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姉崎 豊, 大谷 孝, 浅野 翔, 加藤 有行, 末光 真希, 成田 克, 中澤 日出樹, 加藤 孝弘, 安井 寛治
セッションID: 17Bp-02
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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ガスソースMBE法を用いてSi(001) 2°OFF基板上にMMGeによりSi-c(4x4)構造を形成することで、Geナノドットを高密度に生成した。さらにMMSiを用いてSiC層にてキャッピングしGeドットをSiCに埋め込んだ構造を形成した。その発光特性を測定したところ1.07eV付近にGeドットに由来すると考えられる強い発光を観測したので発光特性について考察した。
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吉原 万莉, 荻野 俊郎
セッションID: 17Bp-03
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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我々の研究室では、単結晶酸化チタンにおいて相分離構造を形成することを発見した。今回、この相分離構造がどのような性質を持つのかということを自己組織化単分子膜を用いて評価を行った。
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小林 祐貴
セッションID: 17Bp-04
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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微細周期陽極酸化ポーラスアルミナの細孔内に強磁性金属を充填し，パターンド磁気記録媒体を作製した．強磁性金属の種類やシリンダーの直径，熱処理条件を変化させ記録媒体を作製し，磁気特性を評価した結果を報告する．
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里本 宗一, 田原 将巳, 永富 瑛智, 加藤 孝弘, 安井 寛治
セッションID: 17Bp-05
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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ZnOは、太陽電池等に使われる透明導電膜等への応用が期待されており、安価なガラス基板上への堆積が必要不可欠である。そこで我々は今回、触媒反応により生成した高エネルギー水分子を用いた手法でガラス基板上へのZnO薄膜の堆積を行い、その光学特性を調べた。そして、低温でのPL測定よりD
0XピークのFWHMが6.20meVという光学的に優れたZnO薄膜を得た。
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永富 瑛智, 里本 宗一, 三浦 仁嗣, 加藤 孝弘, 安井 寛治
セッションID: 17Bp-06
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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Pt触媒表面の水素、酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oビームを用いてA面サファイア基板上にZnO結晶膜のエピタキシャル成長を行った。得られたZnO結晶膜の電気伝導特性及び，その温度特性を測定し，特性の起源を考察した。
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眞田 悠司, 清水 博文
セッションID: 17Bp-07
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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Ｃｒ汚染したｎ型Ｓｉウェーハは、Ｃｒ（ＯＨ）
３/ｎ－Ｓｉショットキー障壁が形成され、ＡＣ ＳＰＶ（交流表面光電圧）が発生する。長時間の室温での大気放置あるいは短時間の１００℃の熱酸化では、ＡＣ ＳＰＶは徐々にショットキー障壁の崩壊を示す。１００℃で長時間熱酸化したｎ型及びｐ型Ｓｉ表面では、（ＣｒＯＳｉ）
－あるいは（ＣｒＯ
２）
－ネットワークを形成しＣｒ誘起負電荷の発生を明らかにする。
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萩原 寛幸, 加藤 悟, 清水 博文
セッションID: 17Bp-08
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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n型SiウェーハをFe溶液で故意汚染して大気放置すると放置時間に伴い金属誘起負電荷、即ち(FeOSi)
－ネットワークが形成されるモデルが提案されている。
本報告では100 ℃以上で熱酸化した場合ネットワークが生き残ることを確認し、さらにp型のSiを用いて
負電荷の存在を実証する。
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吉武 道子, 柳生 進二郎, 知京 豊裕
セッションID: 17Bp-09
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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酸化物‐金属界面の結合を介する原子の種類を、酸化物の生成エンタルピーや酸化物構成金属の昇華熱、モル体積、酸化物構成金属および界面を形成する金属の表面エネルギーや電子密度などの基本的な物理量のみから予測する方法を提案してきた。この界面結合原子の種類は、金属に、酸化物構成金属を合金化することで変えることができる。どういう場合に合金化により界面結合を変えることができるのかを予測する方法について述べる。
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吉武 道子, 長田 貴弘, ソン ウェイジェ, 山内 康弘
セッションID: 17Bp-10
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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超高真空中で選択酸化して成長させたCu9Al(111)単結晶上の極薄エピタキシャルアルミナ膜を、in－situでLEED、RHEED、XPS・UPS測定後、大気中に約6ヶ月放置し、斜入射X線回折、走査型電子顕微鏡像により、厚さ1.6nmのエピタキシャルアルミナ膜の結晶構造および表面形態（凹凸）について評価した。その結果、非常に薄い膜にも関わらず、結晶性もステップテラス構造も保たれていることが判明した。この試料のex-situ電気特性AFM測定についても紹介する。
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中山 泰生, Chen Chin-Hung, Hsu Che-Chia, Lin Meng-Kai, Wang Chin-Yong, 町田 ...
セッションID: 17Bp-11
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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金属単結晶清浄表面上に有機半導体分子が吸着した界面の電子構造に関する研究は，今日の有機半導体エレクトロニクスの発展の土台となっている。一方，厚さ数nmの金属超薄膜には量子閉じ込め効果によりバルクとは異なる電子構造が生じるが，こうした量子化状態と有機半導体材料との間にどのような相互作用が生じるかは殆ど解っていない。本研究では，Ag超薄膜－有機分子界面の電子構造を角度分解光電子分光法により評価した。
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横田 統徳, 小室 亘, 高橋 直希, 寺田 康彦, 吉田 昭二, 武内 修, 重川 秀実
セッションID: 17Bp-12
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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今回、GaAs表面上に人工的にFeナノ粒子を極少量蒸着することで、ギャップ準位を導入し、原子レベルで孤立したギャップ準位へのキャリア捕獲時間を時間分解STMを用いて行った。以前のCoの実験と同様、Feのキャリア捕獲時間は、面積に逆比例することが分かった。また、同じサイズの粒子で比較し、Coに比べFeの方が短いキャリア捕獲時間を有することがわかった。Co、Feが作るギャップ準位のエネルギー位置の違いとの関連から議論を行う。
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石井 大佑, 藪 浩, 下村 政嗣
セッションID: 17Ca-01
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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水滴吸着性のドーム構造と高分子ピラー構造とのバイオミメティック複合超撥水表面は、ドーム構造の数量密度の変化により水滴の吸脱着が制御可能である。この複合超撥水表面を用いた、微小液滴の動力レス移動、可視化サイズ分離、液滴捕集などの微小液滴操作について報告する。
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高橋 章仁, 石井 大佑, 藪 浩, 下村 政嗣
セッションID: 17Ca-02S
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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自己組織的に形成されるハニカム状多孔質膜の表面層剥離により、超撥水ナノピラー表面を作製できる。ピラー表面中に親水性のドーム構造を導入する事で超撥水性を保ちつつ水滴吸着性を付与できる。本報告では、側鎖に刺激応答性分子をもつ高分子のドーム構造を導入し、表面温度および水滴のpHにより水滴吸着性を制御可能な刺激応答性超撥水表面を作製した。ドーム導入量や孔径を変える事で水滴吸着性制御を試みた結果も報告する。
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坂根 智也, 藤井 政俊
セッションID: 17Ca-03
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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高分子を固体表面にグラフトすることにより作成した高分子薄膜の物性は，グラフト密度にも依存するため，グラフト密度の制御は機能性高分子薄膜の作成に欠かせない要素である．本研究では，反応性の末端をもつ高分子鎖と基板を加熱処理により直接結合させる方法を用い，反応時の温度を変えることでグラフト密度を制御した．次に，高分子薄膜への溶質の吸着量を液中で測定し，そのグラフト密度依存性について考察した．
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西田 仁, 小林 元康, 高原 淳
セッションID: 17Ca-04
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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イガイ接着タンパク質は、カテコール基とアミノ基を含有しており、空気酸化をトリガーとする架橋反応、そしてカテコール基と金属酸化物表面の相互作用により接着することが知られている。本研究では、カテコール基、アミノ基を有するアクリルアミド型ポリマーを設計合成し、酸化による架橋とゲル化、そしてゲルの形成による金属酸化物の接着を検討した。
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神谷 康敬, 山崎 憲慈, 和田 朋也, 荻野 俊郎
セッションID: 17Ca-05
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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我々はこれまでに、固体表面の化学状態を制御することにより、表面修飾が不要である生体分子の選択的吸着手法を提案した。タンパク質分子は固体表面に吸着する際、電荷の影響を受ける。本研究では、タンパク質分子の帯電状態に由来する吸着パターン形成を評価した。
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國井 俊佑, 塚本 貴広, 豊城 晃彦, 飯田 祐介, 荻野 俊郎
セッションID: 17Ca-06
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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現在までに脂質二重膜を用いたデバイスが盛んに研究されている。本研究室では、グラフェンを導入した脂質二重膜センサーの開発を目指しており、本講演ではグラフェンを加工することによるグラフェン上への脂質二重膜の展開を試みたので報告する。
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都築 一志, 岡本 吉晃, 岩佐 精二, 石川 亮佑, サンドゥー アダルシュ, 手老 龍吾
セッションID: 17Ca-07
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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還元グラフェン酸化物(reduced graphene oxide: r-GO)上の支持脂質二重膜形成および還元度合いの影響について報告する。SiO2/Si基板上に担持下グラフェン酸化物をヒドラジン還元し、脂質ベシクル懸濁液中でインキュベーションした。蛍光顕微鏡および原子間力顕微鏡観察の結果から、r-GO上にも平面脂質膜が形成されてることが示唆された。
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岡本 吉晃, 都築 一志, 岩佐 精二, 石川 亮佑, サンドゥー アダルシュ, 手老 龍吾
セッションID: 17Ca-08
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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脂質二重膜は細胞膜の基本骨格であり、膜内外で情報、物質、エネルギーをやり取りするための反応場を形成する役割を持つ。我々は、グラフェンを利用した細胞膜上の生体分子検出の新たな手法の開発を目的とし、その端緒として、グラフェン酸化物(GO)上に支持平面脂質二重膜(SLB)の形成と観察を行った。ベシクル懸濁液にCa2+イオンを添加することにより、GO上に再現性良くSLBを形成することに成功した。
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藤波 想, 中嶋 健, 西 敏夫
セッションID: 17Ca-09
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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粘弾性は，摩擦や接着など実用に供される材料の性能に影響を与える，ソフトマターの特性の中でも特に重要な物性だが，ねじり試験機などのマクロな測定手法以外に測定する手法がなかった。 我々は，原子間力顕微鏡 (AFM) を用いたフォースカーブと弾性体理論との比較，速度依存性，応力緩和のプロファイル等の調査を行い，数十ナノメートルスケールの空間分解能で粘弾性の分布をとらえて可視可する手法を確立した。
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松尾 二郎, 市木 和弥, 瀬木 利夫, 青木 学聡
セッションID: 17Ca-10
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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二次イオン質量分析法の持つ高い空間分解能を活かし、培養細胞や生体組織切片への応用を進めており、細胞一個を観察することが可能となっている。最新のSIMS法の生命科学への応用を、我々の研究成果を中心に実例を交えながら紹介し、高分解質量イメージング法としての今後の課題や展望について議論する。
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喜多 浩之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明
セッションID: 17Cp-01
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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Geは次世代CMOSでSiに代わる高移動度チャネル材料の候補として期待されている。しかしGeの表面反応や界面反応の制御技術が欠けているためにその特性を引き出せていない。そこで我々は，GeとGeO2からなるMOS界面反応の理解を進め，それに基づいた実デバイスの特性向上の実証を行ってきた。本講演では，特にこの界面からのGeO脱離現象に着目しながらこれを克服したデバイスの実現指針について述べる。
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戸田 喜丈, 平山 博之, 細野 秀雄
セッションID: 17Cp-02
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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C12A7:e
-は電子がアニオンとして振舞うイオン結晶で、金属伝導、低仕事関数を有しながら化学的に安定という特性がある。本研究ではC12A7:e
-の表面の性質としてCO
2を選択的に吸着し、活性化出来ることを見出した。
光電子分光、赤外線吸収の結果から、CO
2は室温でC12A7:e-表面にCOとOに乖離して吸着し、これらはC12A7:e
-表面を加熱すると再結合せずにCO及びOで脱離することが分かった。
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朝倉 清高, 有賀 寛子, 高草木 達, 鈴木 秀志, 大谷 茂樹, 大山 茂, Henandez Alvin
セッションID: 17Cp-03
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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Ni＜SUB>2＜/SUB>Pは脱硫触媒活性を示すことが最近知られるようになった。本研究では、表面構造の研究がほとんどなされていないリン化物表面をとりあげ、単結晶表面に対してその安定構造と安定化要因を(0001)および（101b0）面で検討した。STM, LEEDなどの結果、Pが表面に存在することが安定化に重要な要因になっているという仮説を提案した。本講演会では、これまでの結果をまとめて報告する。
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原口 惟, 和田 敬広, 有賀 寛子, 高草木 達, 朝倉 清高
セッションID: 17Cp-04
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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α-Sb
2O
4とVSbO
4の組み合わせにより、炭化水素の選択酸化反応が実現すると考えられている。この反応では、Sb
2O
4で活性化した酸素がVSbO
4に拡散し選択酸化が実現する、リモートコントロールメカニズムが提案されている。このメカニズムに従うと、Sb
2O
4の細線間隔を制御することで、触媒特性を制御できると期待される。そこで電子線リソグラフィにより細線間隔を制御した触媒を作成し、触媒作用の変化を調べた。
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牛込 大樹, 櫻井 雅崇, 鹿野 大志, 鈴木 哲也, 近藤 剛弘, 中村 潤児
セッションID: 17Cp-05S
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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窒素イオン衝撃グラファイトの表面状態を計測した結果、異なる状態の窒素を含む構造がグラファイト表面上に形成されることが分かった。主にグラファイトの炭素が窒素に置換した構造（グラフィティック窒素）とピリジン様の窒素で存在することが明らかとなった。この窒素イオン衝撃グラファイト表面上の窒素種の状態について議論する。
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齊藤 慶彦, 呉 準杓, 新川 慶太郎, 川原井 圭一, 近藤 剛弘, 中村 潤児
セッションID: 17Cp-06S
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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グラファイト（HOPG）に窒素イオン衝撃を施すことで窒素ドープグラファイトを調製し、超音速分子線装置を用いて酸素分子の吸着散乱過程を観察した。この結果、酸素は並進運動エネルギーが約500 meV以上になると表面温度300 Kの窒素ドープグラファイトに一時的な吸着を伴う散乱過程を示すことが示唆された。これは窒素ドープグラファイトへの酸素吸着が活性化障壁を伴う過程であることを示唆している。
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佃 宗亮, 横寺 勇人, 持地 広造
セッションID: 17Cp-07
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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Arクラスターイオンの構成原子数を選別して照射できる装置を開発した。本研究では、Arクラスターイオンを構成原子１個当たりの運動エネルギーが10eV以下の極低エネルギー領域でグラファイト表面に照射した。この結果、表面には照射エネルギーによってクレーター状、あるいは明点状の照射痕が発生した。さらに、これら２種類の照射痕は熱処理によって異なる構造変化を生じることを明らかにした。
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小川 修一, 山田 貴壽, 石塚 眞治, 吉越 章隆, 長谷川 雅孝, 寺岡 有殿, 高桑 雄二
セッションID: 17Cp-08
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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ダイヤモンド上に形成されたグラフェン（GOD）は、下地であるダイヤモンドと炭素結合長が非常に近いため、評価が難しい。本研究ではリアルタイム光電子分光法を用いたGOD構造評価方法の開発を行い、ダイヤモンドC(111)表面におけるグラフェン形成過程を解明した。その結果、約900℃の真空アニールによりC(111)表面にグラフェンが形成されることが明らかとなった。講演ではRHEEDによる表面構造とC1s内殻準位スペクトルの関係も議論する。
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楊 猛, 小川 修一, 鷹林 将, 尾辻 泰一, 高桑 雄二
セッションID: 17Cp-09S
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
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本研究ではSi基板上にDLCを光電子制御プラズマCVDで形成し、その形成過程におけるプラズマ特性および膜質のCH
4/Ar濃度依存性を調べた。 ラマン分光スペクトルはブロードなGバンドが観察され、DLCが形成されたことがわかった。
DバンドはCH4含有量の増加とともに減少した。この結果はDLC膜中の炭素六員環がメタン濃度とともに減少することを示している。講演では形成したDLC膜の誘電率や絶縁耐性の結果も合わせて報告する。
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豊島 安健
セッションID: 17Cp-10
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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プラズマＣＶＤでのモノシランガスからの水素化アモルファスシリコン薄膜成長では、ある温度までは成長速度はほぼ一定だが、さらに昇温すると成長速度が増加する。主にシリルラジカルとされている膜形成前駆体による成長表面終端水素の引き抜きに加え、高温での水素熱脱離を考えることにより、これらの成長速度の温度依存性を速度論的に解析し、反応素過程についての検討を行った。
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塩足 亮隼, 北口 雄也, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也
セッションID: 17Cp-11S
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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一酸化窒素(NO)は2π*軌道に不対電子を有する分子であり、金属基盤上でのNOの物性は触媒・磁性の観点から非常に強い関心がもたれている。本研究では、Cu(110)表面にNOを吸着させSTM/STSによって単分子レベルの測定を行った。
その結果、低温においてNOの2π*軌道は分子に局在していることを明らかにし、NO２分子間の距離を制御することで分子間の共有結合により分裂した2π*軌道をSTMにより視覚化することに成功した。
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北口 雄也, 塩足 亮隼, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也
セッションID: 17Cp-12S
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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銅はメタノールの脱水素反応に対して触媒活性を示すことが知られている。本研究はSTMを用いて、Cu(110)表面におけるメタノールの酸化反応を単分子レベルで調べた。メタノールの孤立分子を観測し、トンネル電子により反応を誘起した。生成物の分子運動がsp
3炭素原子を含むC-H伸縮振動を励起することを見出し、生成物をメトキシに同定した。次にメトキシから反応を誘起し、生成物をホルムアルデヒドに同定し2種類の吸着構造を観察した。
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太田 圭輔, 下村 勝
セッションID: 17Cp-13
発行日: 2011年
公開日: 2011/12/15
会議録・要旨集
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我々はSi(111)-7×7表面上におけるピラジンの吸着様式について調査した。表面観察にはSTMを用いた。室温下でピラジンを吸着させた場合、アドアトムとレストアトム間にピラジンの吸着が確認された。また、Si基板を加熱させながらピラジンを吸着させた場合、ユニット間の境界にピラジンの吸着が多く観察された。これより、吸着時における基板温度によりピラジン分子の吸着の配向性に違いが生じることが示唆される。
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