

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再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作

木下治紀, 木瀬信和, 祢津誠晃, 金澤徹, 宮本恭幸

セッションID: 22p-W541-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3150

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