応用物理学会学術講演会講演予稿集

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CaMoO₄ のカルコゲン気相処理による Mo カルコゲナイド超薄膜の作製と物性

内藤樹, 横倉聖也, 長浜太郎, 島田敏宏

セッションID: 24a-E102-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3001

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Synthesis of relatively small-diameter WS₂ nanotubes by sulfurization of poly(ethylene glycol) treated thin tungsten oxide nanowires

MD ASHIQUR RAHMAN, Yohei Yomogida, Mai Nagano, Ryoga Tanaka, Kazuhiro ...

セッションID: 24a-E102-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3002

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酸化タングステンナノワイヤ上に自己制限成長した単層二硫化タングステンナノリボン

鈴木弘朗, 岸淵美咲, 落合奏也, 劉崢, 宮田耕充, 林靖彦

セッションID: 24a-E102-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3003

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バルクCaSi₂への準安定相導入による熱電出力因子増大

寺田吏, 石部貴史, Nguyen Tien Quang, 佐藤和則, 中村芳明

セッションID: 25a-E102-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3004

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Caインターカレーションを用いたバックリング構造変調シリセンの創製とその熱電特性

小島幹央, 寺田吏, 石部貴史, 成瀬延康, 小林英一, 中村芳明

セッションID: 25a-E102-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3005

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磁性層間化合物Fe_0.33NbS₂における反強磁性相転移と電流磁気効果

YE Yuanxin, 小矢野幹夫, 宮田全展

セッションID: 25a-E102-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3006

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イオンゲートによるCr₃Te₄の磁性変調

梶原駿, 松岡秀樹, 王越, 中野匡規, 岩佐義宏

セッションID: 25a-E102-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3007

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ヒ素系層状IV-V族化合物の作製

加々美朱羽, 鈴木裕一郎, 浦上法之, 橋本佳男

セッションID: 25a-E102-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3008

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(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討

藤田柊理, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

セッションID: 23p-P12-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3009

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β-Ga₂O₃(-201)表面における Ni 吸着構造の STM 観察

竹本利々子, 岡田有史, 角野広平

セッションID: 23p-P12-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3010

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r面sapphire基板上にMBE成長したp型a面ZnO:N薄膜

萩原綱隆, 入江航次, 後藤憲應, 畑和輝, 阿部友紀, 市野邦男, 赤岩和明

セッションID: 23p-P12-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3011

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スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長（Ⅱ）

三澤亮太, 木村日向, 吉田圭佑, 篠田宏之, 六倉信喜

セッションID: 23p-P12-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3012

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スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(III)

木村日向, 三澤亮太, 吉田圭佑, 篠田宏之, 六倉信喜

セッションID: 23p-P12-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3013

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スピネル構造MgX₂O₄(X = Al,Ga,In)混晶のバンドエンジニアリング

太田優一, 金子健太郎, 尾沼猛儀, 藤田静雄

セッションID: 23p-P12-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3014

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p型窒素ドープSnO_xにおけるホール生成の起源

渡辺幸太郎, 川口拓真, 一関夢希也, 相川慎也

セッションID: 23p-P12-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3015

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窒素雰囲気スパッタリングおよびアニールしたSnO_x薄膜の部分的窒化の影響

川口拓真, 渡辺幸太郎, 一関夢希也, 相川慎也

セッションID: 23p-P12-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3016

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Hole移動度向上に向けたSnOx薄膜上へのCYTOP塗布

熊本勇紀, 渡辺幸太郎, 相川慎也

セッションID: 23p-P12-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3017

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スピンコートを用いた有機金属分解法により作製したTa，Nb，Ba，Sb添加SnO₂薄膜の構造・電気・光学特性

澤畠淳二

セッションID: 23p-P12-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3018

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低蛍光強度の透明導電膜の形成

守護理高, 清水麻希, 土方泰斗, 相川慎也, 森峻

セッションID: 23p-P12-11
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3019

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Cu添加Cu₂O粉末ターゲットを用いた配向Cu₂O薄膜の作製

吉田朱里, 鬼塚遼平, 近藤和, 山田容士, 舩木修平, 葉文昌

セッションID: 23p-P12-12
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3020

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低抵抗ZnO透明導電膜向けZn-O₂混合プラズマ中のZnO分子のOES観察

佐藤直幸, キュゾビックティホミール, 米村海翔, 藤田黎輔

セッションID: 23p-P12-13
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3021

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In₂O₃系TFTを用いたCO₂ガス検知

野寺歩夢, 森峻, 大榮海斗, 相川慎也

セッションID: 23p-P12-14
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3022

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Ga 添加酸化亜鉛薄膜特性へのガンマ線照射効果

山本哲也, Catalin Martin, Valentin Craciun, 牧野久雄

セッションID: 25a-E202-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3023

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PEDOT:PSS/ZnO ナノロッド/GZO ヘテロ接合素子のヒステリシスと UV 光検出特性

寺迫智昭, 矢木正和, 山本哲也

セッションID: 25a-E202-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3024

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MgをドープしたZnO薄膜の電子親和力

塚原悠斗, 太宰卓朗, ボロウィアックアレックス, 鯉沼秀臣, 高橋竜太

セッションID: 25a-E202-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3025

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Peak shift and Temperature effects in ZnO nanoparticle-based solution-processed LEDs

RAJ DEEP, Islam Mohammad Shafiqul, Akazawa Takuma, Toshiyuki Yoshida, ...

セッションID: 25a-E202-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3026

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ミストCVDによるZnOナノ粒子分散(Ga,Al)₂O₃薄膜の作製

矢ケ崎司, 奈良俊宏, 田中京輔, 伊藤里樹, 光野徹也, 小南裕子, 原和彦

セッションID: 25a-E202-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3027

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酸化タングステン薄膜のエピタキシャル製膜とガス応答特性

安達裕, 鈴木拓

セッションID: 25a-E202-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3028

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水素化In₂O₃(In₂O₃:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響

曲勇作, 片岡大樹, 古田守, 葉文昌

セッションID: 25a-E202-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3029

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熱電能電界変調法によるInGaO₃(ZnO)_m薄膜トランジスタの有効チャネル厚さ解析

藤本卓嗣, 太田裕道

セッションID: 25a-E202-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3030

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LaZrO/InO電気二重層トランジスタの電気的特性とパラメータ解析

中澤弘実, 石井博, 高村禅

セッションID: 25a-E202-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3031

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Off-current reduction of InSnZnO_x thin film transistors by Ga-addition

Hui Yang, Xiqing Zhang

セッションID: 25p-E202-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3032

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ポジ型ダイレクトパターニングプロセスを用いた塗布電極の開発

田中秀平, 宮川幹司, 辻博史, 武井達哉, 中田充

セッションID: 25p-E202-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3033

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ITZO TFTを用いた撮像デバイス用信号増幅型画素アレイの試作

今村弘毅, 堺俊克, 薬師寺秀典, 橋本雄太, 青竹達也, 貞光雄一, 佐藤弘人, 相原聡

セッションID: 25p-E202-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3034

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Low-temperature activation mechanism in Hydrogen-doped In-Ga-Zn-O films for flexible device applications

Rostislav Velichko, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

セッションID: 25p-E202-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3035

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Study of bottom-gate top-contact source-gated transistor for performance enhancement through device simulation

Pongsakorn Sihapitak, Juan Paolo Soria Bermundo, Yukiharu Uraoka

セッションID: 25p-E202-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3036

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Fermi Level Prediction of Solution-processed Ultra-wide Bandgap Amorphous Gallium Oxide via Supervised Machine Learning Models

Diki Purnawati, Paul Rossener Regonia, Juan Paolo Bermundo, Kazushi Ik ...

セッションID: 25p-E202-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3037

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Effect of Aging Time and Fuel Content in Silicon-Tin-Oxide Thin Films Fabricated by Solution Combustion Synthesis

CandellGrace Paredes Quino, Juan Paolo Bermundo, Mutsunori Uenuma, Yuk ...

セッションID: 25p-E202-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3038

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紫外レーザーアニールによるポリマー基板上β-Ga₂O₃高配向膜の作製

甲斐稜也, 渡邉一樹, 大賀友瑛, 金子智, 松田晃史, 吉本護

セッションID: 25p-E202-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3039

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β-Ga₂O₃単結晶へき開シード層を用いたポリマー基板上ZnO薄膜のエピタキシャル成長

大賀友瑛, 宮﨑尚, 金子智, 松田晃史, 吉本護

セッションID: 25p-E202-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3040

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Line-Shaped Surface Defect−Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope

Sayleap Sdoeung, Islam Chaman, Satoshi Masuya, Kohei Sasaki, Akito Kur ...

セッションID: 25p-E202-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3041

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EFG成長 (010)β-Ga₂O₃結晶中のナノパイプの三次元形状

西河巴賀, 塚越真悠子, 後藤健, 村上尚, 熊谷義直, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二

セッションID: 25p-E202-11
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3042

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m 面サファイア上α-Ga₂O₃におけるキャリア輸送特性と転位による影響

高根倫史, 泉宏和, 若松岳, 田中勝久, 金子健太郎

セッションID: 25p-E202-12
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3043

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出発原料にIn₂O₃パウダーおよびIn(acac)₃を用いたMist CVD法によるα-In₂O₃成長と電気的特性評価

田口義士, 金子健太郎, 藤田静雄, 尾沼猛儀, 本田徹, 山口智広

セッションID: 25p-E202-13
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3044

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ミストCVD法を用いた NiO 成長における成長温度の影響

上野暢路, 池之上卓己, 三宅正男, 平藤哲司

セッションID: 25p-E202-14
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3045

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AlN基板上への酸化スズ系深紫外透明導電膜の作製

長島陽, 廣瀬靖, 土井雅人, 福本通孝, 長谷川哲也

セッションID: 25p-E202-15
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3046

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ミストCVD法によるTiO₂膜のマイクロキャビティ内へのコンフォーマル形成

横山工純, ファルクホサイン, 白井肇

セッションID: 26a-E202-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3047

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岩塩構造MgZnO/MgO界面におけるバンドアライメント解析

松田真樹, 小川広太郎, 太田優一, 山口智広, 金子健太郎, 藤田静雄, 本田徹, 尾沼猛儀

セッションID: 26a-E202-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3048

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ミストCVD成長した岩塩構造MgZnO薄膜の室温真空紫外線発光

小川広太郎, 高坂亘, 日下皓也, 芹澤和泉, 金子健太郎, 山口智広, 藤田静雄, 本田徹, 尾沼猛儀

セッションID: 26a-E202-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3049

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時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価

高坂亘, 小川広太郎, 日下皓也, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

セッションID: 26a-E202-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3050

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