応用物理学会学術講演会講演予稿集

第68回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の3074件中2601～2650を表示しています

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フォノン・励起子・輻射モデルによる励起子発光速度の決定機構の解析

地崎匡哉, 大木健輔, 石谷善博

セッションID: 17p-Z27-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2601

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2次元フォトニック結晶ナノ共振器の輻射場によるGaN中Euイオンの発光遷移確率の増大

岩谷孟学, 村上雅人, 市川修平, 舘林潤, 藤原康文

セッションID: 17p-Z27-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2602

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半極性(20-21)GaNテンプレート上へのEu添加GaN成長による赤色発光の増大と発光線幅の先鋭化

竹尾敦志, 市川修平, 館林潤, 藤原康文

セッションID: 17p-Z27-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2603

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格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

セッションID: 17p-Z27-10
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2604

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分光エリプソメトリーを用いたAl_1-xIn_xN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討

豊田隼大, 村上裕人, 宮田梨乃, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也

セッションID: 17p-Z27-11
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2605

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高SiドープGaN薄膜の断面ラマン分光測定

馬ベイ, 湯明川, 森田健, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博

セッションID: 17p-Z27-12
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2606

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低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

セッションID: 17p-Z27-13
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2607

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Optical Properties of GaN/AlN Quantum-Dot-Bullseye UV Single Photon Emitters

SIJIA XIA, Tomoyuki Aoki, Kang Gao, Munetaka Arita, Yasuhiko Arakawa, ...

セッションID: 17p-Z27-14
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2608

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グラフェン/r面サファイア上でのGaN核生成の成長温度依存性

丹羽和希, 深見健司, 野々垣誠望, 加藤雄騎人, 上田悠貴, 丸山隆浩, 成塚重弥

セッションID: 18a-Z27-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2609

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多結晶Si基板上へのGaN系LEDの形成と白色発光

谷口真悟, 薛後耀, 齋藤宇, 齋藤翼, 佐藤祐一

セッションID: 18a-Z27-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2610

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GaNテンプレート基板のためのSi基板上無極性面AlN結晶成長の作製条件の検討

森田雅也, 石橋啓二, 高橋健一郎, 知京豊裕, 小椋厚志, 長田貴弘

セッションID: 18a-Z27-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2611

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GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化

横山晴香, 山口智広, 佐々木拓生, 大野颯一朗, 木口賢紀, 比留川大輝, 藤川誠司, 高橋正光, 尾沼猛儀, 本田徹

セッションID: 18a-Z27-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2612

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GaN系ナノコラムにおけるn-GaN平坦層がInGaN/AlGaN MQWs発光層に与える影響

山田純平, 本田達也, 吉田圭吾, 富樫理恵, 野村一郎, 山口智広, 本田徹, 岸野克巳

セッションID: 18a-Z27-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2613

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フラックス膜成長（FFC-sputtering）法によるAlN結晶成長

ソンイェリン, 川村史朗, 大橋直樹, 島村清史

セッションID: 18a-Z27-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2614

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スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製

窪谷茂幸, 岩山章, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 則松研二, 三宅秀人

セッションID: 18a-Z27-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2615

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コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用

前田亮太, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋

セッションID: 18a-Z27-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2616

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縦型p型GaN SBD構造を用いたショットキー障壁高さの評価

青山航平, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋

セッションID: 18a-Z27-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2617

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低温バッファ層上高温AlN初期成長

青野零弥, 津田翔太, 揚田侑哉, 宮川拓己, 平山秀樹, 高島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎

セッションID: 19a-Z27-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2618

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極小ピットを介したAlNテンプレートの高品質化

奥野椋, 日高遼太, 斉藤貴大, 岡田成仁, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 倉井聡, 山田陽一, 只友一行

セッションID: 19a-Z27-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2619

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Si基板上GaN成長における結晶方位回転成長領域とピット生成の関係

岡本和也, 出浦桃子, 依田孝, 高橋英志, 宮野清孝, 津久井雅之, 百瀬健, 杉山正和, 霜垣幸浩

セッションID: 19a-Z27-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2620

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Si基板上窒化物半導体薄膜の内部応力緩和に向けたボイド設計

奥友則, 百瀬健, 霜垣幸浩, 出浦桃子

セッションID: 19a-Z27-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2621

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ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価

山本望, 林侑介, 濱地威明, 中西悠太, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 正直花奈子, 三宅秀人, 酒井 ...

セッションID: 19a-Z27-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2622

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陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出

上殿明良, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 秩父重英, 石橋章司, Dickmann M., Egger W., Hugenschmi ...

セッションID: 19a-Z27-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2623

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AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Moody Baxter, 三田清二, Collazo Ramon, Sitar Zlatko, ...

セッションID: 19a-Z27-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2624

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Face-to-faceアニール処理されたスパッタ成膜AlNテンプレート上AlGaN系多重量子井戸構造の内部量子効率

藤井厚志, 押村遼太, 草場崇史, 倉井聡, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

セッションID: 19a-Z27-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2625

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AlGaN系UV-C多重量子井戸構造における誘導放出のしきい励起パワー密度の温度依存性

濱田晟, 福田拓矢, 倉井聡, 室谷英彰, 前田哲利, M. Ajmal Khan, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

セッションID: 19a-Z27-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2626

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スラブ導波路型波長変換デバイスに向けたGaN-QPM結晶の作製

石原弘基, 黒瀬和大, 川田善正, 杉田篤史, 井上翼, 中野貴之

セッションID: 19p-Z27-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2627

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サファイア基板上高品質N面AlN成長と評価

松村航, 坂本凌太, 伊藤忠寿, 斉藤貴大, 安高和哉, 岡田成仁, 只友一行

セッションID: 19p-Z27-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2628

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AlNテンプレート上高温AlN結晶成長

津田翔太, 青野零弥, 揚田侑哉, 宮川拓己, 平山秀樹, 高島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎

セッションID: 19p-Z27-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2629

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AlN原子ステップを利用したNbNナノ構造の自己組織化

小林篤, 上野耕平, 藤岡洋

セッションID: 19p-Z27-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2630

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表面処理を施したAlN上に成長させたNbNの結晶方位解析

紀平俊矢, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋

セッションID: 19p-Z27-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2631

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高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源

上杉謙次郎, 手銭雄太, 肖世玉, 則松研二, 岡村実奈, 荒木努, 三宅秀人

セッションID: 19p-Z27-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2632

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スパッタ法アニール処理AlN上AlGaNチャネルHEMTのMOVPE成長

森隆一, 上杉謙次郎, 白土達也, 窪谷茂幸, 正直花奈子, 三宅秀人

セッションID: 19p-Z27-7
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2633

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量子殻デバイスへのトンネル接合導入のためのm面GaN基板上トンネル接合成長に関する検討

山村志織, 宮本義也, 曽根直樹, Lu Weifang, 奥田廉士, 伊藤和真, 神野幸美, 中山奈々美, 勝呂紗衣, 奥 ...

セッションID: 19p-Z27-8
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2634

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量子殻/トンネル接合を用いたナノワイヤLD実現に向けたGaN結晶中の不純物ドーピング評価

曽根直樹, 宮本義也, 伊藤和真, 山村志織, 神野幸美, 勝呂紗衣, 中山奈々美, 奥野浩司, 水谷浩一, 飯田一喜, ...

セッションID: 19p-Z27-9
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2635

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エピタキシャルAlInN膜における分極誘起正孔伝導に関する研究

中林泰希, 高田華果, 江川孝志, 三好実人, 竹内哲也

セッションID: 19p-Z27-10
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2636

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m面上GaN中C濃度のステップ速度依存性の解析

望月和浩, 堀切文正, 太田博, 三島友義

セッションID: 19p-Z27-11
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2637

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GaN MOVPE成長におけるC取込機構解明に向けたTMGaとTEGaの分解反応の違いの解析

叶正, 新田州吾, 渡邉浩崇, 本田善央, Markus Pristovsek, 天野浩

セッションID: 19p-Z27-12
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2638

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AlNの高流速成長における成長メカニズム

宮川拓己, 津田翔太, 青野零弥, 揚田侑哉, 平山秀樹, 高島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎

セッションID: 19p-Z27-13
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2639

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高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制

永松謙太郎, 津田翔太, 青野零弥, 宮川学, 揚田侑哉, 平山秀樹, 髙島祐介, 直井美貴

セッションID: 19p-Z27-14
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2640

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レーザー溶融結晶化による石英基板上単結晶GeSn作製技術の高度化

國吉望月, 田淵直人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

セッションID: 16p-P02-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2641

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歪みGeマイクロブリッジ構造の発光特性に及ぼす一軸歪み方向の影響

井上貴裕, 我妻勇哉, 山田航大, 澤野憲太郎

セッションID: 16p-P02-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2642

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歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光

杉浦由和, 我妻勇哉, 山田航大, 星祐介, 山田道洋, 浜屋宏平, 澤野憲太郎

セッションID: 16p-P02-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2643

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Ge基板に替わりGe-on-Siを用いることによる歪みSiGeへのクラック発生抑制

我妻勇哉, Md. Mahfuz Alam, 岡田和也, 山田道洋, 浜屋宏平, 澤野憲太郎

セッションID: 16p-P02-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2644

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界面変調固相成長法で形成したSn添加多結晶Ge極薄膜/絶縁基板の電気特性に与えるアニール効果

千代薗修典, 原龍太郎, 佐道泰造

セッションID: 17a-Z33-1
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2645

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Bi誘起層交換法によるSn添加n型Geの低温形成

河原聡, 劉森, 佐道泰造

セッションID: 17a-Z33-2
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2646

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高Sn濃度SiSn薄膜/絶縁膜の低温固相成長特性の膜厚依存性

岡本紘汰, 小杉智浩, 佐道泰造

セッションID: 17a-Z33-3
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2647

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絶縁基板上におけるSi薄膜の固相成長に与えるSn添加効果

小杉智浩, 岡本紘汰, 佐道泰造

セッションID: 17a-Z33-4
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2648

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Ⅳ族混晶薄膜の固相成長における前駆体変調効果

溝口拓士, 今城利文, 末益崇, 都甲薫

セッションID: 17a-Z33-5
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2649

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高密度非晶質Ge薄膜のNi誘起横方向成長

石山隆光, 今城利文, 末益崇, 都甲薫

セッションID: 17a-Z33-6
発行日: 2021/02/26
公開日: 2022/06/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2650

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