GaN,AlN,InN等の窒化物半導体とZnOの(0001)面と無極性面での
エピタキシャル成長
過程の初期過程を,基板に付着した原子の感じるポテンシャル等高線図(Potential Energy Surface)を第一原理計算で求めることで解明した理論研究を紹介する.具体的にはGaN (0001),ZnO (0001),GaN (1120),ZnO (1120),GaN (1010),ZnO (1010),GaN/sapphire (0001),AlN/sapphire (0001),InN/sapphire (0001),ZnO/sapphire (0001),GaN/SiC (0001),ZnO/SiC (0001),ZnO/SiC (0001)を扱い,GaNではGa過剰の条件がよいことや,無極性面で
エピタキシャル成長
した表面上に筋が見えることなどが示された.また,サファイア(0001)基板上に
エピタキシャル成長
させた場合の面方位や極性制御についても,第一原理計算から有益な知見を得ることができた.
抄録全体を表示