応用物理学会学術講演会講演予稿集

第63回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の4012件中3451～3500を表示しています

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ScAlMgO₄基板上のGaN薄膜の構造安定性に関する理論的検討

中根晴信, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

セッションID: 21a-H121-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3451

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ScAlMgO₄基板上へのGaN薄膜成長における不純物混入の抑制

矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

セッションID: 21a-H121-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3452

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310nm帯紫外LED用Ga₂O₃（-201）基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長

森島嘉克, 平山秀樹, 飯塚和幸, 山崎進一, 西村良男, 山腰茂伸

セッションID: 21a-H121-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3453

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赤外反射分光によるGaN薄膜の電子特性深さ分解評価手法

上條隆明, 坂本裕則, 馬蓓, 森田健, 石谷善博

セッションID: 21p-H121-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3454

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GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析

岩堀友洋, 野町健太郎, 大木健輔, 馬蓓, 森田健, 石谷善博

セッションID: 21p-H121-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3455

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高次励起子準位を用いたGaNにおける励起子の励起・脱励起ダイナミクス解析

竹内和真, 大泉尚之, 馬蓓, 森田健, 石谷善博, 三宅秀人, 平松和政

セッションID: 21p-H121-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3456

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AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギーー混晶障壁層の組成比依存性ー

和泉平, 福地駿平, 中村豪仁, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一

セッションID: 21p-H121-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3457

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90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

セッションID: 21p-H121-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3458

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深紫外AlGaN MQW発光層の放射再結合効率の大幅向上

大橋隆宏, 白岩佳子, 鳥羽隆一

セッションID: 21p-H121-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3459

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深紫外AlGaN MQW発光層のCL強度マップ温度依存性

大橋隆宏, 白岩佳子, 鳥羽隆一

セッションID: 21p-H121-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3460

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組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

南琢人, 小島一信, 繁太坂井, 秩父重英, 山口敦史

セッションID: 21p-H121-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3461

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微傾斜(0001)サファイア基板上に作製したAlGaN量子細線構造における輻射再結合過程の増強

早川峰洋, 林佑樹, 市川修平, 船戸充, 川上養一

セッションID: 21p-H121-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3462

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AlGaN多重量子井戸成長におけるAlNバッファ層の効果

藤田直宏, 三宅秀人, 平松和政

セッションID: 21p-H121-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3463

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m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成長とドーピング及び量子井戸発光特性

大島一晟, 定昌史, 前田哲利, 鎌田憲彦, 平山秀樹

セッションID: 21p-H121-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3464

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無極性m面AlGaN/GaN量子井戸サブバンド間吸収の温度特性

小谷晃央, 有田宗貴, 荒川泰彦

セッションID: 21p-H121-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3465

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AlGaN成長用表面窒化α-(AlGa)₂O₃基板の極微構造評価と熱的安定性評価

武馬輝, 増田直, 荒木努, 名西憓之, 織田真也, 人羅俊実

セッションID: 21p-H121-13
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3466

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アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性

袴田淳哉, 草深敏匡, 千賀崇史, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 三宅秀人, 赤崎勇

セッションID: 21p-H121-14
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3467

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AlGaN多重量子井戸構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性

千賀崇史, 永田訓章, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇

セッションID: 21p-H121-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3468

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AlGaN Deep UV LEDの光取り出し効率向上の検討

丹羽紀隆, 稲津哲彦, 一ノ倉啓慈, ペルノシリル, 友澤秀征, 石黒永孝, 縄田晃史, 須崎泰正, 本田善央, 天野浩

セッションID: 21p-H121-16
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3469

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窒化物半導体HFET型光センサの温度特性

牛田彩希, 吉川陽, 山本雄磨, 奥村俊紀, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤﨑勇

セッションID: 21p-H121-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3470

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(0001)面AlGaN/AlNヘテロ構造におけるすべり系と格子緩和モデル

市川修平, 船戸充, 川上養一

セッションID: 22a-H121-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3471

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AlGaN系ヘテロ構造における格子不整転位の導入箇所制御

市川修平, 熊本恭介, 船戸充, 川上養一

セッションID: 22a-H121-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3472

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その場観察技術を用いたMOVPE法で作製するAlGaN/GaNヘテロ構造の観察

大角純也, 金山亮介, 髙西徹, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇

セッションID: 22a-H121-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3473

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AlN成長のための空気中アニールによるc面サファイアの原子ステップ形成

玉置真哉, 鈴木周平, 三宅秀人, 平松和政

セッションID: 22a-H121-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3474

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Structural quality of AlN epilayer grown on atomic layer deposition (ALD)-Al₂O₃/ sapphire substrate

RYAN BANAL, Masataka Imura, Koide Yasuo

セッションID: 22a-H121-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3475

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歪補償AlN/AlGaN障壁層による橙色InGaN系LEDの発光特性

飯田大輔, 芦深, 平原颯太, 丹羽一将, 上山智, 大川和宏

セッションID: 22a-H121-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3476

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無極性m面AlN基板上へのAlNの流量変調エピタキシ

西中淳一, 谷保芳孝, 赤坂哲也, 熊倉一英

セッションID: 22a-H121-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3477

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r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層成長温度依存性

林家弘, 三宅秀人, 平松和政

セッションID: 22a-H121-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3478

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Growth and characterization of inversion domain reduced semipolar (10\overline{1}3) GaN grown on Si (001) substrate

Hojun Lee, Siyoung Bae, Kaddour Lekhal, Akira Tamura, Manato Deki, Yos ...

セッションID: 22a-H121-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3479

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MOVPE法による窒素極性(000-1)面InN/GaNダブルヘテロ構造の作製

赤坂哲也, 林家弘, 山本秀樹, 熊倉一英

セッションID: 22a-H121-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3480

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r面サファイア基板上a面GaInN量子井戸構造に関する検討

新實輝行, 神野大樹, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇

セッションID: 22a-H121-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3481

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硬X線光電子分光法によるSiN/AlGaN界面評価

田中政幸, 清井明, 本谷司, 倉橋健一郎

セッションID: 22a-P6-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3482

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強制振動子法による窒化物混晶の格子振動解析（Ⅱ）

南部卓也, 大八木晋, Md.Sherajul Islam, 橋本明弘

セッションID: 22a-P6-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3483

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4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長

戸松侑輝, 道幸雄真, 石丸大樹, 橋本明弘

セッションID: 22a-P6-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3484

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WS₂/h-AlNヘテロ構造の電子状態

太田優一

セッションID: 22a-P6-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3485

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pin-GaN ダイオードを用いたα線検出特性評価

有川卓弥, 杉浦睦仁, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

セッションID: 22a-P6-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3486

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MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討

中村匠, 矢野雄大, 上山浩平, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

セッションID: 22a-P6-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3487

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GaN-MOVPE両極性同時成長における原料拡散に関する検討

大隅紀之, 八木裕隆, 久瀬健太, 井上翼, 中野貴之

セッションID: 22a-P6-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3488

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立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討

黒岩宏紀, 武井優典, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

セッションID: 22a-P6-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3489

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NH₃分解触媒援用MOVPE成長In_xGa_1-xN(x~0.35)のMgドーピング挙動

山本高勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

セッションID: 22a-P6-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3490

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MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性

石井健一, 八木修平, 矢口裕之

セッションID: 22a-P6-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3491

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MOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における外部量子効率のwell厚依存性

堤達哉, 加畑智基, 森拓磨, 三好実人, 江川孝志

セッションID: 22a-P6-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3492

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MOSトランジスタ及び発光素子の一貫形成に向けたSi / SiO₂ / GaN / Sapphire 構造の熱耐性に関する調査

宇都宮脩, 立原佳樹, 土山和晃, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

セッションID: 22a-P6-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3493

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イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製

上月誠也, 土山和晃, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

セッションID: 22a-P6-13
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3494

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Highly Efficient AlGaN-Based DUV LED by Introducing of Two Stages n-AlGaN Buffer Layer

Noritoshi Maeda, Tran Tinh, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

セッションID: 22a-P6-14
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3495

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Pico-second Laser epitaxy for GaN regrowth

Romualdo Alejandro Ferreyra, Tomohiro Kazumoto, Hideki Matsumura, Asam ...

セッションID: 22a-P6-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3496

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GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析

関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二

セッションID: 22a-P6-16
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3497

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反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN膜の構造変化と密着性

野間正男, 山下満, 江利口浩二, 長谷川繁彦

セッションID: 22a-P6-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3498

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縦型バッチ炉でのLP HVPE GaNエピタキシャル成長

梅澤好太

セッションID: 22a-P6-18
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3499

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RF-MBEを用いたSi基板上への窒化物半導体の成長

小柴俊, 竹口諒, 平城大輝, 石原健也, 久保文寿, 藤田寛子, 森下和博, 田中康弘, 高橋尚志, 鶴町徳昭, 金 ...

セッションID: 22a-P6-19
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3500

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