抄録
シリコン基板や酸化物単結晶基板上に目的とする酸化物のエピタキシャル成長を実現させるためにバッファー層の導入は必要不可欠である。しかし、バッファー層の選択には結晶構造、構成元素、組成、膜厚および格子のミスマッチ等種々の要因を加味して決定する必要がある。これは、バッファー層の選択によって目的とする酸化物を結晶化させたり、特定の結晶方位に配向を変化させることができるためである。さらに、バッファー層の導入により低温結晶化が実現したり、陽イオンの拡散バリアとして機能させることができる。本発表ではこれらのバッファー層の役割について明らかにする。
