抄録
われわれは，HASTにおけるFR-4製プリント配線板のデンドライトの成長過程を調べることにより電気化学的移動 (ECM) メカニズムを提案した。ToF-SIMSより電極間のソルダーレジスト (SR) 上部領域に銅が存在することが判明した。われわれは，SRからのアウトガス量は，TG-GCMSよりSR内に形成された微小空間の体積と一致すると推測した。これらはECMメカニズムと関連性がある。すなわち，デンドライトはSRの微小空間内で形成され，他の微小空間と集合し，三次元的にデンドライトが成長する。SR内の銅イオンと塩素イオンの移動時間は水溶液中の移動時間の約10万分の1であることも見出した。
