データセンタ向け光サブアセンブリの高速化のため，ハイメサ構造を有するEMLと電気信号の反射を抑制した高速の電気インタフェース技術を開発した。EMLは従来構造に対して13 GHzの広帯域化を図り，約48 GHzの電気通過帯域を実証した。また，電気インタフェース部であるPCBとFPCの接続部において，50 GHzの帯域で12 dB以下の反射に抑制することに成功した。これら技術を適用した43 Gb/s EML光サブアセンブリを試作，評価した結果マスクマージン11%以上の良好な光波形を得ることができた。さらに，4つのEMLを1つのパッケージ内に集積した424 Gb/s EML光サブアセンブリを試作，評価した結果，全レーンにおいてTECQ 2.5 dB以下の良好な光波形品質を得ることに成功した。
