データセンタ向け光サブアセンブリの高速化のため,ハイメサ構造を有するEMLと電気信号の反射を抑制した高速の電気インタフェース技術を開発した。EMLは従来構造に対して13 GHzの広帯域化を図り,約48 GHzの電気通過帯域を実証した。また,電気インタフェース部であるPCBとFPCの接続部において,50 GHzの帯域で12 dB以下の反射に抑制することに成功した。これら技術を適用した43 Gb/s EML光サブアセンブリを試作,評価した結果マスクマージン11%以上の良好な光波形を得ることができた。さらに,4つのEMLを1つのパッケージ内に集積した424 Gb/s EML光サブアセンブリを試作,評価した結果,全レーンにおいてTECQ 2.5 dB以下の良好な光波形品質を得ることに成功した。
パワーモジュールのはんだ接合部エレクトロマイグレーション(EM)は,潜在的な信頼性問題と認識されている。本論文では,Cu/Ni-P/Sn-0.7Cu/Ni-P/Cu接合部の交流に対するEM基本現象(条件:175°C,50 A/mm2)を明らかにする。交流における反転電流の影響を観察するため,直流電流を96時間毎と48時間毎に反転させた。直流のEMではNi-P層が変性したPリッチ層が成長し,そこにボイドが生じて断線に至る。交流のEMでは,電流方向に応じて,Ni原子はNi-P層から可逆的にEM拡散し,Pリッチ層厚を増減させ,結果的に成長を抑制した。さらに,短周期のほうがPリッチ層の成長を抑制した。
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