Journal of Surface Analysis
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巻頭言
解説
  • 二段回転電場質量分離技術を用いた一次イオンビーム形成に関する研究
    野島 雅
    2023 年 30 巻 2 号 p. 89-97
    発行日: 2023年
    公開日: 2024/04/01
    DOIhttps://doi.org/10.1384/jsa.30.89
    ジャーナル オープンアクセス
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    本解説記事においては，二段回転電場を用いた質量分離技術（REF-MS）に関して，その原理・実験結果・質量分離能の観点から解説する．本手法は，イオンビームを用いた分析における一次プローブとして，または元素選択型の新しいものづくり手法に応用することも期待される．本質量分離技術を用いることでイオンビームが質量ごとに空間分離し，目的とするイオンが光軸に回帰することで集束することを明らかにすることを目標とした．まず，GaおよびAuGe液体金属イオン源（LMIS）を搭載した集束イオンビーム（FIB）鏡筒をREF-MSチャンバに接続し，同位体及び元素分離能を評価した．さらにFIB鏡筒に真空エレクトロスプレーイオン（ESI）源を導入し，質量選択またはクラスターサイズ選択されたイオンビームによる微小クレータおよびコバルト元素リングを形成した．
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研究論文
技術報告
エクステンディド・アブストラクト（レビュー）
  • Ga-FIBからBi-FIBへ： TOF-SIMSによる埋もれた界面のその場観察
    飯田 真一
    2023 年 30 巻 2 号 p. 120-126
    発行日: 2023年
    公開日: 2024/04/01
    DOIhttps://doi.org/10.1384/jsa.30.120
    ジャーナル フリー
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    FIB（Focused ion beam）は，微細な電子デバイスの故障解析などに用いられるサンプル加工技術で，一般にGaイオンビームが広く使われている．最近では，複雑な組成分布や構造を持つ材料の3次元イメージングを実現するために，飛行時間二次イオン質量分析法（TOF-SIMS）装置と組み合わせたFIB-TOFが注目を集めている．ただし，Ga-FIBの課題として，加工スピードの遅さが挙げられる．この課題を克服するために，Biイオンビームを用いたFIB加工の検討を行った．元素周期表で最も重い非放射性元素であるBiを用いることで，加工スピードの向上に加え，FIB残渣がスペクトルに与える影響を軽減する効果が期待される．本稿ではGa-FIBとBi-FIBの比較結果と，Bi-FIBを用いた全固体電池材料の断面観察結果を紹介する．
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談話室
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