電子写真学会誌
Online ISSN : 1880-5108
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27 巻, 4 号
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報文
  • Digital System for Color Hardcopy
    Hannu J. SAARELMA, Pirkko T. OITTINEN
    原稿種別: Original Article
    1988 年 27 巻 4 号 p. 516-520
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.516
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    Fundamentals of color reproduction, in particular color formation in multicolor halftone prints is studied. Color correction and enhancement is discussed.
    It was found that achieved color depends, besides the dot percentages of the subinks, also on the point spread function of the printing process, the absorption spectra of the inks, the surface and internal reflections in ink layers and microscopic noise of the halftone dot profiles.
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  • Influence of Geometrical Degradations on Image Quality
    Pirkko T. OITTINEN, Hannu J. SAARELMA
    原稿種別: Original Article
    1988 年 27 巻 4 号 p. 521-527
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.521
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    The paper has two parts. First, a systematized overview is given of fundamental aspects related to image quality measurement. Second, the influences of geometrical image degradations on image quality are analysed by means of simulations and analytical computations. Image quality is expressed in terms of information transfer. The results elucidate the role of line and dot spreading, and edge noise on quality, presented as a function of spatial line frequency and halftone cycle frequency.
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  • Electrical Charge and Conductivity Measurement with Modern Mono-Component Developers
    R. H. EPPING, M. MÜNZ, M. MEHLIN
    原稿種別: Original Article
    1988 年 27 巻 4 号 p. 528-532
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.528
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    The first monocomponent developers introduced to the market were used for direct fixation on dielectric papers. Their low electrical resistance prevented transfer to normal papers. Today's monocomponent developers have a much greater resistance. In this study, developers with various silica coatings are investigated. Alteration of the frequency distribution of the electrostatic charge (q/d) and of the electrical conductivity (DC) is determined.
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  • 新規な結晶形を有するチタニウムフタロシアニン化合物を用いた有機感光体
    榎田 年男, 倉田 隆一郎, 瀬田 俊雄, 桂 宏光
    原稿種別: 報文
    1988 年 27 巻 4 号 p. 533-538
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.533
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    半導体レーザーを使用したプリンターの開発が進められているが，有機感光体（OPC）はその中でも最も注目されている分野の一つである．我々は，電荷発生材料として，ε-CuPcおよびτ-H2Pcを既に市場化した．更に高感度を持つ可能性のあるTiOPcを検討して，新規な結晶形を有するm-TiOPc化合物を開発した．本報文は，m-TiOPc化合物の結晶性について，および，そのプリンター用感光体としての諸特性を報告した．結論は以下の通りである．
    （1）m-TiOPc化合物は粉末X線回折図上に，特異なX線回折ピークを持ち，新規な結晶であることが認められた．
    （2）熱的安定性を調べた結果，TiOPcは，β＞m＞αの順で安定であることがわかった．DSC曲線上のα形の230°Cの発熱ピークは，α→β形への結晶転移であった．
    （3）m-TiOPc化合物とヒドラゾン化合物を使用した積層型感光体により，600～830nmの波長領域で，0.24～0.30µJ／cm2の高感度を達成した．
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  • 積層型有機感光体のPhotoinjection Efficiencyに及ぽす電荷発生材の効果
    梅田 実
    原稿種別: 報文
    1988 年 27 巻 4 号 p. 539-546
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.539
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    高いホール移動度を有するαーフェニルスチルペン化合物を電荷輸送層に用いて，積層型有機感光体のPhotoinjection efficiencyに及ぽす電荷発生材の効果を初めて検討した．
    測定されたPhotoinjection efficiencyは，電荷発生材によって異なったプロフィールを示し，また推定される律速過程は，キャリア発生過程とホール注入過程に大別された．
    酸化電位の測定から，電荷発生材と電荷輸送材の酸化電位差が比較的大きいとき，キャリア発生過程が律速過程として観測され，また，その電位差が小さいときは，ホール注入過程が観測されることがわかった．このような結果は，酸化電位差が電荷発生層から電荷輸送層へのホール注入を定量的に推進したか否かによるものと考えられた．
    更に，ホール注入の支配因子となるアゾ顔料(電荷発生材)の酸化電位とその化学構造の関係を調べた.その結果，本実験で用いたアゾ顔料の酸化電位は，ジアゾ成分の酸化電位に起因することが，わかった．
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  • アモルファスシリコン感光体画像欠陥の抑制（2）
    —コーン状構造物の発生原因—
    今川 容, 今井 正幸, 横山 誠一郎, 鈴木 常之, 吉田 明
    原稿種別: 報文
    1988 年 27 巻 4 号 p. 547-554
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.547
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    アモルファスシリコン感光体の画像欠陥の主要原因であるコーン状構造物の発生原因を調べた．コーン状構造物はA1ドラム基板上の付着異物及び表面粗度に対し鋭敏な反応を示し，基板表面状態との強い相関を得た．
    レプリカ法を用いることで膜形成前後の表面付着異物とコーン状構造物との定量的，直接的な対応を得ることができた．その結果，付着異物があれば必ずコーン状構造物の発生を伴い，付着異物サイズが大きいものほどコーン状構造物サイズも六きくなっている．コーン状構造物は面内方向には成長するが高さ方向にはほとんど成長しない．更に，基板付着異物の大きさとコーン状物の面内成長にはほぼ比例関係が成立している．XMA（X線マイクロアナライザー），オージェ電子分光，顕微赤外による分析の結果，洗浄後のA1ドラム基板の表面付着異物の大部分はシリケート化合物で外部由来のものである．
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  • Amorphous Silicon Carbide Photoreceptor
    Yoshikazu NAKAYAMA, Seiji AKITA, Kazuki WAKITA, Masao NAKANO, Takao KA ...
    原稿種別: Original Article
    1988 年 27 巻 4 号 p. 555-559
    発行日: 1988/12/10
    公開日: 2014/04/12
    DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.27.555
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    New types of a-SiC photoreceptors with excellent sensitivity have been developed using aSiC: H as a carrier generation layer (CGL) or a carrier transport layer (CTL). The a-SiC: H films were deposited at a high rate of 1-6 µm/h from a mixture of SiH4 and C2H2 by a plasma CVD process. It is shown that the highly photosensitive film exhibiting ημτ-product more than 10-6 cm2/V used as CGL and highly resistive film with a dielectric constant as low as εs=9 used as CTL can be prepared by selecting a deposition condition, especially the ratio of [rf power]/[source gas flow rate].
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Imaging Today
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