プリント配線板の細長い端子列へのQFP実装に関連して, VPS法で端子列のはんだ予備被覆を検討した。0.65～0.3mmピッチ (P) の端子列に, 一定厚さのはんだペーストを印刷し, 次いでリフローすると, 0.4Pの端子で膨れが, 0.3Pの端子でブリッジが発生した。はんだ量を増すと, より幅の大きい端子に膨れが発生する。したがって, 一定幅の端子上に溶融はんだが整った形で存在できる量には制限がある (飽和はんだ量) 。断面写真から求めた飽和はんだ量と端子幅との良い相関関係が見出された。はんだの種類・リフロー条件が一定であれば, 飽和はんだ量は端子幅に対応して特定の値をとると考えられる。VPSリフローはんだの表面は滑らかで, 断面形状はほぼ完全な円弧であった。VPS蒸気層中では酸化がほとんどないという前報の結果と併せて考察し, VPSリフローはんだは自由液体として挙動していると考える。他方, 大気中でリフローするIR炉の場合は, 表面が荒れていると同時に挙動が異なるので, その理由を議論した。IR炉に比べてVPSリフローはんだの飽和はんだ量は大幅に小さいので, VPSの場合ははんだ供給量を減らさないとブリッジが発生しやすいことになる。

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高速コンピュータ用および高周波用多層プリント配線板材料として, 熱可塑性ポリフェニレンエーテル (PPE) 樹脂を化学変性することによって熱硬化性のアリル化ポリフェニレンエーテル (A-PPE) 樹脂を開発した。A-PPE樹脂は触媒の存在下150～250℃で熱硬化される。A-PPEプリプレグは通常の竪型含浸機により製造でき, A-PPE銅張積層板もエポキシ樹脂とほぼ同一の積層条件で製造できた。E-ガラスを用いたA-PPE積層板は誘電率3.0～3.5, 誘電正接0.002～0.003, ガラス転移温度250℃で低吸水率であった。多層プリント配線板製造は, エポキシ多層板と同一の設備でほほ同一の製造条件で実施できた。

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DMABを還元剤としマロン酸を錯化剤とする無電解ニッケルめっき浴中の, 浴成分および錯化剤の存在形態をFTIR ATR法によりモニタリングする方法について検討した。基本浴の組成は, NiSO₄・6H₂O 0.1mol/L, CH₂ (COOH) ₂ 0.3mol/L, DMAB 0.12mol/L, pH6.0である。浴中のDMAB, マロン酸塩, 硫酸塩および還元剤の酸化に伴い副生するDMA, ホウ酸塩の濃度とそれぞれの特性吸収帯の吸光度との間に直線的関係が得られた。連続使用により硫酸塩が蓄積した浴では, 硫酸塩のATRスペクトルとDMAB, DMAのATRスペクトルが重なり合う。このような場合においても, カーブフィティングにより各成分を精度よく分離定量することができた。浴中のニッケルイオン濃度は, 全カルボキシレート (2 [NiL] +2 [L^2-] + [HL^-] ) と遊離のカルボキシレート (2 [L^2-] + [HL^-] ) の特性吸収帯の吸光度の比より, 間接的に定量することができた。本法は, 希釈, 分離などの前処理をすることなく, 簡便に迅速に無電解ニッケルめっき浴をモニタリングすることができ, 分析結果も申し分ない。

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