応用物理学会学術講演会講演予稿集

第69回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の3127件中2351～2400を表示しています

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【授賞式】第13回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞

遠藤和彦

セッションID: 23p-E307-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2351

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自己ジュール加熱金属ナノシートアレイによる微量な多分子の低消費電力ガスセンシング

田中貴久, 田渕健太, 舘洞康平, 椎木陽介, 中川修哉, 高橋綱己, 清水涼太, 石黒仁揮, 黒田忠広, 柳田剛, 内 ...

セッションID: 23p-E307-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2352

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界面準位を考慮したSiC MOS反転層におけるHall移動度の理論解析

田中一, 森伸也

セッションID: 23p-E307-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2353

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Ferroelectric properties of room-temperature sputter-deposited AlScN films

TSAI Sung-Lin, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之

セッションID: 23p-E307-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2354

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ULVR-SRAMを用いたニューラルネットワークアクセラレータの性能

塩津勇作, 菅原聡

セッションID: 23p-E307-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2355

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超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ

矢野広気, 塩津勇作, 山本修一郎, 菅原聡

セッションID: 23p-E307-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2356

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Estimation of Minimum Operating Voltage in FDSOI SRAM Using Gamma Distribution

Hongkuan Yu, Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masahar ...

セッションID: 23p-E307-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2357

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単一デバイスを用いたMOSFETの寄生抵抗抽出法

竹内潔, 水谷朋子, 更屋拓哉, 小林正治, 平本俊郎

セッションID: 23p-E307-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2358

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バイポーラトランジスタの動作に関する新仮説ートランジスタ光動説ー

岡本研正, 岡本賢一郎, 森下和功

セッションID: 23p-E307-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2359

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表面ラフネス散乱に対してロバストな極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計

隅田圭, 陳家驄, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一

セッションID: 23p-E307-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2360

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Analysis of Width-Dependent Drain Current Variability in Extremely Narrow GAA Silicon Nanowire MOSFETs

Zihao Liu, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Toshiro ...

セッションID: 23p-E307-11
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2361

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シリコンナノワイヤトランジスタ特性の室温および低温におけるナノワイヤ幅依存性

山中勇人, 水谷朋子, 更屋拓哉, 小林正治, 平本俊郎

セッションID: 23p-E307-12
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2362

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極低温200 nm SOI-FETで発生するサブスレッショルド領域における電流振動現象

杉井辰吉, 森貴之, 岡博史, 森貴洋, 井田次郎

セッションID: 23p-E307-13
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2363

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極低温におけるバルクMOSFETランダムばらつきに対するパーコレーションパスの影響

水谷朋子, 竹内潔, 更屋拓哉, 岡博史, 森貴洋, 小林正治, 平本俊郎

セッションID: 23p-E307-14
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2364

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極低温動作MOSFETにおけるDIBL-likeなId-Vg特性の原因

稲葉工, 浅井栄大, 福田浩一, 岡博史, 森貴洋

セッションID: 23p-E307-15
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2365

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Substrate Impurity Concentration Dependence of Sub-threshold Swing of Si n-channel MOSFETs at Cryogenic Temperature

Minsoo Kang, Hiroshi Oka, Takahiro Mori, Mitsuru Takenaka, Kasidit Top ...

セッションID: 23p-E307-16
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2366

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極低温（4K）におけるMOS容量評価手法の開発

宮尾知寿, 田中貴久, 内田建

セッションID: 23p-E307-17
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2367

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MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (1) -両性準位のDOS-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

セッションID: 23p-E307-18
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2368

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MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (2) -アクセプタ型準位-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

セッションID: 23p-E307-19
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2369

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MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (3) -ドナー型準位-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

セッションID: 23p-E307-20
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2370

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HfO₂系強誘電体における分極反転ダイナミクスの膜厚依存性

沢辺慶起, 更屋拓哉, 平本俊郎, 小林正治

セッションID: 24p-E105-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2371

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新電解めっき技術による添加剤フリーの微細配線形成

岩津春生

セッションID: 25p-E307-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2372

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新電解めっき技術による電気二重層の電位シミュレーション

松島章, 岩津春生

セッションID: 25p-E307-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2373

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新電解めっき技術による静電界下のイオン還元反応

佐藤翔大, 安田美菜子, 岩津春生, 橋新剛

セッションID: 25p-E307-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2374

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次世代ULSI配線材料CuAl₂のTDDB信頼性に及ぼす組成の影響

久家俊洋, 小池淳一

セッションID: 25p-E307-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2375

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ヨウ化銅(Ⅰ)を原料とする選択LPCVD法によるCuの成長機構

豊田絃人, 菊池ひかり, 山内智, 布瀬暁志, 久保田雄介

セッションID: 25p-E307-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2376

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LSI多層配線単層バリア材料としてのCo-63at%Nb合金の可能性

山田裕貴, 矢作政隆, 小池淳一

セッションID: 25p-E307-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2377

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Fabrication and Characterization of Ultrahigh Strength Ni-TiO₂ Composite Coatings Electroplated with Supercritical Carbon Dioxide Emulsified Electrolyte

Chien Yuan, Chen Chun-Yi, 曽根正人, Chang Tso-Fu Mark

セッションID: 25p-E307-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2378

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High Strength Electrodeposited Ni-B alloys and Their Thermal Stability

Jiang Yiming, Chen Chun-Yi, Luo Xun, 山根大輔, 曾根正人, Chang Tso-Fu Mark

セッションID: 25p-E307-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2379

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密度汎関数法によるCu(II)アセチルアセトナートの Cu(111)表面への吸着に関する検討

Wu Yuxuan, 佐藤登, 山口潤, 出浦桃子, 百瀬健, 霜垣幸浩

セッションID: 25p-E307-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2380

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極薄PVD-Co(W)膜の銅拡散バリア特性評価に適用したタイムラグ法の改良

DENG Yubin, 出浦桃子, 百瀬健, 松尾明, 山口述夫, 霜垣幸浩

セッションID: 25p-E307-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2381

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HMDS-CVDによるTSV絶縁層の低温形成技術の検討

田中文悟, 大西青葉, 番場崚太郎, 木野久志, 福島誉史, 田中徹

セッションID: 25p-E307-11
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2382

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貴金属触媒を用いた湿式選択SiエッチングにおけるHF-H₂O₂濃度比の効果

村田恭輔, 依岡拓也, 白岩直哉, 伊藤健, 新宮原正三, 清水智弘

セッションID: 25p-E307-12
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2383

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高濃度オゾンガスによる直接接合技術の開発

三浦敏徳, 花倉満, 村井一彦

セッションID: 25p-E307-13
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2384

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FOWLPによるフォトバイオモジュレーション用FHEデバイスの開発

星匡朗, 小田島輩, 煤孫祐樹, 荒山俊亮, 木野久志, 田中徹, 福島誉史

セッションID: 25p-E307-14
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2385

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アセンブリによるSmart Skin Display用フレキシブル基板貫通配線の形成と評価

荒山俊亮, 煤孫祐樹, 小田島輩, 星匡朗, 木野久志, 田中徹, 福島誉史

セッションID: 25p-E307-15
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2386

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p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(ΔE_V)の評価

菅原大暉, 劉龍, 鄭源宰, 小柳陽平, 北村研太, 渡辺正裕

セッションID: 22p-P02-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2387

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InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射素子の研究（II）

高木善之, 長谷川尊之, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦

セッションID: 22p-P02-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2388

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Terahertz quantum cascade lasers approaching room-temperature operation: Design by non-equilibrium Green’s functions and the experiments

WANG LI, Tsung-Tse LIN, Thomas Grange, Stefan Birner, Ke Wang, Hideki ...

セッションID: 22p-P02-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2389

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連結ボトル光機械共振器における結合振動モードの観測

浅野元紀, 山口浩司, 岡本創

セッションID: 23p-D316-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2390

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Er³⁺:Y₂SiO₅結晶上における表面弾性波の生成

太田竜一, 徐学俊, 稲葉智宏, 眞田治樹, 石澤淳, 俵毅彦, 小栗克弥, 山口浩司, 岡本創

セッションID: 23p-D316-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2391

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Strong internal mode coupling effect in doubly clamped MEMS beam resonators through the fifth order Duffing nonlinearity

牛天野, 邱博奇, 長井奈緒美, 張亜, 平川一彦

セッションID: 23p-D316-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2392

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半導体二重障壁へテロ構造熱電子放出冷却構造中の電子温度

朱翔宇, べスコンマーク, バスタードジェラルド, 長井奈緒美, 平川一彦

セッションID: 23p-D316-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2393

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Niナノ接合におけるエレクトロマイグレーションの格子温度依存性

Yue Tian, 杜少卿, 平川一彦

セッションID: 23p-D316-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2394

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ナノギャップ電極と結合したPbS量子ドットにおける電気伝導特性

柴田憲治, 齋藤光貴, 大塚朋廣

セッションID: 23p-D316-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2395

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光パルスペアで励起された超高速過渡現象のテラヘルツ波放射特性

長谷川尊之, 小島磨, 金大貴

セッションID: 23p-D316-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2396

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多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの光電流特性の励起光強度依存性

海津利行, 北田貴弘, 南康夫, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修

セッションID: 23p-D316-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2397

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Sb₂Te₃の結晶制御によるスピンポンピング効果

諸田美砂子, 齊藤雄太, 内田紀行

セッションID: 23p-D316-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2398

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Fabrication of MoS₂ nanoribbon by direct transfer for in-situ TEM observation

Chen Limi, Liu Chunmeng, Liu Fayong, Afsal Kareekunnan, Muruganathan M ...

セッションID: 23p-D316-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2399

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コアシェル型ペロブスカイト半導体ナノ粒子の作製と光学特性

武藤紘揮, 松石清人

セッションID: 23p-D316-11
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2400

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