ICパッケージリードのウィスカ発生防止技術の開発を目的に，適切なリードフレーム（以下フレーム）材料の選定を実施し，室温で長期間保持しても，錫–銅（Sn–Cu）めっき膜から全くウィスカの発生しない銅（Cu）フレーム材料が存在することを突き止めた。また，同じ条件で作製したSn–Cuめっき膜からのウィスカ発生挙動が著しく異なる2種類の市販Cuフレーム材料を対象に，電子顕微鏡法・後方散乱電子回折像測定による微細組織解析，X線回折によるめっき膜応力実測，有限要素法および分子動力学を用いた計算など，材料科学的な種々の手法を駆使し，ウィスカ発生有無–リード微細組織–めっき膜の内部応力–Sn拡散挙動の相関を明らかにした。本論文は，以上の結果に新しいデータと考察を加え，ウィスカの発生・抑制機構を総合的に解明した。
