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腰原 伸也
セッションID: 6Aa-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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近年の各種量子ビーム技術の飛躍的進展によって、ピコ秒時間スケールでの構造観測技術、さらには顕微観測技術との組み合わせすらもが可能となりつつあり、強相関電子系はもとより、複雑なタンパク質に至るまで、その動的構造変化と物質機能の関連解析が始まっている。これらの現状を概説し、新分野である「動的構造科学」の今後の進展方向を議論する。
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木下 豊彦
セッションID: 6Aa-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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放射光のパルス特性を生かしたポンプ&プローブ法を光電子顕微鏡に応用し、ミクロンサイズの磁性体の外部磁場に対する応答を観測している。サブミクロンの空間分解能でサブナノ秒の時間応答の観測が可能になっている現状を紹介する。
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松尾 二郎, 羽田 真毅
セッションID: 6Aa-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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フェムト秒時間分解能で結晶構造変化を観察できる電子・X線回折法について紹介する。さらに、VO2などの光相転移現象における結晶構造変化のダイナミックスをfs-X線回折法を使って調べた結果を示す。
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斎木 敏治
セッションID: 6Aa-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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フェムト秒レーザによる凝縮系の瞬間的な高密度電子励起は、非熱的な構造変化をもたらす。さらにナノプローブ技術や金属ナノ粒子のプラズモン励起を利用すると、光をナノスケールに閉じ込め、時間・空間において極限的な光源による構造変化とそのダイナミクス観察を可能にする。本講演では、光ディスクに用いられるカルコゲナイド材料(GeSbTe)に対する金ナノ粒子プラズモン励起によるフェムト秒・ナノスケール相変化を議論する。
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谷村 克己
セッションID: 6Aa-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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フェムト秒時間分解透過型電子回折法による構造相転移ダイナミクス
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堀尾 吉已
セッションID: 6Ap-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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一般にRHEEDは表面構造評価に用いられるが、回折斑点の形状から島結晶の形態情報も得られる。本研究では、Si(001)基板に形成されるGeの島結晶を試料として用いる。この系のGeナノドットの形態はよく知られているが、実験での斑点形状と計算シミュレーションの比較は報告例がないと思われる。入射条件を変えて実験と計算の比較検討を行うとともにSTMによる形態確認も行ったので報告する。
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橋本 美絵, 松井 文彦, 松下 智裕, 後藤 謙太郎, 前島 尚行, 松井 公佑, 大門 寛
セッションID: 6Ap-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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我々はSPring-8,BL25SUの円偏光軟X線と二次元表示型電子分析器(DIANA)を用い、Si(111)-√3×√3-Ga、In、Sn、Pb表面からのGa3d、In4d、Sn3d、Pb4d光電子パターンを測定した。それぞれの光電子パターン中に、表面吸着原子による前方収束ピークおよび光電子回折リングの円二色性を観測した。円偏光光電子回折リングと吸着原子のポテンシャルとの関係について議論する。
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大竹 晃浩
セッションID: 6Ap-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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GaAs表面に現れる様々な再配列構造の原子配列をRHEED、STM、RDSを用いて評価した。1990年代半ばまでにほぼ確定したと思われていた多くの構造を見直し、新たなモデルを提唱した。最もAs-richな条件で現れるc(4x4)表面にはGa-As dimer構造とAs-As dimer構造の二種類が存在し、それらは表面作製時に用いるAs分子種を制御することで作り分けることが可能となることを示した。一方、Ga-richな表面構造に関しては、(4x6)構造が最もGa-richであることを示すとともに新たな表面構造を提唱した。
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服部 賢, 大井 秀夫, 前谷 健, 大門 寛
セッションID: 6Ap-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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3次元島のRHEED透過パターンは島(バルク相)の構造や結晶性、結晶方位を反映しており、よくその同定に使われている。しかしながら、入射方向が対称性の良い1、2方向からのパターンから判断する場合が多く、十分な解析がなされていないことがある。我々は、試料面方位角を150°ほどの範囲で400枚ほどのRHEED透過パターンを撮影し3次元逆格子空間マップを作成することにより、Si表面上の幾つかのシリサイド系においてより詳細な構造が分かることを示してきた。講演ではそれらについて紹介する。
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松本 益明, 福谷 克之, 岡野 達雄
セッションID: 6Ap-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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Si(111)7x7表面上にPbを蒸着した時に形成される超平坦膜の形成過程をLEEDとSTMを用いて観察した。室温においてPbはストランスキークラスタノフ型で成長し、2層以上では島状に成長するが、島の頂上は原子レベルで平坦となった。これはPbの量子サイズ効果によると考えられている。この薄膜をSTMで観察すると、かけるバイアスにより島の消失が観測された。この解析結果についても報告する。
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谷口 昌宏, 西川 治
セッションID: 6Ap-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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アトムプローブを改良した走査型アトムプローブで、金属ないしはカーボンナノチューブの針状試料に担持された有機分子の試料の分析を行なった。電界蒸発のトリガ源(パルスレーザもしくは電圧パルス)、担持する下地材料の組み合わせによって、検出されるフラグメントイオンとその脱離方位(角度分布)に違いが見い出されている。本発表ではフラグメントイオン間の相関を脱離の前後関係だけでなく、脱離方位でも解析した結果を報告する。
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笹原 亮, Chi Pang, 富取 正彦
セッションID: 6Ap-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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本研究では、チタン-ケイ素複合酸化物を作製し、その表面構造を解析した。チタン-ケイ素複合酸化物表面の触媒活性サイトを明らかにすることが、目標である。二酸化チタン単結晶を加熱して不純物ケイ素を表面に析出させ、単結晶表面にチタン-ケイ素複合酸化物を作製した。講演では、複合酸化物表面を低速電子線回折法、X線光電子分光法、周波数変調原子間力顕微鏡を用いて解析した結果を報告する。
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サルハン アブドラ, 中西 寛, 笠井 秀明
セッションID: 6Ap-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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The electronic transport through an adsorbed melamine molecule on Cu (100) surface is studied. The electronic structure and properties are investigated via density functional theory (DFT) first-principles calculations. Based on these calculations a model Hamiltonian is proposed and then the electronic current is formulated assuming a perturbation of the electron-molecular vibrations interaction type in the melamine molecule.
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依田 貴稔, 木下 健太郎, 土橋 一史, 岸田 悟
セッションID: 6Ap-09
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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走査型電子顕微鏡の二次電子像と材料の電気伝導度の一般的な関係は, 完全には明らかにされていない. 本研究では, DCバイアスを印加しながらAFMチップを走査させることによって, NiO膜の任意の場所に高抵抗領域, 低抵抗領域を書き込み, それぞれの領域における二次電子像をSEMにより評価した. その結果, メカニズムが未だ解明されていないNiO薄膜における抵抗変化現象と二次電子像のコントラストとの間に相関があることがわかったので報告する
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杉本 敏樹, 福谷 克之
セッションID: 6Ap-10
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ステンレス表面及びガラス表面における水分子の特異な挙動について講演する。
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杉本 宜昭, 阿部 真之, 森田 清三
セッションID: 6Ap-11
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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原子間力顕微鏡を用いたSi(111)-(7x7)表面上の単原子操作と相互作用力測定について報告する。
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内藤 賀公, 馬 宗敏, 李 艶君, 菅原 康弘
セッションID: 6Ap-12
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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力センサーにカンチレバーを用いた周波数変調原子間力顕微鏡(FM-AFM)はさまざまな固体表面を原子スケールで観測できる。近年我々はカンチレバーの小振幅励振を可能にする多周波数モードを使ったFM-AFM法を考案し、表面の凹凸像だけでなく弾性情報やエネルギー散逸情報を同時に取得できる技術を開発した。今回Ge(001)表面を用いて表面弾性情報と凹凸像の同時取得を行ったのでこれらについて報告する。
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中山 拓人, 山田 洋一, 佐々木 正洋
セッションID: 6Ap-13
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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有機半導体デバイスでは異種分子接合界面が重要となる。本研究はペンタセン(Pn)薄膜上のフラーレン(C
60)の吸着形態を微視的に検討した。Pnの被覆率が小さい場合、両者は混ざり合うことなく独立にアイランドを形成した。Pn薄膜上のC
60分子では、平坦なPn単分子層上ではC
60は凝集しアイランド化したが、凹凸のあるPn多分子層上ではC
60は孤立して吸着した。講演では系の電子状態を含め考察する。
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野津 浩史, 齋藤 彰, 大関 豪三, 田中 武拓, 高木 康多, 田中 義人, 香村 芳樹, 赤井 恵, 石川 哲也, 桑原 裕司, 菊田 ...
セッションID: 6Ap-14
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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我々は実空間ナノスケールの元素識別を目的として放射光STMシステムを開発し、X線-表面原子間の相互作用を調べてきた。これまで2種類の系(半導体ヘテロ界面、金属-半導体界面)において単原子層の元素コントラストを取得している。その過程において、我々は入射光子密度の増加に伴う表面原子の移動を見出し、その現象について調べてきた。その結果、X線照射のみで原子移動が生じることがわかった。こうした現象の原子レベルでの直接観察は放射光施設のその場観察STMならではの成果であり、得られた結果を報告する。
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なじー しゃらん
セッションID: 6Ba-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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Effect of Micro-gap Electrode on Sensing Properties to NO2 Gas of One-dimensional Tin Dioxide Nanostructure Microsensors
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石川 誠, 加藤 政樹, 野田 朝美, 佐々木 成朗, 三浦 浩治
セッションID: 6Ba-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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グラフェンを接着した原子間力顕微鏡用探針でフォースディスタンス曲線を計測することでグラフェンのグラファイト基板からの引き剥がし過程を観察した。引き剥がしに伴いフォースディスタンス曲線には幅0.2-0.6nm程をもつ力の振動が見られた。またグラフェンが基板から離れる直前には力は一定となるテラス状の構造を持つことがわかった。これらの振る舞いはシミュレーションともよく一致する。
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鈴木 雅彦, 橋本 道廣, 安江 常夫, Bauer Ernst, 越川 孝範
セッションID: 6Ba-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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高輝度、高偏極度を有するスピン偏極低エネルギー電子顕微鏡(SPLEEM)を用いてCoNi系垂直磁気異方性薄膜の形成過程の観察を行った。さらにAuオーバーレイヤーが磁気的特性に及ぼす影響についても観察を行った。
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南谷 英美, ウィルソン ディニョ, 中西 寛, 笠井 秀明
セッションID: 6Ba-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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金属表面に磁性原子2つを吸着させると、近藤効果とRKKY相互作用が電子状態に大きく影響する。走査トンネル分光(STS)スペクトルには近藤効果の影響が、フェルミレベル近傍のピークとして現れることが知られており、RKKY相互作用の大きさや符号をSTSスペクトルの形状から推定することが可能と考えられる。また近藤効果は磁場と温度に敏感である。そこで本講演ではとくに、磁場と温度の効果に注目しRKKY相互作用が、その2つへの依存性にどう影響するかを調査した結果を報告する。
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高橋 透仁, 小泉 淳, 小野 洋, 内田 和男, 野崎 眞次
セッションID: 6Ba-05S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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炭素ドープGaAsにInを拡散させてInGaAsを作製する。炭素ドープGaAs表面にIn金属を蒸着させアニールを行う。作製されたInGaAsの膜厚と組成をラマン測定、PL測定などを用いて評価する。
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松崎 瑛介
セッションID: 6Ba-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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サファイア基板上にGaAsを成長することができれば,1枚の基板上でRGBフルカラーの発光デバイスと,GaAsによる高速電子デバイスを有する光電子集積回路が実現する.本研究では,低温GaAs層をBuffer層として導入した二段階成長法を用いて,単結晶GaAs薄膜の成長を試みた.その結果,低温GaAsバッファ層の成長条件が高温GaAs薄膜の結晶性に影響を与えることが明らかとなった.
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山内 泰
セッションID: 6Ba-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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磁性体表面の電子スピン挙動は、原子あるいは分子レベルの表面改質によって大きく影響を受ける。多くの場合、偏極の減少が観測されるが、増大も観測される。原子・分子を吸着した表面の最表面スピン検出に用いたスピン偏極準安定脱励起分光法を紹介するとともに、これら原子・分子レベルでのスピン編挙動ならびに制御の可能性について第一原理計算を援用しながら概説する。
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森本 真弘
セッションID: 6Ba-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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Si(001) リアルタイム観測 アルカリ金属原子 高温表面
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横山 有太, 朝岡 秀人, 山田 洋一, 佐々木 正洋
セッションID: 6Ba-09
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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Si(110)表面は16×2という特異な長周期再構成構造を有し、条件を最適化することで広範囲にわたる単一ドメインを実現することができる。本研究ではこの表面構造をテンプレートとし、各種有機分子を蒸着することで、表面構造を反映した有機分子の1次元ナノ構造創製を目指した。
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酒井 政道, 中村 修, 長谷川 繁彦, 北島 彰, 大島 明博
セッションID: 6Ba-10
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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電気の良導体では,キャリヤ散乱レートに関する条件が揃えば、個々の電子および正孔の輸送は残した状態で,ホール係数をゼロにして、印加磁場とバイアス電流に対して垂直な方向への正味の電荷輸送を消失させることが原理的に可能である.講演では,「ホール係数ゼロ状態」を利用する「電流-スピン流変換機能」の原理について説明すると共に,ゼロホール係数物質の探索状況を報告する.
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辰巳 哲也
セッションID: 6Bp-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ドライエッチング技術は最先端のプラズマ応用技術としてここ30年にわたり急速に進展してきた。本講演ではこれを振り返り、高密度プラズマ装置等の開発の歴史から定量的なプロセス制御技術の発展等について触れるとともに、最新のULSIデバイス開発への応用の現場と今後に向けての課題を議論する。
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大友 悠大, 小川 修一, 高桑 雄二
セッションID: 6Bp-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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基板表面上に一様なプラズマを発生させることができる光電子制御プラズマプロセスは基板を陰極とする直流放電なので、プラズマ中で発生したArイオンは基板へと加速され衝突する。低エネルギーのArイオンの照射により大面積基板を一様に平坦化処理することが期待される。今回はある程度の表面粗さを持つように加工した2インチサイズの金属ウエハ表面にプラズマを照射し、ウエハの表面粗さがどのように変化するかをAFMで観察した。
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新堀 俊一郎
セッションID: 6Bp-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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前回に報告した局所プラズマ加工装置を吸引モードで動作させること
により、シリコン基板の微小領域の加工を行ってきた。今回は、プラズマガンのキャピラリー先端穴径を変えた場合のエッチングレート・エッチング形状およびシリコン基板裏面の温度の違いを中心に報告する。
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小池 淳一
セッションID: 6Bp-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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Cu-Mn合金は酸化物基板と反応して拡散バリア層を形成するとともに、界面の密着性を改善する。また、Cu中のMnの活量が大きいために、制御雰囲気においてMnのみを外部酸化して合金膜表面に排出することが可能であり、低抵抗化が容易である。このような特長を利用して、半導体多層配線および大型平面表示装置のTFT配線に応用した結果を紹介する。
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木下 昌久, 小泉 淳, 小野 洋, 内田 和男, 野崎 眞次
セッションID: 6Bp-05S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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本研究では、微小MIM(金属―絶縁体―金属)トンネルダイオードを二次元に配列した超高周波用整流器を作製することを目的とする。MIMトンネルダイオードの極薄絶縁はNiを酸化し、それをPt電極で挟みこんだ個々のダイオードの面積を100nm×100nm以下にし、容量を低減化し、超高周波対応を試みた。
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北村 健一, 木下 健太郎, 土橋 一史, 依田 貴稔, 岸田 悟
セッションID: 6Bp-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ReRAMの実用化にはフォーミングと呼ばれる絶縁破壊に類似の前処理動作を無くし, リセット電流を低減する必要がある.
本研究では, フォーミングを必要としないリセットスタート素子に対してリセット電流の初期抵抗依存性を評価した. その結果, リセット電流は膜厚や成膜温度に依存せず初期抵抗値に逆比例することが明らかになった.
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後藤 康仁, 遠藤 恵介, 池田 啓太, 大上 航, 辻 博司
セッションID: 6Bp-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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窒化ハフニウム微小電子源の昇温時の電子放出特性を理解する目的で、窒化ハフニウム薄膜の加熱前後の仕事関数の値を測定した。仕事関数は真空中で加熱すると低下し、その後室温に戻してもその値を維持した。その後再度昇温しても仕事関数に変化は見られなかった。この変化は電子放出特性の温度依存性と対応しており、電子放出特性の変化は主として仕事関数の変化によるものと理解することができる。
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奥谷 匠, 木下 健太郎, 田中 隼人, 檜木 利雄, 岸 啓, 中原 子竜, 大観 光徳, 岸田 悟
セッションID: 6Bp-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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私達はこれまでにrfプラズマアシストdcスパッタ法の導入によりGaドープZnO(GZO)電極/GZOメモリ層/GZO電極/プラスチック基板構造を持つ透明フレキシブル抵抗変化メモリ(FT-ReRAM)の作製を可能とした. 本研究では, FT-ReRAMにおけるデータ保持の曲げ耐性やパルス応答特性等の基本特性を調査し, 曲率半径cmでのデータ保持やパルス幅500nsでの抵抗変化等を確認した.
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大久保 博志
セッションID: 6Ca-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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「まいど1号」は,JAXA(宇宙航空研究開発機構)や大学の支援を得て,中小企業家たちの組合SOHLA(東大阪宇宙開発協同組合)が開発した50kg級小型衛星である.2009年1月23日,H-_II_Aロケットによる打上げが成功した.開発には大阪府立大学などの大学院生・学生たちが参加し、JAXAの指導のもとに衛星のシステム設計や機器開発を行った。産学官連携で進められたプロジェクトを通じて得られた貴重な経験を語りたい。
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土佐 正弘, 笠原 章, 後藤 真宏
セッションID: 6Ca-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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国際宇宙ステーションが構築されている軌道環境では、原子状酸素、粒子線、熱変化等過酷な極限環境であり、摩擦増大が懸念される固体潤滑剤被膜には、長期にわたって円滑な駆動が保証されることが強く望まれている。そこで、銅をはじめ4種類の固体潤滑剤材料をステンレス鋼に被覆した試料を軌道上に設置し、軌道環境で暴露試験を行った後、地上に回収して真空中での摩擦特性や表面構造、組織組成等を分析したのでその検討結果について報告する。
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堀内 達也, 宮地 良明, 栗巣 普揮, 山本 節夫, 古谷 正裕, 後藤 実
セッションID: 6Ca-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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炭素ドープと酸化処理を同時に施す新たな表面改質処理(フレッシュグリーン処理)を施したチタンのガス放出特性と真空中の摩擦特性について調べた結果を報告する.
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南 達也
セッションID: 6Ca-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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リチウムイオン二次電池用負極黒鉛材料からのガス放出量を低減する新たな方法として、負極黒鉛材料への水素プラズマ照射を試みました。水素プラズマ照射により、ガス放出の原因となる活性サイトを水素で塞いだためガス放出量を減少することができました。また、水素プラズマ照射時の負バイアス及び照射量が負極黒鉛材料からのガス放出に与える影響について調べました。
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中村 健, 亀田 直人, 西口 哲也, 野中 秀彦, 一村 信吾
セッションID: 6Ca-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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活性な酸化剤ガスであるオゾン(O
3)は非直線等核3原子分子であることから、基準振動やその結合音等の赤外吸収(IR)ピークを示し、その吸光度はLambert-Beer則に従ってO
3ガス濃度に比例することが期待される。本報告では、全圧測定をIR測定と併用することでO
3の分圧及びO
3から酸素への解離度の評価を試みると共に、IR吸光度への測定分解能の影響と補正の必要性について検討する。
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高橋 直樹, 堀 隆英, 竹井 智明
セッションID: 6Ca-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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我々は,真空領域におけるJCSS(計量法第143条に基づく計量標準供給制度)の校正事業者として登録され,トレーサビリティーの取れた校正を行うことが可能となった.圧力領域1-10
-3Pa,特定二次標準器はスピニングロータ真空計である.このシステムの中では,校正証明書に校正の不確かさを示すことが求められている.本報告では,スピニングロータ真空計を用いた比較校正法において,校正結果の不確かさを求め,最高測定能力として0.6%が得られたことを及びその過程について述べる.
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樋口 敏春, 佐々木 正洋
セッションID: 6Ca-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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電子管などに使用されている含浸カソードのイオン衝撃によるエミッション低下現象をシミュレーションする方法の構築を行い、残留ガス、カソード温度、電流密度、印加電圧と、エミッション低下との関係を明らかにした。
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