エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
研究論文
実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション:デバイス内部の応力分布の影響評価
吉田 圭佑小金丸 正明池田 徹宮崎 則幸友景 肇
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2011 年 14 巻 1 号 p. 45-54

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抄録

実装応力に起因した半導体デバイスの電気特性変動について,応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによる評価を行った。その際,ゲート長さが異なる3種類(ゲート長さ:24 μm,0.8 μm,85 nm)のnMOSFETに対して,デバイス内部の微細構造に起因する応力分布の影響を考慮した。DC特性値の変動をシミュレーションした結果,デバイス内部の応力分布を考慮した場合の変動率の方が,公称応力値(チップ表面の応力値)に対する変動率よりも小さくなった。デバイスの微細構造に起因するチャネル領域の残留応力が,デバイスの電気特性に有意な影響を及ぼすことを示した。

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© 2011 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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