素材（純銅）に下地としてNiめっき，最表面にAuめっきを施した試料に対して耐食性試験を実施し，耐食性に及ぼすNiめっき条件の影響をめっき浴種および電流密度を変化させて研究した。耐食性試験前後の試料は，X線光電子分光（XPS），電子線マイクロアナリシス（EPMA）および集束イオンビーム／走査型イオン顕微鏡（FIB/SIM）により分析を実施した。それらの解析から，Niめっきをスルファミン酸浴よりワット浴で作製した場合に耐食性が優れており，ワット浴より形成されたNiめっきの結晶子サイズは，スルファミン酸浴より小さいことが確認された。また，表面の腐食物の主成分は，EPMAの結果および標準生成自由エネルギ値（ΔGf°）から，硫酸イオンを含むNiおよびCuの化合物と考えられ，Niめっき条件に影響されないことが認められた。
