三次元実装用貫通電極の高速めっき技術

抄録

電解銅めっきによるViaの貫通電極形成技術は，三次元実装技術のキープロセスである。本研究では，めっき時間の短縮を目的として開発した新コンセプトめっき装置を用いることにより，10 μm，アスペクト比7.0の貫通電極にCuを完全に埋め込むためのめっき時間を，従来法に比べ最大約60%低減できるめっきプロセスを開発した。得られたCu貫通電極の微細構造および抵抗率は従来法のそれとほぼ同等であることがわかった。