角度多重方式ホログラフィックメモリーにおいて高密度化を実現するために重要なページ間クロストーク低減技術について検討した.隣接ページ間で位相差を付加することによりページ間クロストークを制御する二つの方式を考案した.一つは隣接ページ間でページ全体に
π/2の位相差を付加することによりクロストークをキャンセルする方式であり,もう一方は隣接ページ間で所定領域に
πの位相差を付加することにより信号を増幅する方式である.シミュレーションによりノイズ低減効果を比較し,後者がより効果が高いことを確認した.また,実験によりその効果を検証した.最後に,高転送速度を実現する上ではページ間で高速に位相を制御することが課題となるため,強誘電性液晶を用いた高速位相制御について検討した.
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