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67 巻, 6 号
耐火物 第67巻 第6号
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明石 孝也, 勝山 陽介, 松嶋 景一郎2015 年 67 巻 6 号 p. 276-280
発行日: 2015/06/01
公開日: 2024/05/01
ジャーナル 認証ありSiCの耐アクティブ酸化性を向上させるために，ゾル-ゲル法を用いて厚いHfO2多孔質膜を多結晶SiC基板に被覆した。ポリマーを添加したHfO2前駆体溶液をSiC焼結体基板上にディップコートし，10MPa，300℃の超臨界CO2で乾燥し，空気中で300℃，400℃，550℃の 3 段階焼成を行った。前駆体溶液へのポリマー添加によって，単斜晶HfO2が生成する温度は低下し，焼成後の膜に発生する亀裂は少なくなった。超臨界乾燥を用いて作製したHfO2膜は多孔質構造を持っており，その膜厚は700nmと超臨界乾燥を用いない場合の約3.5倍であった。また，この厚い多孔質HfO2の被覆によって，Ar気流中におけるSiC多孔質材料のアクティブ酸化が抑制された。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1771K)
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