エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
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13 巻, 2 号
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巻頭言
特集／パラダイムシフトを支える環境調和型実装技術
研究論文・総合論文
  • 携帯電話開発のための統合シミュレーション環境の構築
    佐相 秀幸, 岩渕 敦, 天野 文雄, 山澤 昌夫, 石原 昇, 益 一哉
    原稿種別: 研究論文
    2010 年 13 巻 2 号 p. 134-144
    発行日: 2010/03/01
    公開日: 2010/12/20
    DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.13.134
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    携帯電話開発時シミュレーション環境は，これまでは開発の効率化にはほとんど寄与していない状況であったが，今回われわれは上流段階で電気系，機械系，熱系の設計解析を統合的にシミュレーションできる環境を構築し，設計・開発期間の短縮を実現した。提案構成では電気系CADと機構系CADを統合するため共通モデルライブラリ，解析用ライブラリなどを整備して装置モデリング精度改善とモデリング時間短縮を両立させることに成功，アンテナ特性解析，EMI対策，圧迫耐力，熱解析などの項目について，検証期間を従来比それぞれ15%，38%，27%，40%削減，全携帯電話開発工程を18カ月から10カ月に短縮した。
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  • Sn–Cuめっきリードの室温におけるウィスカ発生・抑制機構
    加藤 隆彦, 赤星 晴夫, 中村 真人, 寺崎 健, 岩崎 富生, 橋本 知明, 西村 朝雄
    原稿種別: 総合論文
    2010 年 13 巻 2 号 p. 145-155
    発行日: 2010/03/01
    公開日: 2010/12/20
    DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.13.145
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    ICパッケージリードのウィスカ発生防止技術の開発を目的に，適切なリードフレーム（以下フレーム）材料の選定を実施し，室温で長期間保持しても，錫–銅（Sn–Cu）めっき膜から全くウィスカの発生しない銅（Cu）フレーム材料が存在することを突き止めた。また，同じ条件で作製したSn–Cuめっき膜からのウィスカ発生挙動が著しく異なる2種類の市販Cuフレーム材料を対象に，電子顕微鏡法・後方散乱電子回折像測定による微細組織解析，X線回折によるめっき膜応力実測，有限要素法および分子動力学を用いた計算など，材料科学的な種々の手法を駆使し，ウィスカ発生有無–リード微細組織–めっき膜の内部応力–Sn拡散挙動の相関を明らかにした。本論文は，以上の結果に新しいデータと考察を加え，ウィスカの発生・抑制機構を総合的に解明した。
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講座「ちょっとMEMS」第18回（最終回）
研究室訪問
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