2011 年 14 巻 1 号 p. 45-54
実装応力に起因した半導体デバイスの電気特性変動について,応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによる評価を行った。その際,ゲート長さが異なる3種類(ゲート長さ:24 μm,0.8 μm,85 nm)のnMOSFETに対して,デバイス内部の微細構造に起因する応力分布の影響を考慮した。DC特性値の変動をシミュレーションした結果,デバイス内部の応力分布を考慮した場合の変動率の方が,公称応力値(チップ表面の応力値)に対する変動率よりも小さくなった。デバイスの微細構造に起因するチャネル領域の残留応力が,デバイスの電気特性に有意な影響を及ぼすことを示した。