Scanning capacitance microscopy (SCM) is one of techniques imaging two-dimensional carrier distribution in semiconductor devices. We have demonstrated that quantitative analysis of carrier concentration can be performed using calibration curves, which are statistically prepared for respective materials like silicon, silicon carbide, etc. The procedure was circulated to research organizations in domestic round robin test, and this method was found to be available from the viewpoint of comparability among users for the industrial standardization. It was also applied to other microscopes, and their profiles of carrier concentration coincide with each other, suggesting compatible to next-generation microscopes which would come up in the future.

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水生微生物を走査型電子顕微鏡で観察する際，真空中での体液の蒸発による細胞膜の変形と，電子線照射による帯電を避けるための工夫が必要である．本研究では，冷凍機や真空装置などの前処理用の装置を用いず，エタノール置換法とイオン液体塗布法を用いた簡単な前処理法について述べる．

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反射高速陽電子回折の特徴を生かした表面構造解析の手法を用いて，Si(111)-(7×7)およびSi(111)-(√3×√3)-Agからの回折強度の温度変化による表面デバイ温度の決定について述べるとともに，表面構造相転移と熱振動との関連について示す．さらにSi(111)-(√3×√3)-Ag表面構造の相転移について，秩序無秩序相転移と結論付けた秩序パラメータを用いた解析について述べる．また陽電子の表面プラズモン励起過程について電子との比較を行い，相互作用距離が大きく異なる理由を示す．

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