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再乳化形粉末樹脂を用いたポリマーセメントモルタルの
電気抵抗率
に及ぼす調合因子と材齢の影響

荒木裕人, 福井拓也, 神田利之, 齋藤俊克

セメント・コンクリート論文集
2022年 76 巻 1 号 461-467
発行日: 2023/03/31
公開日: 2023/03/31

DOI https://doi.org/10.14250/cement.76.461

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本研究では、再乳化形粉末樹脂および細骨材の種類、ポリマーセメント比並びに細骨材セメント比を変化させて製造したポリマーセメントモルタル（PCM）の材齢182dまでの
電気抵抗率
に及ぼす調合因子および材齢の影響について検討している。その結果、PCMの
電気抵抗率
は材齢の経過に伴い増大するが、材齢91dから182dにかけて、本研究で提案した見掛け保水率はほぼ一定値を示している。その材齢182dにおけるPCMの
電気抵抗率
は、一部のものを除きポリマー無混入のものよりも大きく、ポリマーセメント比および細骨材セメント比の増加に伴い増大する。また、ポリマーおよび細骨材の種類も
電気抵抗率
の影響因子であるが、細骨材セメント比ほどの影響は認められない。

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Fe-Cu合金における電子線照射効果の反応速度論によるモデル計算

*飛田徹, 鬼沢邦雄, 鈴木雅秀, 岩瀬彰宏, 蕪木英雄, 板倉充洋

日本原子力学会　年会・大会予稿集
2005年 2005s 巻 E54
発行日: 2005年
公開日: 2005/05/24

DOI https://doi.org/10.11561/aesj.2005s.0.422.0

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電子線照射に伴うFe-Cuモデル合金の
電気抵抗率
の変化を、反応速度論に基づく欠陥挙動のモデル計算コードによりシミュレートした。Fe-Cu合金の電気抵抗測定により、欠陥数と
電気抵抗率
変化およびCu数と
電気抵抗率
変化の関係を求めた。この関係を用いて、室温におけるFe-Cu合金の電子線照射試験の結果について実験値と計算値との比較を行った。実験値、計算値とも照射速度が遅いと
電気抵抗率
の低下が少ない照射量で生じるという傾向が一致した。
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先進W合金の
電気抵抗率
変化に及ぼす中性子照射効果

*福田誠, 野上修平, 長谷川晃

日本原子力学会　年会・大会予稿集
2011年 2011f 巻 H05
発行日: 2011年
公開日: 2011/10/19

DOI https://doi.org/10.11561/aesj.2011f.0.723.0

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タングステン(W)は、高融点、高熱伝導率、高いスパッタリング耐性を有しており、核融合炉のダイバータ及び第一壁のアーマー材として有力な候補材料の1つである。近年、Wの高温強度向上と再結晶化温度上昇を目的として、微細結晶粒組織や、粒子分散組織を有する複数の先進W合金が開発された。本研究では純Wと3種類の先進W合金(Ultra-Fine Grained (UFG) W-TiC、LaドープW、KドープW)の
電気抵抗率
に着目し、それぞれの先進W合金特有の組織が及ぼす
電気抵抗率
への影響を評価し、
電気抵抗率
の変化機構について考察を行った。また原子炉中で中性子照射を行い、
電気抵抗率
に及ぼす中性子照射効果についても調査を行った。
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コンクリートの
電気抵抗率
と塩化物イオンの見掛けの拡散係数との関係に関する基礎的研究

皆川浩, 久田真, 榎原彩野, 齊藤佑貴, 市川聖芳, 井上浩男

土木学会論文集Ｅ
2010年 66 巻 1 号 119-131
発行日: 2010年
公開日: 2010/03/19

DOI https://doi.org/10.2208/jsceje.66.119

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　コンクリートの
電気抵抗率
は，測定方法が簡便・短時間・非破壊であること，および，塩化物イオンの浸透性の支配的要因であるコンクリートの空隙構造を間接的に評価できることから，塩分浸透性の評価指標として着目されてきた．しかし，
電気抵抗率
と塩分浸透性の評価指標である塩化物イオンの見掛けの拡散係数の関連性については整理が不十分であり，定量的な関係式は十分に把握されていない．本研究では，結合材の種類，水結合材比および骨材量が
電気抵抗率
及び塩化物イオンの見掛けの拡散係数に及ぼす影響を整理し，コンクリートの
電気抵抗率
と塩化物イオン拡散係数の関連性について検討した．また，Nernst-Planck式等から
電気抵抗率
と拡散係数の関係式を導出し，
電気抵抗率
から塩化物イオンの見掛けの拡散係数を定量的に推計する方法を検討した．
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LaSe₂の単結晶育成と圧力下
電気抵抗率

戎修二, 清水弥, 国慶, 宮崎正範

日本物理学会講演概要集
2016年 71.2 巻 15aPS-85
発行日: 2016年
公開日: 2017/12/05

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2148

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近年再び、層状構造を有するカルコゲナイド超伝導体が注目を集めている。今回LaSe2のフラックス法による単結晶育成を行い、
電気抵抗率
について調べた。常圧下では半導体的な挙動を示す
電気抵抗率
が、0.5 GPaの高圧印加時には金属的に変化することを見出した。また、200-250 K付近ではCDW転移によると推測される
電気抵抗率
のブロードピークも観測した。単結晶表面のEDX分析結果等と併せて報告する。

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透明導電性SnO₂薄膜における同原子価元素ドーピングの効果

*渡辺貴博, 保坂誠, 松田晃史, 三橋雅彦, 吉本護

日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム講演予稿集
2007年 2007F 巻 1P18
発行日: 2007年
公開日: 2008/10/02

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2007F.0.250.0

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SnO₂は化学的に安定で可視光線に対し高い透過率有し、比較的低い
電気抵抗率
を持っている。このためSnO₂は、Sn⁴⁺と異なる原子価を持つSb等の元素をドープすることによりキャリア濃度を高くして
電気抵抗率
をさらに低下させることができる。このようなSnO2薄膜は現在、太陽電池の透明電極として用いられている。一方、本研究ではSn⁴⁺と同じ4価のGe^４＋・Ti^４＋・Zr^４＋・Si^４＋をドープすることによる
電気抵抗率
・光透過率への影響を調べた。またこれらの薄膜をアニールすることにより
電気抵抗率
・光透過率へどのような影響を与えるか調べた。
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セメント系硬化体の
電気抵抗率
とその影響因子に関する検討

菊地道生, 金沢貴良, 斎藤豪, 佐伯竜彦

セメント・コンクリート論文集
2012年 66 巻 1 号 189-196
発行日: 2013/02/25
公開日: 2013/12/02

DOI https://doi.org/10.14250/cement.66.189

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セメント系硬化体の
電気抵抗率
は、電気化学的非破壊検査の精度や電気化学的補修工法の効果に影響を及ぼす。このため、硬化体
電気抵抗率
を定量的に評価する手法が必要とされているが、その現象メカニズムや影響因子に着目し検討を行った研究例は少ない。そこで本研究では、電気化学的理論に基づく硬化体
電気抵抗率
と各影響因子の関係式に、実験より定量した各影響因子を用い硬化体
電気抵抗率
の推定を行った。その結果、硬化体
電気抵抗率
の測定値と推定値の差がイオン強度と強い相関を示したことなどから、両者の差は細孔溶液中イオンと細孔表面間における電気化学的現象に起因していると推察された。
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NiFe₂O₄ マイクロスポンジにおけるエチレングリコール吸脱着過程の
電気抵抗率
測定と熱分析による観察

*鈴木崇弘, 中山忠親, 鈴木常生, 末松久幸, 新原晧一

日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム講演予稿集
2007年 2007F 巻 2F21
発行日: 2007年
公開日: 2008/10/02

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2007F.0.403.0

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NiFe2O4に有機物を塗布することで温度-
電気抵抗率
の傾きが変化するという現象を発見した。これまでに、このような現象を発見した事例は無い。
電気抵抗率
の傾きの変化を用いて有機物を検知するためのセンサーとして使えるのではないかと考えている。この
電気抵抗率
の傾き変化の原因の一つとして、有機物の吸着脱離反応が挙げられる。そこで、有機物の反応などを確かめるときに熱重量-質量分析器を用いて有機物の反応及び脱着過程について考察を行った。
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抵抗スポット溶接における被溶接材の電気抵抗におよぼす材料の高温特性の影響

*村上翼, 鈴木実平, 川上博士, 尾崎仁志

溶接学会全国大会講演概要
2011年 2011f 巻 116
発行日: 2011年
公開日: 2011/11/09

DOI https://doi.org/10.14920/jwstaikai.2011f.0.16.0

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抵抗スポット溶接中の被溶接材の電気抵抗は、材料の
電気抵抗率
の温度依存性によって変化するばかりではなく、板材間の接触状態の変化にも影響される。本研究ではSPCC鋼およびSUS304鋼の強度および
電気抵抗率
を実験的に明らかにし、抵抗スポット溶接性との関連を検討した。
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配線の低
電気抵抗率
化と高信頼化

*木村康裕, 坂真澄

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
2013年 27 巻 15A-15
発行日: 2013年
公開日: 2018/07/27

DOI https://doi.org/10.11486/ejisso.27.0_284

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配線の高信頼化のための影響因子として
電気抵抗率
に着目し、その影響メカニズムをマイグレーションの観点から調査した。
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TaS₂の熱電物性の圧力効果

松本絋祐, 佐藤晴紀, 大沼翔馬, 荒木遼太, 加瀬直樹, 中野智仁, 武田直也

日本物理学会講演概要集
2016年 71.2 巻 15pPSB-33
発行日: 2016年
公開日: 2017/12/05

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2244

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1T-TaS_2_は層状構造を持つ物質であり、降温に伴い2段階のCDW転移を起こす。また圧力、Cu挿入、TaのFe置換、SのSe置換により低温で超伝導が発現することが報告されている。1T-TaS_2_における超伝導発現前後の電子状態を詳細に調べるために、1T-TaS_2_の圧力下ゼーベック係数、
電気抵抗率
の同時測定を行った。当日は、1T-TaS_2_のゼーベック係数と
電気抵抗率
の圧力効果を発表する。

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土木学会規準「四電極法による断面修復材の体積抵抗率測定方法（案）（JSCE-K 562-2008）」の制定

コンクリート委員会・規準関連小委員会

土木学会論文集Ｅ
2008年 64 巻 3 号 427-434
発行日: 2008年
公開日: 2008/07/22

DOI https://doi.org/10.2208/jsceje.64.427

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高分子添加による純水の抵抗率の時間的特性

*日野雄太, 高村紀充, 荒岡信隆, 大坪拓矢, 梅﨑寛人, 花井正広

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
2017年 2017 巻 02-2A-09
発行日: 2017/09/19
公開日: 2019/06/29

DOI https://doi.org/10.11527/jceeek.2017.0_255

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純水を液体絶縁材料として使用するためには不純物やイオン溶解による
電気抵抗率
の低下を防ぐ必要がある。著者らは、界面活性効果を持つ高分子材料を純水に添加することにより、高分子材料がイオンを捕らえてイオンの移動を遅くし、
電気抵抗率
の低下を防ぐことができると考え、実験を行ってきた。過去の実験では、非イオン性高分子であるポリエチレングリコールを純水に添加することで、純水に比べ抵抗率を高く保つことができることを報告した。本稿では、数種の界面活性効果を持つ非イオン性高分子材料を純水に添加し、それぞれの抵抗率の経時変化を調査した。

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四極子自由度による重い電子系PrV₂Al₂₀の多極子転移点以上における2チャンネル近藤効果

辻本真規, 酒井明人, 松本洋介, 中辻知

日本物理学会講演概要集
2017年 72.1 巻 19pH11-6
発行日: 2017年
公開日: 2018/04/19

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2284

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PrV2Al20は非磁性基底状態をもち、かつ混成が強い系であり、四極子近藤効果の研究に適している。これまで多極子転移点の高温側で
電気抵抗率
・磁化率・比熱に異常な状態が見られており、四極子近藤効果が現れている可能性が指摘されているが、まだ確立はされていない。そこで磁場中の
電気抵抗率
・磁化率・比熱の測定結果を四極子近藤効果の理論的研究と比較したので、本講演でその結果を示す。

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テトラへドライトCu_12-xM_xSb₄S₁₃(M = Ge, Sn, x≦0.6) の金属－半導体転移と熱電物性

小坂康文, 末國晃一郎, 高畠敏郎, 太田道広

日本物理学会講演概要集
2017年 72.1 巻 18pS-PS-23
発行日: 2017年
公開日: 2018/04/19

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2263

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金属-半導体転移を85Kで示すCu12Sb4S13のCuをM=GeとSnで置換して、相転移と熱電物性の変化を調べた。x≦0.6での試料を作製し、
電気抵抗率
、ゼーベック係数、熱伝導率、磁化率を測定した。xの増加によって相転移温度は変わらないが、磁化率の減少幅が小さくなり、
電気抵抗率
は増大し、熱伝導率は減少した。その結果、無次元熱電性能指数ZTは、x=0.3-0.4で測定温度上限の665Kにおいて0.6に達した。

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銀を分散させたCaMnO₃複合体の作製と電気特性

*田口秀樹, 久木俊尚, 廣田健

日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム講演予稿集
2010年 2010S 巻 2B02
発行日: 2010年
公開日: 2010/04/05

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2010S.0.2B02.0

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CaMnO₃は斜方晶系のペロブスカイト型構造をとり、ｎ型半導体である。室温での
電気抵抗率
は約0.01Ω·mであり、ゼーベック係数は大きな値を示すことが報告されている。本研究では、CaMnO₃の各粒子の間にAgを分散させた複合体を作製し、
電気抵抗率
の測定を行った。XRDの測定より、いずれの複合体にもCaMnO₃とAgが共存することを確認した。Agの添加量が増加するにしたがって、各温度での
電気抵抗率
は減少していることがわかった。Ag/CaMnO₃のモル比が0.0～0.6の範囲では、いずれも半導体であり、log ρ-1000/Tの傾きに大きな違いは認められなかった。ところが、Ag/CaMnO₃のモル比が0.8の複合体では、金属的な伝導体であることがわかった。
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DLC膜の合成と絶縁性・耐熱性評価

*吉村光司, 赤坂大樹, 大竹尚登

精密工学会学術講演会講演論文集
2013年 2013S 巻 K03
発行日: 2013/02/27
公開日: 2013/08/27

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2013S.0.663.0

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DLC膜は、高硬度、低摩擦係数、耐食性等の優れた特性を有し様々な機械部材に応用されている。一方，１０７～１０１４Ω・ｃｍの高
電気抵抗率
を示すことから，半導体内のSiO2にかわる絶縁材料としても期待されている。本研究では、プラズマCVD法およびFCVA法で成膜したDLC膜の
電気抵抗率
を2端子法により，耐熱性を電気炉による加熱試験により検討し，合成方法および合成条件がDLC膜の絶縁性と耐熱性にどのような影響を及ぼすかを明らかにした。
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キュービックアンビルセルを用いた強磁性体CeAgAl₃の電気抵抗測定

郷地順, 目黒凌平, 佐瀬芳行, 広瀬雄介, 摂待力生, 上床美也

日本物理学会講演概要集
2017年 72.1 巻 19pL21-2
発行日: 2017年
公開日: 2018/04/19

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2306

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CeAgAl3はPbSbO2Cl型の結晶構造を持ち、約3 Kで強磁性転移する。最近、この物質の単結晶育成が成功し圧力下での測定が行われた。その結果、高圧で強磁性とは異なる磁気構造の変化があることが示唆されている。今回我々は、より低温高圧下における
電気抵抗率
測定を行い、より詳細な情報を得ることを目的とした。講演ではキュービックアンビルセルを用いた極低温、高圧下での
電気抵抗率
測定の測定結果について議論を行う予定である。

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熱電材料SnSeにおける元素置換を利用したバンド構造とキャリア密度の制御

坂本拓也, 酒井英明, 片山敬介, 村川寛, 花咲徳亮

日本物理学会講演概要集
2017年 72.1 巻 18pS-PS-19
発行日: 2017年
公開日: 2018/04/19

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2259

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近年、単結晶SnSeが高いゼーベック係数と極めて低い熱伝導率をもつ高性能なp型熱電変換材料であることが判明した。一方SnSeの
電気抵抗率
に改善の余地があることから、更なる最適化が見込める。そこで本研究では、
電気抵抗率
の改善を目指し、ブリッジマン結晶育成装置を用いてSeサイトの一部をTeに置換しバンド構造の制御を試みた。また、I(ヨウ素)置換によるキャリア密度の制御も試み、それぞれにおける熱電特性の変化について報告する。

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Pr₂Ba₄Cu₇O_15-δ酸化物の高圧酸素下での状態図と超伝導特性

岩田直樹, 芳志戸諭, 佐藤知可子, 伊藤沙織, 石川文洋, 大村彩子, 山田裕, 松下明行

日本物理学会講演概要集
2017年 72.1 巻 18aK-PS-47
発行日: 2017年
公開日: 2018/04/19

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2123

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Pr_2_Ba_4_Cu_7_O_15-δ_ (Pr247) 酸化物は酸素還元することにより、15 K 付近で超伝導転移が発現する。しかし、Pr247 が存在する温度-酸素圧領域は非常に狭く単相試料の合成は困難であった。今回、温度と酸素圧を制御し、Pr247 の単相領域を明らかにした。また、異なる条件で合成された Pr247 に還元処理を行い、
電気抵抗率
を測定したところ常圧ではいずれの還元試料でもゼロ抵抗が見られなかった。そこで、圧力下での
電気抵抗率
を測定し超伝導特性に与える影響を調べる。

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