電子写真学会誌

ERFインクジェットの交流電界制御

清弘智昭, 坂部委千夫

1993 年 32 巻 3 号 p. 230-235
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.230

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ERFは電界を印加すると，みかけの粘性が極端に増加する性質を持つ流体である．ERFをインキとして用い，このインキを加圧する．もし，電界がない場合にはインキは圧力によりノズルから噴出する．ここで電界を印加すると，増加した粘性のためインキの噴出は停止する．したがって，電界のオン・オフによりインキの噴出タイミングを自由に選べることとなり，ドロップオンデマンドインクジェットが実現できる．このERFは通常，絶縁性の油性流体を分散媒として，その中にシリカなどの絶縁体の微粒子粉末を体積比で20％程度分散させたものである．この液体の組成は印刷用インキやペイントなどの組成とよく似たものである．したがって，ERFインクジェットは，建物の壁面印刷など耐候性を要求される場合へのインクジェット記録の適用が可能となる．この方式のインクジェットについては，すでに実現性の理論的検討および，直流電界制御によるインキの噴出制御の確認についてすでに報告されている．ここでは，制御電界に交流を用いることを提案し，これにより，より安定した噴出制御が可能となり，さらに応答特性も向上することを実験的に確認した．

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レーザ熱転写の記録特性 (III)

— カラー記録特性 &mdash

入江満, 落合誠, 加藤充, 北村孝司

1993 年 32 巻 3 号 p. 236-241
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.236

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本研究では，飛躍的な高密度記録が実現できる画像記録システムとして高出力半導体レーザを記録熱源とする溶融型レーザ熱転写記録を検討している．レーザ熱転写では，数μmまでに集光された光スポットを用いたレーザ加熱によって熱転写インク層を融転写させるため超高密度記録の実現が期待できる．
本報では，レーザ熱転写のカラー記録への対応について実験的に検討した．レーザ加熱によってカラー記録を行うためにカラー溶融転写層にレーザ光の吸収と熱変換を行う光熱変換層を付加した2層型カラーインクリボンを試作し，転写特性を実験的に評価した．レーザ光吸収層を薄膜（0.7 μm）化して試作した試料により最小転写線幅10 μm，解像度2540 dpiの高精細記録が可能であることを確認した．また，記録エネルギーは，記録開始時を除いてモノクロ記録とほぼ同等であり，線像転写時の記録開始エネルギー0.83J/cm²を得た．1 mm²標準サンプルによる印字転写評価も行い良好な転写を確認した．

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FABRICATlON OF AMORPHOUS-SILICON ALLOYS

Toshinori YAMAZAKI, Tatsuo NAKANISHI, Hiroyuki NOMORI

1993 年 32 巻 3 号 p. 242-252
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.242

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水素化アモルファスシリコン合金膜（a-SiX:H）を作製するアルゴン（Ar）をキャリアガスとしたシラン（SiH₄）およびガス（M）のSiH₄-M-Arグロー放電プラズマ中でのSiH₄ガスおよびガスMの分解効率ηを質量分析法で測定した．ここで，ガスMはジシラン（Si₂H₆），四弗化珪素（SiF₄），ゲルマン（GeH₄），プロパン（C₃H₈），エタン（C₂H₆），エチレン（C₂H₄），アセチレン（C₂H₂），メタン（CH₄），四弗化炭素（CF₄），アンモニア（NH₃），又は，二酸化炭素（CO₂）である．分解効率η_Mおよびη_SiH4、より求めたガスMの解離反応の速度定数のSiH、ガスに対する相対値K_d,M/K_d,SiH4はガスMの最低熱力学的解離エネルギーΔHを使って式K_d,M ∝ exp(-ΔH/1.10) によって関係付けられた．さらに，ガスMから生成するラジカル種Rのa-SiX:H合金膜への結合確率のSiH₄から生成するSiH_n（n=0～3）ラジカルに対する相対値γ_R/γ_SiHnをa-SiX:H中の膜組成［X］および［Si］とプラズマ中のガス分解効率η_Mおよびη_SiH4より推定した．ここで，a-SiX:Hは水素化アモルファス・シリコンゲルマニユウム（a-SiGe:H），水素化アモルファス・窒化シリコン（a-SiN:H），水素化アモルファス・炭化シリコン（a-SiC:H），又は水素化アモルファス・酸化シリコン（a-SiO:H）である．K_d,M/K_d,SiH4における違いが100倍もあったのに対して，ラジカル反応におけるγ_R/γ_SiHnの違いは高々3倍であった．

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複写機の現像域における電位分布の数値解析

— コントラストポテンシャルについて —

今田寛, 博本淳, 東口照昭, 木脇久智, 竹内智

1993 年 32 巻 3 号 p. 253-258
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.253

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この論文は，複写機の現像空間における電位分布を有限要素法を用いて解析したものである．計算にあたって，感光体表面上に方形の潜像電荷を仮定した．計算の結果，電位は潜像部の中心点で最大となるが，非潜像部においては現像空問内にその点が移る．また，電界は最外部の電荷パターンの外側で最大となり，静電潜像の中心部に近づくにしたがって弱まる傾向にある．そして，電界の方向は潜像中心から非潜像の中心に移動する間に180度変化する．
次に，静電コントラストを求める式を導出し，数値解析と比較したところ非常によく一致した．静電コントラストを増すのに有効なパラメータはバイアス電圧V_B，感光体と現像空間との比誘電率の比ε_r2/ε_r1，感光体膜厚L，実効電位V_Rであることがわかった．

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デジタル画像とアナログ画像

関正生

1993 年 32 巻 3 号 p. 261-264
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.261

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デジタル作像技術

— 高画質画像記録のための画像読み取り技術 —

山本直史

1993 年 32 巻 3 号 p. 265-270
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.265

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デジタル作像技術

— 画像処理技術 —

田中一義

1993 年 32 巻 3 号 p. 271-273
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.271

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デジタル作像技術

— 書き込み技術 —

有本昭, 保志信義

1993 年 32 巻 3 号 p. 274-281
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.274

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デジタル作像技術

— 感光体 —

宮崎元

1993 年 32 巻 3 号 p. 282-289
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.282

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デジタル方式でのPPCのインテリジェント化

原田保

1993 年 32 巻 3 号 p. 290-294
発行日: 1993年
公開日: 2007/05/31

DOIhttps://doi.org/10.11370/isjepj.32.290

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