表面技術

マイクロファブリケーション

牧野英司

1999 年 50 巻 11 号 p. 950-955
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.950

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厚膜レジストSU-8によるLIGAライクプロセス

川畑達央

1999 年 50 巻 11 号 p. 956-960
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.956

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ダイヤモンド薄膜のマイクロマシニング

柴田隆行

1999 年 50 巻 11 号 p. 961-967
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.961

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光造形によるマイクロファブリケーション

山口勝美, 中本剛

1999 年 50 巻 11 号 p. 968-974
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.968

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薄膜形成装置の開発動向 (エピタキシャル装置など)

土居陽

1999 年 50 巻 11 号 p. 975-978
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.975

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ドライプロセス技術と地球環境

和佐清孝

1999 年 50 巻 11 号 p. 979-983
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.979

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高温酸化によりTi窒化物上に作製したTiO₂皮膜の光アノード分極特性

原基, 三好徹治

1999 年 50 巻 11 号 p. 997-1004
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.997

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We investigated the photoanodic polarization behavior of TiO₂ films formed on TiN and Ti₂N by high-temperature oxidation under pressures from 1.01×10¹ to 1.01×10⁵ Pa O₂ in a Na₂SO₄ solution. TiO₂ films formed on TiN and Ti₂N and a TiO₂ film formed on metallic titanium were rutile with no nitrogen detected. Photo-anodic currents of TiO₂ films on TiN, Ti₂N, and metallic titanium increased, in that order. The current of the TiO₂ on TiN film was especially large. However, the energy bandgaps of the TiO₂ films were not substrate-dependent. The reason for the large current of the TiO₂ on TiN film is considered from the result of nonstoichiometric composition of the TiO₂ film surface that developed during the TiO₂ film growth process.

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めっきで形成した銅バンプとはんだとの接合部の高温耐久性

真山恵次, 阿部吉次, 米山孝夫, 井上和之

1999 年 50 巻 11 号 p. 1005-1009
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.1005

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Exposure time effect on solder-joint pull between a substrate and a copper bump at 150°C was studied. Copper bumps formed in a copper sulfate plating bath are well known to be reliable in semiconductor electrode applications, but are still being studied for applications in the automotive industry. SEM confirmed that voids caused by Cu-Sn diffusion grew at the interface between the copper layer and Cu-Sn alloy layer after durability testing at 150°C. EPMA showed that sulphur segregation occurred near the void and that voids grew in proportion to the sulphur concentration. Small amounts of sulphur remaining in copper bumps are thought to diffuse with vacancies at the interface and promote void growth. To improve reliability, sulphur concentration at copper bumps should be suppressed during copper sulfate plating.

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電気化学的に合成したNi(OH)₂膜およびNiOOH膜の選択的イオン透過性

牛戸美樹, 瀬尾眞浩

1999 年 50 巻 11 号 p. 1010-1014
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.1010

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Membrane potentials of α-Ni(OH)₂ and β-NiOOH electrochemically prepared on Pt mesh, were measured in neutral aqueous solutions of KCl, KNO₃, NaCl and Na₂SO₄ at 25°C to determine the transport number of electrolyte ions in nickel hydroxide and oxy-hydroxide. The anion transport number, (t_=0.99-0.93), in α-Ni(OH)₂ was larger than that(t_=0.62-0.49) in the bulk solutions, indicating that α-Ni(OH)₂ has high selective anion permeability. On the other hand, the anion transport number, (t_=0.64-0.51), in β-NiOOH was not significantly different from that in the bulk solutions, indicating that β-NiOOH has low selective anion permeability.
This low selective anion permeability may be attributed to the low positive fixed charge density of β-NiOOH in the measured solutions.

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銀の無電解置換めっき反応における磁場効果

米持真一, 岩坂奉倫, 青柿良一

1999 年 50 巻 11 号 p. 1015-1018
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.1015

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Electroless displacement plating of silver on copper plate in a high magnetic field was studied in controlled experiments without a magnetic field gradient or gravity convection at a constant temperature. Plating silver weight decreased quickly up to 1T as magnetic flux density increased. From 1T to 10T, plating silver weight increased gradually with magnetic flux density. The morphology of the plating surface showed heterogeneous deposition as silver weight decreased.

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プラズマソースイオン注入法によるTiO₂薄膜の作製

畑田留理子, 馬場恒明

1999 年 50 巻 11 号 p. 1019-1020
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.1019

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静電噴霧法を用いたTa₂O₅薄膜作製におけるCO₂レーザーによる熱処理の効果

山田耕太, 長谷川淳一, 佐藤修彰, 藤野威男

1999 年 50 巻 11 号 p. 1021-1022
発行日: 1999/11/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.50.1021

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