表面技術

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53 巻, 12 号

選択された号の論文の41件中1～41を表示しています

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文部科学省および物質・材料研究機構におけるナノテクノロジー関連プログラム

古屋一夫

2002 年 53 巻 12 号 p. 788-792
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.788

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経済産業省および産総研におけるナノテクノロジー

佐藤眞士

2002 年 53 巻 12 号 p. 793-800
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.793

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ナノ構造・機能デバイス形成のための電解・無電解プロセス

本間敬之, 本間英夫

2002 年 53 巻 12 号 p. 801-805
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.801

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材料ナノテクノロジー

児玉英世, 林原光男, 小園裕三

2002 年 53 巻 12 号 p. 806-811
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.806

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センサとナノテクノロジー

竹内学

2002 年 53 巻 12 号 p. 812-817
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.812

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超微細化に向けたULSI薄膜技術

財満鎭明, 安田幸夫

2002 年 53 巻 12 号 p. 818-822
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.818

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ドライエッチング技術の現状と将来

酒井伊都子, 大岩徳久, 関根誠

2002 年 53 巻 12 号 p. 823-827
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.823

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Cu電極表面の電気化学STMによる研究

犬飼潤治, 板谷謹悟

2002 年 53 巻 12 号 p. 828-834
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.828

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機能性表面のナノスケール解析における電子顕微鏡の役割

小野幸子

2002 年 53 巻 12 号 p. 835-838
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.835

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ナノテクノロジーをサポートするSIM像の応用

鈴木俊明, 遠藤徳明, 柴田昌照, 釜崎清治, 市ノ川竹男

2002 年 53 巻 12 号 p. 839-842
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.839

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透明ELディスプレイとALD薄膜形成技術

山内毅, 寺亮之介, 服部有, 伊藤信衛

2002 年 53 巻 12 号 p. 843-846
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.843

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ナノスケール磁性層を有する塗布型磁気記録媒体

江尻清美, 斉藤真二, 都丸美喜男

2002 年 53 巻 12 号 p. 847-851
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.847

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電析法によるCo/Pdナノ多層膜作製のオートメーション化

大塚秀幸, 佐藤祐一

2002 年 53 巻 12 号 p. 852-856
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.852

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プラズマCVDと溶媒処理を用いたフルオロカーボン系多孔質構造 Low-K 薄膜の作成

高橋和生, 三田村崇司, 斧高一, 節原裕一

2002 年 53 巻 12 号 p. 857-859
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.857

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パルス変調プラズマCVDを用いた配向性ポリシリコン薄膜形成

堀勝, 後藤俊夫

2002 年 53 巻 12 号 p. 860-862
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.860

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アーク放電によるカーボンナノホーンの簡易合成

滝川浩史

2002 年 53 巻 12 号 p. 863-864
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.863

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有機色素表面へのシリカ超薄膜形成と高純度化

竹田篤, 墻内千尋

2002 年 53 巻 12 号 p. 865-867
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.865

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ナノインプリント技術

ナノスケールパターンの簡易転写技術

宮内昭浩, 桑原孝介, 長谷川満, 三輪崇夫

2002 年 53 巻 12 号 p. 868-870
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.868

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陽極酸化プロセスによる高規則性ナノホールアレー構造の形成と機能的応用

益田秀樹

2002 年 53 巻 12 号 p. 871-874
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.871

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非水溶媒からのナノ粒子分散めっき

平藤哲司

2002 年 53 巻 12 号 p. 875-877
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.875

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ハードディスクの保護膜

作製技術, 評価技術

藤巻成彦, 小角雄一

2002 年 53 巻 12 号 p. 878-880
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.878

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ヨウ化水素によるITOのエッチング

貞本満

2002 年 53 巻 12 号 p. 881-883
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.881

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マイクロドリルの表面改質

木幡護

2002 年 53 巻 12 号 p. 884-886
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.884

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リチウムイオン電池黒鉛負極界面の制御

吉武秀哉, 石原達己, 芳尾真幸

2002 年 53 巻 12 号 p. 887-889
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.887

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ナノクリスタルシリコンを用いた弾道電子面放出型電子源 (BSD) のフラットパネルディスプレイへの応用

菰田卓哉

2002 年 53 巻 12 号 p. 890-893
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.890

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液晶ディスプレイにおけるナノテクノロジー

液晶の新規配向制御技術

熊野厚司

2002 年 53 巻 12 号 p. 894-896
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.894

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自己組織化リン酸ジルコニウム薄膜の防食への応用

志田あづさ, 蓬原正伸, 杉村博之, 高井治

2002 年 53 巻 12 号 p. 897-898
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.897

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FIBを用いたナノテク材料のピンポイント解析

上野武夫, 矢口紀恵, 今野充, 橋本隆仁, 小池英巳, 大西毅

2002 年 53 巻 12 号 p. 899-901
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.899

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ナノ多孔質材料を用いたマイクロセンサ

上野祐子

2002 年 53 巻 12 号 p. 902-905
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.902

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触媒表面のプローブ顕微鏡による観察

小宮山政晴

2002 年 53 巻 12 号 p. 906-908
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.906

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近接場光学顕微鏡によるDNA観察とマイカ表面の処理

村松宏, 金種〓

2002 年 53 巻 12 号 p. 909-911
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.909

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スラブ光導波路分光法を用いた固液界面におけるタンパクの吸着現象のその場測定

松田直樹, 吉田貴充, 浅野肇, サントスホセ, 祁志美, 高津章子, 加藤健次

2002 年 53 巻 12 号 p. 912-914
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.912

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アルコール中でのカーボンナノチューブの液相合成

蒲生西谷美香, 中川清晴, 張亜非, 太田慶新, 蒲生秀典, 安藤寿浩

2002 年 53 巻 12 号 p. 915-919
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.915

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A novel synthesis of high density aligned carbon nanotubes in the liquid-phase has been demonstrated. Carbon nanotubes have been grown on Si substrate in methanol, and other alcohols by using Fe catalyst. Hollow multiwall carbon nanotubes external diameters ranging from 6 to 26nm standing well on the Si substrate were obtained. The growth rate of carbon nanotubes was∼several microns per minutes. The large difference in temperature between the substrate surface and the liquid can cause very high nucleation density and high growth rate and affect the growth direction of the carbon nanotubes. Very few amorphous components was produced among the carbon nanotubes because reaction proceed only on the hot substrate and no reaction can proceed in the liquid phase. This simple method can promise to give a large scale production of the carbon nanotubes.

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第4級アンモニウム塩を含む非懸濁溶液からのZn-Al₂O₃分散めっき

大上悟, 中野博昭, 小林繁夫, 秋山徹也, 福島久哲, 奥村和生

2002 年 53 巻 12 号 p. 920-925
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.920

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Electrolytic production of Zn-Al₂O₃ composite coatings was tried in sulfate solutions containing Zn²⁺ and Al³⁺ ions by codepositing Al³⁺-compound formed due to pH rise in the cathode layer. The results obtained are as follows:
(1) The Zn-Al oxide composite was obtained under the conditions that hydrogen evolution was significantly accelerated by the suppression of Zn deposition. Addition of stearyle benzyl ammonium chloride (C-18 benzyl) to the baths was effective for an increase in Al content in the deposit and Al was codeposited in trivalent state in the deposits;
(2) The partial polarization curves of Zn were shifted to the less positive direction due to the suppressed rate of Zn deposition by additive C-18 benzyl
(3) X-ray diffraction patterns of the deposited composites showed that the Al³⁺-compound that existed in the deposits was θ-Al₂O₃
(4) TEM observation revealed that the codeposited Al₂O₃ with a small size of 10 to 100nm was homogeneously dispersed in the deposits.

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エチレングリコール-水混合溶液中でAl-Nd合金薄膜上に形成した陽極酸化膜の電気的特性

水谷文一, 竹内佐千江, 鷹羽寛, 宇恵誠, 杉山淑

2002 年 53 巻 12 号 p. 926-932
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.926

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In mixed solutions of ethylene glycol and water, Al-Nd alloy films were anodized at 1mA cm^-2 up to 100V. Al-10wt.% Nd and Al-3wt.% Nd sputtered films were used as substrates, and electrolytes containing various kinds of solute were used. After annealing at 300°C, FT-IR spectrum and dielectric strength were measured for each sample. By anodizing in the electrolytes, the species originating from the ethylene glycol are incorporated into the oxide films, as well as the anions of the solute. As a consequence of the incorporation, the electrical properties of the anodic films are varied. Whereas various kinds of electrolyte were used for two kinds of Al-Nd substrates, FTIR peak position associated with Al-O stretching vibration and the dielectric strength had a certain relationship. Therefore, it is considered that the insulating property mainly depends on the microstructure of the oxide films, and that the influence of a change in the oxide film composition is very small.

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フッ化炭素プラズマ処理シリコン含有ダイヤモンドライクカーボン膜の機械特性

金鍾得, 三宅正二郎, 伴雅人

2002 年 53 巻 12 号 p. 933-938
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.933

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Diamond like carbon (DLC) and silicon containing DLC (Si-DLC) films were deposited by EBEP (electron beam excited plasma)-CVD. The effects of CF₄ plasma treatment and Si-inclusion on DLC film on surface energy, nanoindentation hardness and nanoscratching properties were investigated. DLC and Si-DLC films were surface modified by CF₄ plasma treatment. CF₄ plasma treatment decreases surface energy evaluated by the liquid drop method. Si-inclusion decreases the nanoindentation hardness. CF₄ plasma treatment decreases nanoindentaion hardness of DLC film, however increases the hardness of 20% Si containing DLC film. Micro wear depth increases by Si-inclusion evaluated by nanoscratch test. CF₄ plasma treatment increases the micro wear of DLC film, however decreases the micro wear of 20% silicon containing DLC film. Friction coefficients of both DLC and Si-DLC films were decreased by CF₄ plasma treatment.

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低エネルギービーム照射による磁気記録用磁性膜の表面改質

三宅正二郎, 関根幸男, 渡部修一, 山本尚之

2002 年 53 巻 12 号 p. 939-944
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.939

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To improve the reliability of high-density magnetic systems, a new thin protective layer against wear and corrosion must be applied on magnetic disk media. Various low-energy beams produced from N₂, O₂, CF₄ and CH₄ plasma were irradiated onto Co-Cr-Ta magnetic media, and then the effects on hardness, corrosion resistance and magnetic coercive force were studied, and the following results were obtained. (1) To clarify the relationship between hardness and plasma state, plasma spectroscopy analysis was performed. The hardness was affected by ion and radical quantities in the plasma. (2) Various low energy beam irradiations increase the surface Vickers and nanoindentaion hardness. Especially, nitrogen and CF₄ beam irradiations increase the hardness. The modulus of dissipation in deformation energy decreases with hardness increase. (3) Various low energy beam irradiations remarkably improve corrosion resistance evaluated from natural corrosion voltage in distilled water and physiological salt water solution. (4) Proper energy beam irradiation slightly degrades the magnetic coercive force of a magnetic disk.

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Logistic 関数によるオージェデプスプロファイルの解析

荻原俊弥, 鈴木峰晴

2002 年 53 巻 12 号 p. 945-948
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.945

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We have analyzed the interfaces in Auger depth profiles, for the Ni/Cr multilayer specimen, the GaAs/AlAs superlattice specimen and the InP/GaInAsP multilayer specimen, using curve fitting process by the logistic function. In consequence, the calculated fitted profile curves are in very good agreement with the measured points. Moreover, it has been found that the depth resolution function is expressed by two parameters of the interface-width and the asymmetry. In this report, we recommend that the surface roughening effect and atomic mixing effect are clearly shown using these two parameters.

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深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価

高野明雄, 本間芳和, 鈴木峰晴

2002 年 53 巻 12 号 p. 949-950
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.949

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Miniaturizing an electron device, characterization of ultra shallow region and ultra thin film is becoming important, and then high depth resolution has been required of the secondary ion mass spectrometry (SIMS). A measured depth profile is generally spread rather than the actual distribution because of atomic mixing and roughness caused by ion irradiation. We need a development not only in SIMS measurement procedure but also in analysis technique to presume a true depth distribution from a measured depth profile. In this paper, we report the evaluation of the depth resolution in SIMS data for boron nitride multi-delta-doped silicon and for isotope separated silicon dioxide on natural abundance silicon dioxide using physical model and we will demonstrate to presume a true depth distribution.

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フェニルアセチレンと水素終端化シリコンとの表面化学反応による有機単分子膜形成

杉村博之, 斎藤永宏, 角谷愉貴, 林和幸, 高井治

2002 年 53 巻 12 号 p. 951-952
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.951

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自動多層めっき装置の開発とそれによるナノオーダーCo/Pd多層膜の作製とその磁気特性

大塚秀幸, 淺富士夫, 小早川紘一, 佐藤祐一

2002 年 53 巻 12 号 p. 953-954
発行日: 2002/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj.53.953

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