プリント配線板の銅配線の低温酸化による電気抵抗の挙動と酸化皮膜成長機構の解析

抄録

われわれは，PCBの大気中150°Cの酸化処理を行い銅配線の電気抵抗が0–100 h間で2箇所の傾斜変化点(0.25, 8 h)を確認した。そこで，スパッタにてPt膜を銅上に形成し，そのPt膜を境界として成長する酸化皮膜の形成過程をSTEMとAESで調査を行った。2箇所の傾斜変化点間（0–0.25 h, 0.25–8 h間）は酸化処理時間に対して直線回帰しており，時間経過とともに酸化皮膜の成長速度の変化が影響していた。また，0–8 h間の酸化皮膜の主構造がCu₂Oで，100 h以降はCu₂Oの最表層に薄いCuOが形成され始めていることがわかった。