高耐圧SiC ショットキーバリアダイオードモジュールを適用した高周波高電圧電源

抄録

直流高電圧電源は高周波交流をインバータで生成し，後段のトランスやCockcroft-Walton (CW) 回路で昇圧を行う方式が一般的である。インバータの高周波化により，CW回路のコンデンサ容量の低減ができ，電源の小型化が期待できる。CW回路に用いる高耐圧ダイオードは素子を直列接続した超高耐圧のSiCモジュールの開発により，300 kHz以上の高周波動作が可能となり，素子の直列数による耐圧設計が可能となった。一方で，直列数と導通損失は比例するため，高耐圧化の限界もある。本稿では出力電圧を得るためのダイオード素子の直列数をCW回路の段数設計と合わせて検討することで，電源の性能向上に有効な構成を明らかにした。