エレクトロニクス実装学会誌
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無電解Ni/Au処理基板へのSn-AgおよびSn-Ag-CuはんだボールのBGA接合性比較
杉崎 敬佐野 明寿中尾 英弘福田 豊木村 隆
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2002 年 5 巻 3 号 p. 272-277

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抄録

Sn-3.5AgおよびSn-3.5Ag-0.75Cuの無鉛はんだボールの無電解ニッケル/置換金処理基板へのBGA接合性を比較検討した。加熱式シングルバンププル方式によって, はんだボールプル強度を測定した結果, Sn-3.5Ag-0.75Cuのプル強度はSn-3.5Agに比べ高い強度であることがわかった。はんだ接合界面をEPMAにて解析したところ, 接合界面にはリンの濃縮層が形成されており, Sn-3.5Ag-0.75Cuの濃縮層はSn-3.5Agに比べ薄かった。接合界面で形成されるリンの濃縮層は接合強度を低下させると考えられているが, Sn-3.5Ag-0.75Cuはんだでは含有する銅が接合界面で (Cu, Ni) 6Sn5の化合物を形成することにより, ニッケルのはんだ側への拡散を妨げ, リンの濃縮は比較的少なくなった。その結果, リンの濃縮層の形成が抑制され, Sn-3.5Ag-0.75Cuは比較的高い接合強度を維持することができると思われる。

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© 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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