エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
Print ISSN : 1343-9677
ISSN-L : 1343-9677
低熱抵抗パワー半導体パッケージの評価のために開発した過渡熱抵抗測定システムの性能評価
福永 崇平舟木 剛
著者情報
ジャーナル 認証あり 早期公開

論文ID: JIEP-D-25-00058

詳細
抄録

大電力容量パワエレ機器の小型軽量化,およびその長期間動作の信頼性担保のため,パワーモジュールの放熱設計が重要である。著者らは過去の研究において,ハードウェアおよびソフトウェアの統合設計により,低熱抵抗パワーモジュールの評価に適した過渡熱抵抗測定システムを開発した。本論文では,低熱抵抗パワーモジュールに用いられるモジュール基板を用いて,開発システムの性能および結果の妥当性を確認する。SiC MOSFETを実装した2種類のモジュール基板サンプルそれぞれの放熱性能を,開発システムを用いた実験および数値シミュレーションで得られた過渡熱回路で評価・比較し,開発システムの有効性を確認した。

著者関連情報
© 2025 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
次の記事
feedback
Top