Partial Laser Anneal Silicon(PLAS)は大型基板向けに開発した革新的なLow-Temperature Polycrystalline-Silicon(LTPS)技術であり,今回G10ラインにおいて19.5型4K LCDの試作に成功した.ボトムゲート構造において移動度はoxide Thin-Film Transistor(TFT)と同等の28.1cm
2/Vs,信頼性についてはLTPSと同等の光安定性を示した.この技術はα-Si工場の高移動度TFTへの転換を最も容易かつ安価に可能とする画期的な技術である.PLASの光安定性はOrganic Light-Emitting Diode(OLED)バックプレーン,High-Dynamic Range(HDR)TV,屋外用ディジタルサイネージなどへの適応が期待できる.
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